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[电子大赛] 2015年全国大学生电子设计竞赛双向DCDC电源设计报告

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发表于 2019-12-10 10:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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摘要;- R" H9 }" d6 z8 h4 z+ |
本系统以Buck 和Boost 并联,实现双向DC-DC 交换,以STM32 为核心控( w4 i% ^$ B  ]2 h$ O  B6 I
制芯片。Buck 降压模块使用XL4016 开关降压型转换芯片,通过单片机闭环实8 u+ z2 t: r' J* t" k0 `
现恒流输出控制。放电回路选择Boost 升压模块,以UC3843 作为PWM 控制器,0 G" s+ h7 m8 g, T0 B6 Z7 D
组成电压负反馈系统,通过调整PWM 的占空比,实现稳压输出。系统能自动检$ {7 _& @% M7 \7 Y2 F+ `
测外部电源电压变化, 在负载端电源较高时自动切换成充电模式, 反之切换为放/ K$ r( Q3 E& F! Y. p5 f6 L
电状态。系统具有过流、过压保护功能, 并可对输出电压、电流进行测量和显示。
: t$ p) w6 j6 W' f+ N9 L, G
6 \$ s  _  V9 N3 K6 H1 v- F目录
" y  _1 h) p- j, g: G0 \1 系统方案................................................................... 1
% H4 ?0 T( Z2 d5 g: |  v/ M3 b1.1 升、降压电路的论证与选择............................................................................................ 1
# P) U: V4 q/ ^3 G1.2 系统组成及控制方法........................................................................................................ 11 K* {) v' s. o0 d0 `" L
2 系统理论分析与计算......................................................... 28 ?7 p  @* O) a4 C
2.1 电路设计与分析................................................................................................................ 2
0 ?1 i+ y0 _$ g2.1.1 提高效率的方法..................................................................................................... 2
+ G  }% ]" x: Y+ J2.1.2 控制回路分析......................................................................................................... 2
* }7 u; B% s- A6 N. P2.2 控制方法分析.................................................................................................................... 23 X' a3 M9 `& {5 D6 Z3 J# A
2.3 升压、降压电路参数计算................................................................................................ 3; h% E6 V5 q2 h$ \+ l- U
2.3.1 元件选取................................................................................................................. 36 v' {( ~; Z8 ~5 {: g
2.3.2 电感计算................................................................................................................. 3
( }" s# i% r# m3 电路与程序设计............................................................. 45 X3 f$ V4 n( l
3.1 电路的设计......................................................................................................................... 49 B2 f2 T+ C4 s& t0 r$ m: `0 @- z
3.1.1 系统总体框图.......................................................................................................... 4
! l! Q5 @; N( F) A7 ]. s3.1.2 充电系统原理......................................................................................................... 4
1 p% @) \9 {# O9 G! g3.1.3 放电系统原理......................................................................................................... 5# r& R# ~6 W7 ~& U, a( r
3.2 程序的设计......................................................................................................................... 5
