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求教,FPGA引出来的DDR4读写错误,帮忙分析一下!

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    2022-4-7 15:32
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    [LV.4]偶尔看看III

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    1#
    发表于 2019-3-26 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    总体情况:我们用FPGA挂了2通道的DDR4,读写出错,具体情况如下:
    7 l' `8 g+ \1 s" d: M
    - e  u+ q# g7 i2 P$ j- U1、使用的是Xilinx的KU040,引出来了2个通道的DDR4,每个通道位宽是32位,每个通道由2颗x16的DDR4颗粒组成,fly-by拓扑,设计的运行频率是2133;
    ) k0 Y0 j; j9 W! n( q" v2、bank47、48组成CH0,bank67、68组成CH1,PCB图中,右边的两个颗粒是CH0,左边的两个颗粒是CH1;; \% W3 S" T" R. o
    3、现在出现的问题是读写出错,往DDR颗粒中写满数据,再读出来,与写入的进行对比,发现错误;
    4 s- a* v6 R- }  F9 r4、测试的情况是,测了3块板子,3块板子的CH0都出错,有1块板子的CH1出错,2块没有错(这些测试结果,每个CH都是基于32位位宽进行测试);' c3 P0 I1 u) Q& `
    5、重点来了,我们在逻辑程序里,把每个通道高16位的颗粒的DQ/DQS/DM信号禁掉,因为是fly-by,ADDR/CMD/CTRL禁不了,这种情况下,测试所有的板子、通道都没问题;
    * l3 E7 k3 e( s  Y* x2 I6、我们反过来把低16位的颗粒数据信号禁掉,只保留高16位的颗粒,测试有错,错误的现象、错误个数的数量级跟之前32位都测的时候基本一致;! y& A* U, r8 T( b0 k4 V' L

    2 f8 D$ T8 E4 v+ m$ m* \综上,帮忙分析一下可能的原因?谢谢了!4 O6 \# N. m) [+ n, w7 {

    ; L# v; h$ x* N% y! z4 ?1、我们曾经很怀疑逻辑程序的问题,但是说不通的是,CH1没错啊,而且我们试了用极为简单的语句去调用IP核,也会出错,而且用16位程序没出错;
    7 l' |5 Y$ ?0 \1 j# a2、我按照FPGA的资料,仔细检查了硬件设计,也没发现什么错误;4 ~7 H/ h" I9 l1 A, U

    5 I9 D- R* ], d' {/ g
    " ^0 Q8 n, p7 u0 M$ M
    ) I, _$ T5 y0 v' n
    # u  w) |" c* W2 x/ n
    6 Q; ]" w$ F) f3 X
    % P& ]$ ]  @* A* z, D
    ' M% U, k+ S- ^ 5 |' N0 X& {/ _' b: s

    5 K5 D/ W) E9 U- J! {, K, w3 S 4 B' e$ t& \% w/ L$ l

    & w& |" L3 n1 A
    ' Y9 ]) P8 j. g8 b4 u! x# _% P0 P# w  q
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    [LV.4]偶尔看看III

    来自 22#
     楼主| 发表于 2019-3-29 18:10 | 只看该作者
    xbin 发表于 2019-3-29 17:098 j; j3 @. t. m* a* C7 U
    尴尬了,第三点,看来还是硬件的问题呀。这锅你要背了。
    5 b; l+ T. g% b8 ]7 F& {+ E
    是啊,早就基本上指向硬件了,但是就是找不到硬件的问题点。1 [/ @' Y0 |: c6 V2 Y# _

