EMI 机壳屏蔽 —— 导电漆,电镀与真空溅镀的比较
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一般来讲,EMI防护是一个系统工程,从产品设计开发阶段即需要将EMI贯穿始终。但是,由于各个方面的原因,高频线路很难达到在PCB设计阶段即解决EMI问题,大多都需要通过对机壳进行屏蔽处理来达到防EMI效果。
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导电漆 (electric paint)
+ a6 Q2 b( Q0 v迄今为止,成功的导电漆都基于聚丙烯、聚氨脂、乙烯树脂或环氧树脂等衬底。导电漆都有适用期,而更重要的还有贮存期,后者典型的为6至12个月。所有这些漆都对塑料基底存在腐蚀作用,所以导电漆能穿透塑料并固定在孔缝中。九十年代的现代导电漆都有不同程度的胶粘性质,而以前由于缺乏胶粘性,经常产生导电漆剥落,甚至将印制板导电路径短路,而不完善的屏蔽所留下的缝隙将起缝隙天线的作用。所有基底表面应仔细清洁,清除油脂或其它污渍,轻
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度擦伤也将影响粘附力。
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0 L- R$ O- ]* Y" ]1 V电镀
' g, l% T" w0 u; R& j5 A( N无电解电镀(化学镀)' U( w$ U3 ]& N/ k8 c
化学镀的程序不应与常规的电镀混浠,电镀需要用直流电流使金属镀覆。化学镀或自动催化镀是化学镀覆均匀的固态金属涂层,它将减小零件表面的微电池反应。塑料的化学镀处理是在非导电塑料基材上产生薄金属涂层。通常选用复合镀,即镀铜(高导电性)再镀镍(防锈)。化学镀铜本质上是纯铜镀覆,而化学镀镍可包含3-10%磷。较差质量的模压制品和复杂形状的模压制品不适用于双侧处理:因为所有模压制品的高应力部分对化学反应都很敏感,所以较差质量的模压制品在化学腐蚀阶段就要发生破裂。化学镀与普通的电镀比较类似,同样存在严重的环保问题。
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真空溅镀 (EMI Sputter plating)
) m) x. ^7 E7 o* k1 g基本原理为将金属通过真空辉光放电沉积在塑料部件上,其主要优点是美观和显著的屏蔽性质膜层连续且非常致密。膜层为0.5~2μm厚,且相当均匀。
8 K+ ?! G2 y9 w* z( q' V3 g, c尼龙,聚芳基化物,聚酯,丙烯睛——丁二烯——苯乙烯三元共聚物,聚苯乙烯和聚碳酸酯很适合此种工艺。真空溅射整套设备的费用较贵,其尺寸大小将限制需要镀覆的部件的数量。而且保证平滑的金属涂层所用的夹具也将占用小室的空间。目前该核心技术主要掌握在几家国外大公司手中,尤其以德国技术水平最高。影响该生产工艺价格的主要因素有生产设备、生产工艺等方面,如能够进行国产化则价格可以相当低廉。
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通常,真空镀覆的涂层是均匀的,不影响塑料的冲击强度,也不影响其内部公差。这种处理能提供涂层的最佳选择,能屏蔽某些产品的重要区域而堵塞穿孔。能给出上至70dB抗扰度,并具有抗腐蚀性。该工艺是一种全新的完全环保制程,不存在任何环保问题。
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0 F" y1 X$ z$ H Q各种EMI处理方法的比较! m! W2 L& o* F% ^, V' S4 Y9 ?8 r
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EMI溅射镀膜的原理
+ |6 F- [7 {4 w5 p# }& |2 T1 H原理说明:
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, r# A d* n# I1. 在10-7 Torr 高度真空状态下,充入适量氩气;
3 i" D: {$ Q# @# P) K' i2. 施以高压直流电,将氩气电离成氩离子,加速撞击金
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属靶材,溅射出金属离子;
3 E5 k* W) k( M' r( R0 G3. 金属离子在电场中加速溅射在基材(塑壳)上,形成
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金属离子薄膜。
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EMI溅射镀膜的特点
: L; E2 h6 t4 f3 w7 o+ k# FA、EMI溅射镀膜具有以下特点:
7 g7 z! M6 B" @+ FB、价格低(国内拥有自主知识产权的话)。
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C、真空溅射加工的金属薄膜厚度只有0.5~2μm,绝对不影响装配。
' R: ~3 i; j) O$ dD、真空溅射是彻底的环保制程,绝对环保无污染。
( A3 ^/ I0 s* b4 e8 IE、欲溅射材料无限制, 任何常温固态导电金属及有机材料、
+ r2 G: h" s8 s) V, oF、绝缘材料皆可使用(例:铜、铬、银、金、不锈钢、铝、氧化矽SiO2等)。被溅射基材几无限制(ABS、PC、PP、PS、玻璃、陶瓷、epoxy resin等)。
, _% B) I# Z! Z2 P" ]G、膜质致密均匀、膜厚容易控制。
2 Y4 u Q$ q" ]) @; yH、附著力强(ASTM3599方法测试4B)。
5 V) J% v# f5 I/ \. x9 j0 T- DJ、可同时搭配多种不同溅射材料之多层膜。并且,可随客户指定变换镀层次序。
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真空溅镀EMI的应用范围
R$ G5 s8 b8 c真空溅镀EMI具有高导电性和高电磁屏蔽效率等特点,广泛应用于通讯制品(移动电话)、电脑(笔记本)、便携式电子产品、消费电子、网络硬件(服务器等)、医疗仪器、家用电子产品和航空航天及国防等电子设备的EMI屏蔽。
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* t$ L* ^' ^) q: p* _) }" QChassis 测量分类
" L& V6 u' @. R3 f; S! A" y完整溅镀区域的阻抗:0.05Ω
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: F" K( m- T0 q% {" f9 f5 b9 Q溅镀区域与其他材质区域的连接阻抗:0.5Ω
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溅镀区域与其他材质区域的连接阻抗:0.5Ω
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" |: t3 B; i# T溅镀平面与BOSS间的阻抗:约为0.5Ω
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1 y2 u) R0 ~9 m- _, h( jElectric Paint (top)
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6 Q5 r: l+ ?1 x) v% b" gElectric Paint (bottom)
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4 A. S7 I7 x) G8 m8 UEMI sputter plating (top)
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LCD COVER 阻值SPE:
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平面对角 5Ω以下
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TOP 阻值SPEC(暂定):
# p! e8 u2 H9 B7 S平面对角5Ω以下;
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bottom 阻值SPEC(暂定):平面对
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角 5Ω以下
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