: D; p. E1 h; m% ?, n3.2.1 程序功能描述与设计思路...................................................................................... 5" C/ `. F6 \+ u; i( m
3.2.2 程序流程图.............................................................................................................. 5
7 s  a6 u6 r% B+ S* f4 测试方案与测试结果......................................................... 6+ m) S2 l3 Z" c+ H9 G/ b  D
4.1 测试方案............................................................................................................................. 6
* g9 g( w1 `& T: x4.2 测试条件与仪器................................................................................................................ 7
* O. G) P2 Y2 G. c8 ?4.3 测试结果及分析................................................................................................................ 7
# g! m8 ]% ~: h4 ^& r7 z' r4.3.1 测试结果(数据) ....................................................................................................... 7& h( k" T. S4 D+ H: y
4.3.2 测试分析与结论...................................................................................................... 7
8 y5 P( D+ L" W) p/ c/ p; u附录1:电路原理及实物....................................................... 8
* U5 v& P3 p# i" z' k$ n; I附录2:主要程序片段......................................................... 94 W* a8 K6 E2 b6 G4 Y, [# M; B
19 {: N! Q( f1 d3 |2 g
双向DC-DC 变换器( A 题)8 o7 n! T0 y$ t- J! \
【本科组】
5 ?! T+ ~7 P5 N8 k! b1 系统方案
6 ^' ^- @% K7 r4 I+ h: F2 T$ P系统要求效率, 所以恒压输出、稳流输出都应采用开关电路, 鉴于本题目要求的功: S, R1 w% l; ?! B; y* p% n* F
能,系统主要由恒压控制模块、恒流控制模块组成,另为了灵活调整输出参数并实时监# q, k+ l  v; `# C% }
控系统工作状态,运用单片机控制技术,还有支持系统控制系统工作的辅助电源。
6 c+ G1 |; r! {1.1 升、降压电路的论证与选择6 t0 n, M( O  C" t; R% r2 K, ]8 Y
方案一:采用线性电源电路。线性控制电路控制简洁,输出波形指标良好,电路简
. m& E- b/ S' C  I% y; O  M; ^单,但缺点是效率极低, 在当前的大功率电源应用场合已被淘汰, 因题目对效率的要求,
+ h( O  L, v/ R. ]1 |& [: G这里不能采用线性电源。2 w+ A0 f5 u0 R# s" q1 [8 j8 a; D, ~
方案二:正激、反激变换器。电源调整管工作在开关状态,优化调整后其效率远高
; a) W$ X0 K( h3 R5 q% R$ U于线性电源;且有可以有灵活的参数设计满足不同的需求; 有大量产品级方案可供借鉴,7 r$ J7 b* _- x7 M( K
实现起来难度不大。
& c, A$ l, k; Y( I  t方案三:当前流行的开关电源大多基于Buck、Boost 基本电路拓扑结构或他们的结
6 `2 h, C- M1 i$ e) G: {4 J4 H' I合,在对题目进行仔细分析后,系统需求的尽是升压和降压,在Buck、Boost 基础上附: Z" I+ R3 e1 ]) V5 ]3 A8 q0 I
加反馈控制就可完成任务,这样还可以省略繁杂的变压器参数设计,因电路简洁实现起5 [' y$ x1 b: w  Q& e
来更加容易。并且因为使用较少的常规元件,节省成本提高可靠性,符合产品设计的思; i5 a, E5 L0 |  H& T3 C, i) Z
路。
4 d! {: Z0 t9 n% Q) }& ?. R综合以上分析,选择方案三。9 V- }, W) F" y- L# p  x; y' W
1.2 系统组成及控制方法
& Q$ C: w3 g1 U* n9 Y) q3 L方案一:系统由Buck、Boost 模块实现升压、降压任务,各模块所需PWM 信号的$ y1 A0 j7 n% C
由单片机提供,单片机AD 采集实时输出量,经运算后通过改变占空比调整模块工作状, F/ H% ]/ r2 {& A0 K
态。该方案电路最简单,各种控制灵活,缺点有单片机运算量过大,开关信号占空比受' d9 [' j3 M* F5 M4 d) l0 t6 ~
单片机限制,浮点运算的时延影响电路跟随,另外单片机容易受到功率管开关干扰而失
+ c2 I5 T& e! v/ K灵。
( \# u  ^5 D2 H0 M, V( }方案二:使用振荡器、比较器产生PWM 波,由负反馈电路实现输出控制,单片机
  s  q% q- i" G, V负责状态切换和测量显示,该方案原理易于理解,但自己装调的PWM 电路在开关时容
( n2 F# W6 ]# \* c9 T易出现振铃毛刺,直接影响了系统效率,并且要完善反馈控制对回馈信号要求较高。9 Y  Q( [; n1 W5 K! h
方案三:借用现有成熟PWM 控制器,该类集成电路输出波形好,工作稳定,都具0 _& `, x4 g% ~
备至少一个反馈控制引脚,按照厂商提供的典型电路就可装调出应用电路。但这类电路
' |4 q( `  `- q. J4 j6 h- \' i' `一般针对专用场合设计,借用时需要较多设计计算,特别是该类芯片的反馈有极高的控3 q1 ]7 |" A7 i
制灵敏度,在单片机参与时需要较多改动。  o+ `5 t1 s. ~5 h# x
为提高系统性能选择方案三, 降压回路使用XL4016,升压回路以UC3843 为核心,) h4 A- h8 e0 j