    " @, o5 P/ r5 Y& u# D. o最新消息:
    ( X. }- P, ]& n6 T6 y  s- X( ~1、请看以下图一官方推荐的拓扑,地址/命令/控制线在外部有端接电阻上拉到0.6V-VTT,今天在其中一块板子上试了一种办法,就是把地址/命令/控制信号的外部端接电阻从39.2欧换成了49.9欧,然后这块板子没出问题了!!!!4 j; ?" e4 @* `' [
    2、图二是官方对于图一拓扑上各个走线区域的走线要求;
    / L. a) k* M2 W: c# G% {) _3、我想不通:
    0 l6 K, ^0 E  n( q# G8 v8 z3.1)、官方推荐的端接电阻是39.2,我就是按这个阻值做的,这个端接电阻怎么至于影响这么大,从来没见过DDR需要换这个端接电阻的;
    & O9 ^9 D: ?! q9 H, v3.2)、唯一比较合理地解释是,我主走线(控36欧姆)的区域,占总长的比例太小了,因为这个板子上,DDR颗粒距离主控芯片实在太近,除了两头BGA的fanout区域,能够正常控阻抗的区域实在太短了,现在从FPGA到第一个颗粒的长度,总长也就1700mil左右,两个颗粒之间的距离大概450mil,能控36欧姆的走线长度,有的信号上只有两三百mil,难道是这个原因,所以50欧姆的端接更匹配?
    $ G* }/ |: u3 U* A1 y
    6 s' C8 W4 F5 K6 a+ w
    # p. C* C# _. `8 K% t- ?# a5 p# Y
    $ ~8 M$ u/ b0 G4 j1 Q: R3 V1 z

    点评

    您好 我的板卡也遇到了一样的问题,终端匹配换成50欧后无错误的最高速率有提升,但是跑不到最高速,请问您找到问题原因了吗?  详情 回复 发表于 2020-10-20 18:23
    https://forums.xilinx.com/t5/Memory-Interfaces/Fly-by-ddr3-termination-value/td-p/809007 官方有个提问,说RTT影响DDR3使用频率。  详情 回复 发表于 2019-3-29 19:10
    参考设计用5个DDR,你这个用2个而已,是不是也和这个有差异。有没有高速示波器,可以看看Addr在RTT的信号怎么样,说不定之前过冲下冲严重导致异常?  详情 回复 发表于 2019-3-29 18:56
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    [LV.4]偶尔看看III

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     楼主| 发表于 2019-3-29 10:52 | 只看该作者
    本帖最后由 gavinhuang 于 2019-3-29 11:02 编辑
    & b0 O3 |$ D( m: E( z
    xbin 发表于 2019-3-28 13:24
    % J) `$ z4 m: s/ C降到1600有改善,不是说明和信号完整性有关吗?FPGA和DDR芯片底下电源正常吗

    & k7 K3 `, J% i# r1、本来FPGA内部就能自动调整DQ、DQ是的读写时序,能够调整的幅度多达75ps,再看下面的第一张图,从2133降到,1600,时序的裕量又多了78ps,这两个裕量加起来,至少150ps;, n: K( L- k1 ]- O/ d( ^

    ; J) ^4 `6 b; V1 {2、看下面的第二张图,地址控制线这些信号,从2133降到1600的情况下,时间裕量多了124ps;" G. G" i1 }% ~5 Y

    ( f8 `2 ?6 [/ ]我以前做过3年多的SI,后来转行做硬件,现在原理图、PCB都是自己画的,虽然SI方面的知识也很有限,但是我画PCB的时候已经尽量按照我的SI方面的知识去画了,我自认为一般需要关注的点我都注意到了,我实在不相信我画的这个板子连1600都跑不了,而且用的这颗FPGA,IP核配置的时候,最低也只能配到1600了。
    % A: x% N. j0 b6 @) n还有,禁掉高位颗粒,只留低位颗粒的情况下,跑2133完全没问题。! m5 e" V6 g. Q

    * J2 Y- T: J/ H/ z. n$ l! k 8 S$ S# x# m+ Q# d; f

    - B* q  U3 }$ D+ ?3 l4 A% e/ k' s: }% B' n+ `
    $ f& ^; H# L7 `  C4 r! n# L

    点评

    1. 原理设计这块,官方有参考设计吗,有没有不一致的? 2. 芯片底下电源正常吗 3. 有没有官方的demo板,让FPGA跑跑看,有没有bug?  详情 回复 发表于 2019-3-29 16:41
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    2022-4-7 15:32
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     楼主| 发表于 2019-3-27 21:35 | 只看该作者
    gabbana0529 发表于 2019-3-27 11:13
    9 G; J6 ]! b# r/ |, D看layout高速线换参考层有没有补电容或是打via孔. 等线长检查. 用频谱看2.5G附近有无干扰. 确认公板有无一 ...

