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本帖最后由 jacky401 于 2019-5-16 06:31 编辑 7 d( z9 F8 m0 C5 C( Z5 P, t
2 d4 f7 g+ U: K+ f一、概念：9 _3 M0 z& i) P( R# F3 H
TVS（Transient Voltage Suppressor）即为“瞬态电压抑制”。瞬态电压通常表现为浪涌、直接或间接的雷击，电压从几伏到几十千伏甚至更高，典型的雷击浪涌峰值电流达3000A,时间20us。 n0 i, {& [5 M
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ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。其中主要应用是HBM 和 MM，简单说就是人或者设备对器件放电（静电），但是器件不能损坏。( X" w. V' |3 ?3 ^- H: x& z
1）典型的HBM CLASS 1C模型，规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
) w/ m \7 F' [8 h3 [2 ^2 { 2）MM模型，要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
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5 R* C/ `5 j9 F) N6 L1 l% M二、器件：8 e, K+ d2 M: u) z) O
TVS管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。+ O m9 i M- a; B4 }! I( m
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ESD静电保护器件有两种元件，一种是硅基材料的，一种是高分子材料的， 两者工作原理不一样。 硅基材料的原理和TVS管差不多，先钳位高电压，然后泄放电到地。高分子材料寿命较短，如压敏电阻采用物理吸收原理，每经过一次ESD事件，材料就会受到一定物理损伤，形成永久性的漏电通道。
: q$ q2 C1 U8 B2 A% \* e) U/ o2 O* T
1 P, `: Z% O( a6 L# O+ r) `7 V TVS/ESD器件，一种同时具备TVS功能和ESD功能的器件。TVS是采用的半导体钳位原理，在经历ESD事件时，瞬间将能量传递出去，对器件材料本身并无影响。参见：https://wenku.baidu.com/view/2ad ... ?sxts=15579146813483 _7 Z. j: D! o* E/ o8 m
. Q% U# E+ C) M& t5 H三、ESD教材( n. u) N1 m4 ~9 ~
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发表于 2019-5-15 23:08
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