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6 [: g1 G1 f1 p' Z O4 c7 K( P( M 摘要:针对氮化稼高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于 GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法,该算法 在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过加肠t-lab编程实现后计算结果表明,仿真与实则S参数在。,1-40 GHz频率范围内吻合良好。% Z$ t' ~- N$ `4 ?! \1 Z" c
7 u8 _+ X& f: e9 }0 Q, E; n关键词:GaN HEMT;小信号建模;宽带;参数提取;迭代0 ?! `5 m/ B4 G8 l