    7 k, t$ ?1 q0 l) `谢谢回答。. Z7 w  F; t. W  }7 |! D% V/ p
    没有换参考层,数据和地址都参考的是GND;$ m) t0 U! \+ l( i1 \3 I5 R) Y9 [
    等长检查了没问题;: _" l* a( C- I2 T3 t
    2.5G的频谱暂时没办法看;
    - L7 ~! ^9 M- \2 w我们这个PCB跟xilinx的开发板差异大,不太具有对比性,不过原理方面确实是参考了开发板,开发板肯定没问题啊;& g* y- w; s1 z+ O, N( B
    从2133降频至1600有改善,但是还是有错,我觉得降到1600了,时序、信号质量方面的余量应该很充足了,不应该再出错了才对,所以我倾向于不是信号完整性方面的问题。
    % a5 y/ P" J# d' R2 k6 j# D) O% k' ~8 Q  \0 K3 u2 t. A
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    奋斗
    2021-3-10 15:58
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    [LV.3]偶尔看看II

    2#
    发表于 2019-3-26 18:53 | 只看该作者
    能否降频使用,降频低16位有没有出错

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-3-27 11:13 | 只看该作者
    看layout高速线换参考层有没有补电容或是打via孔. 等线长检查. 用频谱看2.5G附近有无干扰. 确认公板有无一样问题. 改bootstrap降外频测试.

    点评

    谢谢回答。 没有换参考层,数据和地址都参考的是GND; 等长检查了没问题; 2.5G的频谱暂时没办法看; 我们这个PCB跟xilinx的开发板差异大,不太具有对比性,不过原理方面确实是参考了开发板,开发板肯定没问题啊  详情 回复 发表于 2019-3-27 21:35

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-3-27 11:30 | 只看该作者
    还是降频看看能稳定不,不能稳定的话基本也不太可能是layout的问题。

    点评

    谢谢回答。 从2133降频至1600有改善,但是还是有错,我觉得降到1600了,时序、信号质量方面的余量应该很充足了,不应该再出错了才对,所以我倾向于不是信号完整性方面的问题。  详情 回复 发表于 2019-3-27 21:36

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-3-27 13:47 | 只看该作者
    楼主有做过FPGA的DRAM Training吗?
    3 t' U( ]8 J  B! q4 P$ U# @

    点评

    谢谢回答。 我不知道您说的FPGA DRAM Training是啥意思?我们应该没做过,您能更加详细地说一下吗,谢谢了。  详情 回复 发表于 2019-3-27 21:38
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    2022-4-7 15:32
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    [LV.4]偶尔看看III

    7#
     楼主| 发表于 2019-3-27 21:16 | 只看该作者
    本帖最后由 gavinhuang 于 2019-3-27 21:26 编辑 - i& E2 Q4 F, O" @
    xbin 发表于 2019-3-26 18:53
      y4 \# [# }1 Y0 t$ K% x能否降频使用,降频低16位有没有出错
    0 @4 H" A5 J3 l
    谢谢回答。
    0 V. b$ ^- h' h+ D# l从2133降频至1600有改善,但是还是有错,我觉得降到1600了,时序、信号质量方面的余量应该很充足了,不应该再出错了才对,所以我倾向于不是信号完整性方面的问题。1 }( Q4 y! p+ w% Z) Q6 q4 f

    . W7 ^( Q  ~# f4 Q8 N) T
    " r' B! r! t* M; j如题目所说,禁掉高16位颗粒,只留低16位的颗粒的时候,完全没错,运行频率是2133都没错;6 d' ]7 }# R* b8 L) V
    然而反过来,禁掉低16位颗粒,只留高16位颗粒的时候,依然有错,错误数量跟32位运行的时候是同一个数量级的。
    7 {7 i7 @0 L% ]6 ?& }

    点评

    降到1600有改善,不是说明和信号完整性有关吗?FPGA和DDR芯片底下电源正常吗  详情 回复 发表于 2019-3-28 13:24
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    2022-4-7 15:32
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    9#
     楼主| 发表于 2019-3-27 21:36 | 只看该作者
    bluskly 发表于 2019-3-27 11:30; j6 w* g/ H# s( `
    还是降频看看能稳定不,不能稳定的话基本也不太可能是layout的问题。
    9 C/ X  }; g2 W2 f7 U
    谢谢回答。
    , {5 S3 c0 D. w9 x从2133降频至1600有改善,但是还是有错,我觉得降到1600了,时序、信号质量方面的余量应该很充足了,不应该再出错了才对,所以我倾向于不是信号完整性方面的问题。- {' o( q/ }6 X( O$ [8 M
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    [LV.4]偶尔看看III

    10#
     楼主| 发表于 2019-3-27 21:38 | 只看该作者
    Frank9523 发表于 2019-3-27 13:47! s+ H" d2 V  U9 \  G2 ]3 Y4 b" o5 G  K
    楼主有做过FPGA的DRAM Training吗?

