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本帖最后由 jacky401 于 2019-5-16 06:31 编辑
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一、概念：
2 f, a, l! q( e+ f" U TVS（Transient Voltage Suppressor）即为“瞬态电压抑制”。瞬态电压通常表现为浪涌、直接或间接的雷击，电压从几伏到几十千伏甚至更高，典型的雷击浪涌峰值电流达3000A,时间20us。
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ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。其中主要应用是HBM 和 MM，简单说就是人或者设备对器件放电（静电），但是器件不能损坏。9 k, x" L5 C; s- C3 ~: T( H2 ]5 v+ w
1）典型的HBM CLASS 1C模型，规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
% b$ c/ L. {/ F5 U7 P+ q( P 2）MM模型，要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns & q& i7 D* h! B- I
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二、器件：( U3 K! j9 b/ l6 L4 h* n6 ?4 a
TVS管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。# Y5 `# V. J$ X E( E
2 b; ^- ~& o+ {0 c/ y! h/ B ESD静电保护器件有两种元件，一种是硅基材料的，一种是高分子材料的， 两者工作原理不一样。 硅基材料的原理和TVS管差不多，先钳位高电压，然后泄放电到地。高分子材料寿命较短，如压敏电阻采用物理吸收原理，每经过一次ESD事件，材料就会受到一定物理损伤，形成永久性的漏电通道。
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% p5 I2 l$ t6 E' ~9 D* | TVS/ESD器件，一种同时具备TVS功能和ESD功能的器件。TVS是采用的半导体钳位原理，在经历ESD事件时，瞬间将能量传递出去，对器件材料本身并无影响。参见：https://wenku.baidu.com/view/2ad ... ?sxts=1557914681348
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三、ESD教材
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发表于 2019-5-15 23:08
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