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这个做开关电路有没有问题

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1#
发表于 2019-3-5 11:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个做开关电路有没有问题
+ E# S% b+ z$ E. U

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 楼主| 发表于 2019-3-7 09:47 | 只看该作者
niuth 发表于 2019-3-6 12:32- D2 l8 ?8 E7 T/ P" K1 Q
MOS管导通后,会造成栅源控制电压消失,器件自身会反复断开和导通,是这种设计思想吗?

- l! B5 r  j+ p  W现在SPI1_MOSI是PMOS输入有3.3V 。  我想实现NPN三极管IO口高电平导通,PMOS G极低电平导通,SPI1_MOSI拉低,现在这个电路拉不低
* U" p7 A  |* s/ W  z8 M

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发表于 2019-3-20 10:38 | 只看该作者
楼主的图在于虽然PMOS在NPN三极管导通情况下,G极被拉低实现了VGS<0,满足PMOS导通的条件;但一旦PMOS导通,S极会被拉到D极电位(也即拉低),此时VGS约为0,不满足PMOS导通条件,又关断了;8 W, F; X* z7 u, D/ T/ u1 `8 T2 ]
21#的图可实现楼主想要的功能;

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 楼主| 发表于 2019-3-8 10:43 | 只看该作者
KOGBOYQQ 发表于 2019-3-7 16:58
. y2 T$ ~9 H1 e4 x* s+ F你的電路P4_0,LOW的時候Q3 pin2-3.3V,pin3-0V
; i9 {/ [$ l0 d2 g0 u- F  i  W1 LP4_0 high的時候Q3 pin-3.3V, pin3-3.3V  6 z0 S! \. t0 }
是嗎?
4 ^% m2 H% K3 I* E
P4_0是单片机给高,NPN导通,PMOS G极变低,我想实现PMOS输入脚拉低0 D9 }2 B1 D' L$ K

& M: _6 a+ }2 o

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2#
发表于 2019-3-5 20:44 | 只看该作者
我感觉有问题,
( s6 `: }$ C$ M4 {2 I5 j) W第一,应该用NMOS
/ t( q( d  m9 }5 @5 B第二,mos接反了,按现在的接法,信号一直都是通的,由左向右
4 a6 M5 R4 G! F5 O' J7 m

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3#
 楼主| 发表于 2019-3-6 09:17 | 只看该作者
现在P4_0 IO口给高MMBT2222打开后,SPI1不能拉低
9 `7 i1 K) B' J' C' a) V; R

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4#
发表于 2019-3-6 10:46 | 只看该作者
去掉两个管子中间的那个10K电阻就可以了

点评

不行  详情 回复 发表于 2019-3-7 09:43
  • TA的每日心情
    开心
    2025-10-31 15:37
  • 签到天数: 1249 天

    [LV.10]以坛为家III

    5#
    发表于 2019-3-6 12:32 | 只看该作者
    MOS管导通后,会造成栅源控制电压消失,器件自身会反复断开和导通,是这种设计思想吗?

    点评

    现在SPI1_MOSI是PMOS输入有3.3V 。 我想实现NPN三极管IO口高电平导通,PMOS G极低电平导通,SPI1_MOSI拉低,现在这个电路拉不低  详情 回复 发表于 2019-3-7 09:47

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-3-6 14:02 | 只看该作者
    这种电路主要用于电源的开关,你可以先说一下你的功能需求。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-3-4 15:38
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2019-3-6 14:06 | 只看该作者
    SPI1_MOSI应该为源端输入,off-page方向有问题。查看AO3423 Pmos的导通VGS为多少,测量一下。看这电路感觉当Q4导通后,G端电压分压了S端,确定是否能满足导通条件吧。

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2019-3-6 15:56 | 只看该作者
    P4_0 IO口给高电平三极管导通,我想实现SPI1_MOSI 三极管导通后拉低。SPI1_MOSI 是VCC输入,

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-3-6 17:18 | 只看该作者
    1、很明显没有用,不管输入如何变,输出都是低;
    ! T) m2 O% h! X/ i" n. m/ R2、电路太复杂了,要考虑隔离,一个电阻,一个二极管就可以了。) F* K+ j9 |) n  z
  • TA的每日心情
    开心
    2025-10-31 15:03
  • 签到天数: 1074 天

    [LV.10]以坛为家III

    11#
    发表于 2019-3-6 18:40 | 只看该作者
    1 P+ Z0 {. H: ]! M# R2 j) B% O! M# O, a

    : F6 E" A% L/ h8 h+ X! o# Q8 t如图把G极的电阻改一下接法就没问题了!) S+ }- J8 ^# G$ E/ w8 s

    点评

    我是想实现PMOS导通后输入会拉低  详情 回复 发表于 2019-3-7 09:10

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    12#
     楼主| 发表于 2019-3-7 09:10 | 只看该作者
    th2010-gc01 发表于 2019-3-6 18:40  e8 \0 E. R7 p5 i) P( n9 |7 z! A
    如图把G极的电阻改一下接法就没问题了!

    3 p/ J: _" t8 h0 J我是想实现PMOS导通后输入会拉低% L4 K+ B9 S; j; ~7 @0 d. ]$ S$ A

    点评

    那你输入要有电阻隔离才行!  详情 回复 发表于 2019-3-7 14:11

    该用户从未签到

    13#
     楼主| 发表于 2019-3-7 09:43 | 只看该作者
    shineysunwxy 发表于 2019-3-6 10:46
    % w% M! W3 [' {$ G0 `( E  {去掉两个管子中间的那个10K电阻就可以了

    9 W! ~' J" ?5 Q1 ]7 R% _2 f6 D不行$ z( B, n- F3 M; o  M
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