电力电子器件试卷

Diabloa

电力电子器件试卷

* Q) ]6 _. O( n/ M

填空题：
　　1.电力电子器件一般工作在________状态。
. ]* {: k$ \2 ^- J" ?　　2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
/ G. d& d$ N# E# y　　3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、 ________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
0 C" V5 Y5 V4 @9 n9 {2 q　　4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、 ________ 、________三类。
　　5.电力二极管的工作特性可概括为________。
　　6.电力二极管的主要类型有________、________、 ________。
　　7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
　　8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。
　　9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。
$ V) H4 v" Y0 a* q5 \　　10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。
　　11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
& j- A  J0 D! a5 m　　12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
. d& q- `2 ~! m! |3 J3 r, Y　　13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。
( ^& S. J) b5 W5 f6 n. K　　14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
; c( E' Q+ Y! K: D: b0 h  B3 g　　15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
" e2 h0 V( t/ c% Y: d1 m( X- a! \　　16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
6 q6 M# c  `( M. c　　17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
( W# V* t- l8 B% m. A% a2 Q　　18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。
& a. z/ k2 e) V  P# m　　19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
　　20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
　　21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护 。
2 L! Q( [, Q" h" P( E　　22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
" Z3 {: r/ K4 \1 a" G: F9 {　　23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。
6 X+ @" @8 Y/ ]7 `7 F　　24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。
% D6 j9 x( v) B; v- k1 z, o" b　　25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。
/ \! R3 t0 a2 c8 G- O1 l# i" l0 v简答题：
　　26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？
　　27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的重要意义？

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        28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常量，为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低？
2 W( s# L: X: d, ^: k" ~: ]8 W　　29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲？这与它们的单相导电性能是否矛盾？这种反向电流在电路使用中会带来什么问题？
　　30.使晶闸管导通的条件是什么？
　　31.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
　　32.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
, s! Z0 f' f3 W/ j: r# R( D: y+ Z. \! u　　33.GTR的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR带电感性负载时，如果不接二极管VD会产生什么问题？有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢？

　　34.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？
+ r9 m8 s, ^) }! O- q# P　　35.晶闸管的触发电路有哪些要求？
　　36.GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？
- b% O  d5 f$ g1 I) p. t　　37.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
　　38.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各组件的作用。
# q8 N) \5 V# a- ~3 \7 U) A+ N　　39.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
  k' F$ `/ @7 D4 A, v. T计算题：
* K6 l9 [$ P( j. o# p! P# }　　40.晶闸管在单相正弦有效值电压220V时工作,若考虑晶闸管的安全裕量,其电压定额应选多大 ?

41.流经晶闸管的电流波形如题图1－41所示。试计算电流波形的平均值、有效值及波形系数。若取安全裕量为2，问额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少？

2 z# \% c. C" E

42.在题图1-42电路中，E＝50V，R＝0.5W,L＝0.5H，晶闸管擎住电流为15mA。要使晶闸管导通，门极触发脉冲宽度至少应为多少？

9 d5 v0 p1 ?5 g5 i　　43.题图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

　　44.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、 Im3各为多少 ?

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各位大侠，到了各显身手的时候了，
1~5题答案如下，请大家接龙：
9 O9 R5 ^2 F" u1、开关；
6 |4 ~# {! K5 Q2 P6 {$ f( x2、通态损耗，开关损耗；
3、控制电路、驱动电路、电力电子器件，保护电路；
% y" m' B2 E) w% _$ H; i8 \1 M, p4、单极型、双极型、复合型；
5、正向导通，反向阻断；
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重阳

6、普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管；7、小于；8丶正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止；9、大于；10、大于