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其实你可以打开一个ibis模型
. x6 \' \4 S+ ]1 C% q2 u查看一个IO buffer的[Ramp]波形
) Q# u+ x" @: V/ q; j7 G你会发现有三个波形,对应这里的Typ、min、max2 m4 {# _; ^* ]5 `# O' l
它的dV值是不同的,因为三根曲线的幅值就不同6 X3 o# x" q/ X0 _, _
所以它的20%~80%电压就不同/ G& |5 K* N4 h O8 @
当然三根曲线的斜率也不同1 k/ }2 ?4 l' K: B- o6 _% C. }5 y
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]() ) J# c7 b' w- }: @6 }8 i
谢谢这位兄弟,我对这个参数是这样理解,不知对不对& b4 K; m' {9 W# G" H" _, E1 H7 R
从[Ramp]参数可以得到四个信息:tr(20%-80%);压摆率;输出电压稳态值;buffer的输出阻抗信息。, O N. n( `( k( g$ h
buffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压,因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同,因此稳态值也不同,从而dV=(20%-80%)*稳态值也不同。
5 F$ {+ E( u1 | ~2 L$ o4 |) V这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。2 r7 W/ k4 z& L5 t4 I
; l! S6 f. e$ X; h* P/ j/ {
下面是IBIS spec中[Ramp]的说明,
3 ^, U! ^8 ~% O$ g( ^ @8 H
" d6 }. E2 `3 `Keyword: [Ramp]! P! R7 ^- L- u( q
=======================================================
5 L" T; E% H& s| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch: m+ Q2 H' ^* h' k3 k. M
| model types
" G6 K, W' @0 O. Z: F% [| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate
: z/ J6 _# _7 k% t+ D* N1 @| does not include packaging but does include the effects of the! T3 `2 i; Z0 R/ s" @
| C_comp or C_comp_* parameters.3 M6 D6 c9 N2 Z9 Z' @& Z
| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load$ c9 m- b Y" l6 W w
| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the$ ?) t9 U5 w/ j4 [: N% X) P
| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp$ m r @( o9 o4 W8 ~. D1 r4 A
| rate is defined as:
/ s ~2 v# x0 i3 f+ g5 _|% c% R% c5 G- i% r2 L) N
| dV 20% to 80% voltage swing- ^, u4 l {9 s Z
| -- = ----------------------------------------$ S/ s* d# Y, e
| dt Time it takes to swing the above voltage |
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