SIWAVE仿真讨论：PI仿真流程问题与疑惑！

mengzhuhao

4 C5 O+ A0 W  Q9 x& G2 `
在进行PI仿真的时候，首先导入PCB文件
" a2 _0 S  a! r$ I* y" S, ~' C这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉

7 s0 b2 T* N! a) h* s) Q$ p' E0 b在电源网络的各个端口设置S参数探针
1 ~7 Q, r  ~7 X! v直接进行S参数仿真，查看Z曲线，看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势

找出阻抗峰值点的频率
: g" H. w0 p, F
这个时候再进行裸板谐振仿真
! D+ |* X: Y/ N, _# W6 x# [找出谐振幅度最大最小的地方
4 L9 Z3 A# `. q2 R+ D
5 T& R% ]% o& \1 c& O! a3 \这个时候的一个疑惑是：在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上！那加电容的对策应该如何考虑？

加入像我下图中，在412mhz的地方出现一个较大阻抗，差不多20欧姆，但是谐振仿真出来是3个频段，没有包含那个

他们之间有什么关系吗？还是一点关系都没有？

裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振，是带默认激励源吗？这个激励源应该如何理解？

# A$ ?1 h- E" H0 j/ a5 A% b8 V) W6 r见一些资料说，这个仿真意义不大，需要加激励源仿真，那么这个激励远加在什么样的网络上？在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层？还是继续使用vcc层与gnd层？

mengzhuhao

是不是可以这样理解：
. d  L6 ^3 n% G* o0 V( r3 @! n例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候，提示有个参考阻抗，这个地方我
' u- {6 z- v8 e; H. ?/ G! ~$ b应该如何填？默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样)
这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了

" u+ Z7 U  r! }2 z- n: _6 n从计算出来的Z曲线可以看出，在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上，在224mhz的地
- o1 q2 }( B' f( F- r方出现一个最低值，然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆，并呈上升趋势，在4
21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆
* ^! [. l8 O  n4 N4 U
在裸板的谐振分析发现，不加探针的时候只有2个点，加上就出现3个点
; j- `; Q8 |/ ~7 M) i6 ^% S- t分别在505mhz，788mhz与1.132ghz那

9 `. U* h  U; B6 q4 Z那么实际的情况是：因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下，那么加对策的时候是不是这样
的，看看505mhz的时候谐振区域在那，在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域，如果
: r2 v* j7 j4 @+ v4 g+ T" O在就加上一组电容，既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况

0 q0 \$ {4 |6 G3 |2 A8 L0 W这样的理解对吗？

forevercgh

VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm
S参数主要看下插损和回损，当然看Z曲线也行，S<==>Z 可以通过相互转换

lpch8

根据siwave的参考资料，至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真，因此，需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中，这样你的谐振点才可能是准确的，否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见！

zhouweitf

作谐振仿真应该加电容模型吧，要不所有的电容都是理想的，做出来的结果没有意义吧？

taybi

这个不懂,听大家继续讨论

grant6168

使用siwave出现下图所示问题，仿真菜单中只显示上面两项，其他都是灰色，哪位高手能帮忙解答一下，先谢谢了