2" k+ E6 d% O, \2 R
控制单片机使用STM32,有很高的工作速度、丰富的外围资源,可以很好地完成系统  _% I$ ]# Q# y. f0 Y  G
控制任务。
* ^8 Y! {/ b7 s2 系统理论分析与计算
9 a# Q# {9 U8 f  Q& F, H2.1 电路设计与分析) |! D7 i0 f/ b; E* a1 C$ G
2.1.1 提高效率的方法9 V8 T+ }: l! ]- H" h* I$ L! q0 w
在电路的设计过程中, 找到了影响系统效率的主要因素有三点: 功率变换器开关器
- \* G5 U0 ~  o# P6 S) M/ T* i件的开关损耗;感性元件的铁损和铜损;控制电路的损耗。.
1 Z4 \. z  j# t# u( @1 m所以提高系统效率,我们可以从这三方面出发。# X# Y* ?7 \  C, R3 k& X, F: }
1.开关器件的损耗不可避免, 但是可以采用低功耗的开关管和二极管。采用MOS$ [/ E% d% z6 h  W5 A' \
管做为开关管, IRF540 型MOS 管开关损耗小,其只在导通期间由开关损耗,适合频率$ R+ A! c+ E3 y+ G
比较高的工作场合。采用肖特基二极管做为续流二极管,耐压高,损耗小。如此选择器
" n$ q' y; g; b5 X! M; h件可以降低开关器件的损耗,提高系统效率。
1 k# u% d# n" X' I) }- s8 h2.通过理论和实践验证,电感越大,纹波电流越小,电感损耗越大。所以在满足要0 F) x; p2 G% c. M; d
求的条件下减小电感,并且严格按照要求绕制电感,减小磁隙,线圈紧凑等。+ A7 e7 T) ]9 k: k
3.在焊接时合理安排布局, 减少开关信号走线的连接, 可以在布局布线上减小损耗。6 V4 n& o. Y# s; H
2.1.2 控制回路分析
$ w+ `7 K% b7 k5 p0 v1.恒流输出:在输出端检测采样电阻的电压,因为信号很小,经过20 倍放大送至' _/ s8 c4 W# M3 G9 b
单片机,单片机将处理结果, 经误差放大器送至XL4016 的反馈端FB。FB 与内部1.25V0 z0 t" x3 n4 Q* B
基准电压比较,控制PWM 信号,进而达到控制输出电流。经过闭环负反馈系统控制,' C# v% H! ~" M4 u" x. P: J& Q( U  r
可以使输出电流恒定,起到了过流保护作用。7 I9 [* q' k- X2 w* x4 z8 e
2.自动切换:由单片机采集30 欧负载两端电压,当电压低于30V 时,系统工作在
2 L$ ~$ k2 c& x& X9 ]6 t' _4 o8 n放电模式;当电压高于30V 时,系统工作在充电模式。此外,还可以手动切换工作模式。
) X% r' x2 T( h" F" W+ B9 w* T3.液晶显示:使用12864 液晶屏,显示电池组的充电电流和充电电压。充电电压是3 H9 r& H9 L3 w3 H" k6 B
采集XL4016 输出端的电压,当电压大于24V 时,断开充电模式。充电电流同XL4016
4 H0 M8 z( N8 O反馈的电流信号,在单片机内部换算并显示。
# B  A3 @& P  {) ~' Z) f4 v) e2.2 控制方法分析
* `) R$ ~$ ^+ g8 l# S" vUC3843 是高性能固定频率电流模式控制器,电压负反馈均衡控制,每周期由斜波
) l4 q) ^" N' I2 F; H# y7 Y8 v电流峰值关断。UC3843 的振荡频率由RT/CT 引脚接的电阻电容决定,系统的开关频率
* p/ r( s* s# f9 ]" Q9 b. E为f=1.8(RT*CT )=60KHz。PWM 以60 KHz 的频率控制开关管的导通截止,电感L! H+ M! x0 j" S4 R* D! `8 Y$ }
储存并释放能量。PWM 的占空比越大,开关管的导通时间越长,电感存储的能量越大;
* q" H; w' v$ t相反电感存储的能量越小。+ N5 O( W6 F  @5 u. W, d0 @
稳压过程有两个闭环系统来控制,分别是恒压输出和过流保护。0 w9 }: q( K; V. ~' |
恒压输出:在输出端通过电阻分压采集比例电压信号, 经电压误差比较器后平滑滤3 a: l( f+ C+ t" w/ E2 F; k9 F
波。积分器的电容大小影响系统的调节速度,即影响指标中输出的动态响应时间。当采
& j; z( W' B: w0 E* K1 R3
: j" E9 \6 Q; Z; O' {集的电压小于内部2.5V 基准电压,使PWM 调节器的输出脉宽增加,从而影响输出电
( o1 l$ z! Y$ P/ o( G8 B压调节幅度。
: u6 x5 f" b* E9 U- ?# |2.3 升压、降压电路参数计算
5 j. p! q7 Z. Y# _  q, L2.3.1 元件选取
  b- a$ P3 r8 [$ F, ]: o( N1.MOS 管的选取) V$ g, m" X. f# O, y
根据主电路中的工作电压及电流,结合MOS 管的耐压、耐流及损耗性能,电力晶6 o9 T" j% g) A) Y2 V
体管耐压高,且开关损耗大,适合工作频率比较低的场合,电力场效应管耐压比较低,  W! I- v- J: b: g7 D
但是开关损耗小,适合频率比较高的工作场合。根据这里的情况,我们选用了。考虑到
* h" L% X' l- ]1 d# [$ A实际电压电流尖峰和冲击, 电压电流耐量分别取2.5和2 倍裕量,即应选取耐压高于40V,: a. y. l4 X% H. J) h: \
最大电流33A。实际选用IRF540 型MOS 管。
2 D/ ^: L* Y& t$ _1 i4 c4 N! z7 B1 M/ |4 P$ f
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8 I4 C# {+ ^- O1 x% P6 t6 l5 r

$ p. l& a5 W+ M, _( D: t# {6 d
* M, n' q: B9 L& s7 P' a/ R2 Q0 q

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发表于 2020-4-24 11:39 | 只看该作者
好好学习一下
6 \$ A; b( c: o, @7 [8 D

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发表于 2021-12-30 18:47 | 只看该作者
学习学习

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发表于 2022-1-13 23:57 | 只看该作者
好好休息

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值得学习

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