TA的每日心情 | 奋斗 2022-4-26 15:14 |
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签到天数: 152 天 [LV.7]常住居民III
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本帖最后由 colin_fa 于 2020-2-8 17:10 编辑
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9 v+ v8 T& ]1 L% `& w在huawei 2009~2011年接口二次电源产品时,SO3*4,还有后来2017~2018年接口逆变器时SO8*8的QFN封装Mos的失效是令我记忆深刻的,各种自己内部的分析、厂家的分析,各种会议、各种排除法的验证跟线、C-SAM、剖面... $ @8 L' D( a7 d, t, B
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当时在觉得烦的同时,反复的实践,对QFN印象深刻,任何事物都是一分为二的:
5 @* E) u; F: y# M5 h1、QFN有点是占板面积小,尤其是在数量较多或阵列话布局时,比LF-pak、D2Pak节省面积至少20%;
, _4 Z% o" m) o9 Z( h7 q; N0 x( {2、在PCB表层铜厚<2OZ时,在焊接、温度循环时,器件内部的内框架容易受到机械应力而拉断,在上电工作时容易发生烧板;
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