    % X3 C4 @9 I7 L1 _  ^0 h9 r谢谢回答。
      H( y' w$ M4 L: l我不知道您说的FPGA DRAM Training是啥意思?我们应该没做过,您能更加详细地说一下吗,谢谢了。
    & G& {) f$ {- n% D8 C

    点评

    就是根据你布板的走线长度,计算出板间延时参数。xilinx可以进行training algorithms。之前在zynq平台遇到过类似的问题,就通过修改板间延时参数解决的。你可以看下下面这个链接。https://www.xilinx.com/support/an  详情 回复 发表于 2019-3-28 08:54

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-3-28 08:54 | 只看该作者
    gavinhuang 发表于 2019-3-27 21:38
    . Y/ o8 z0 U( B' O5 Q: {: f谢谢回答。8 a- [: A9 r' _, q2 [
    我不知道您说的FPGA DRAM Training是啥意思?我们应该没做过,您能更加详细地说一下吗,谢谢 ...

    $ M/ H. `: S" ]就是根据你布板的走线长度,计算出板间延时参数。xilinx可以进行training algorithms。之前在zynq平台遇到过类似的问题,就通过修改板间延时参数解决的。你可以看下下面这个链接。https://www.xilinx.com/support/answers/46778.html/ |- b5 _& I9 A+ G0 P9 R+ f
    ) W" a. |. [+ _. l4 B2 Q

    8 t) b7 n$ t( q# h8 z) @: x) X4 }& p

    % d' R: G. E+ _$ P$ b, x

    点评

    谢谢。我们布板的时候已经考虑封装的延时进行等长了,等长方面应该没问题。你发的那个链接,我看了一下,只针对于Zynq系列的器件,我们用的KU系列,没有这个东西。  详情 回复 发表于 2019-3-28 09:59
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    2022-4-7 15:32
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    [LV.4]偶尔看看III

    12#
     楼主| 发表于 2019-3-28 09:59 | 只看该作者
    Frank9523 发表于 2019-3-28 08:54; r1 {5 H  O* y( B; u( m  B6 l
    就是根据你布板的走线长度,计算出板间延时参数。xilinx可以进行training algorithms。之前在zynq平台遇 ...

    7 I/ q! }9 h& h! c0 j) E2 s谢谢。我们布板的时候已经考虑封装的延时进行等长了,等长方面应该没问题。你发的那个链接,我看了一下,只针对于Zynq系列的器件,我们用的KU系列,没有这个东西。7 `5 Z4 `& T' E: g) {5 I8 O* F! O: n
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    奋斗
    2021-3-10 15:58
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    13#
    发表于 2019-3-28 13:24 | 只看该作者
    gavinhuang 发表于 2019-3-27 21:16
    # Q8 z, a: w, j9 f5 ?; Q谢谢回答。! z9 M6 m2 o1 ^, t. c
    从2133降频至1600有改善,但是还是有错,我觉得降到1600了,时序、信号质量方面的余量应该很 ...
    & s1 \. A/ H% q' x& j
    降到1600有改善,不是说明和信号完整性有关吗?FPGA和DDR芯片底下电源正常吗
    * P, R* Z% j0 V9 f8 f3 Z/ o4 `

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    14#
    发表于 2019-3-28 17:32 | 只看该作者
    低位没问题,高位没问题,是不是因为fly-by要不同颗粒DQ要对齐?FPGA不知道是怎么玩的,CPU类的是自动校准,计算到每个颗粒的延时然后自己设置好寄存器。你问下FPGA的看看。

    点评

    谢谢回答。 你说的不同颗粒DQ对齐是什么意思呢?现在我们低位颗粒上的数据是DQ0-15,高位颗粒是DQ16-31,不知道你说的是不是这个意思。 我一直在怀疑是不是FPGA的哪些设置没打开,但是让FPGA逻辑工程师确认了,  详情 回复 发表于 2019-3-29 11:11
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