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DDR3与DDR4LAYOUT设计上的区别

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-10-28 15:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2019-1-22 08:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    还未接触过DDR4,在LAYOUT颗粒设计中,布局布线上DDR3与DDR4有没有区别?有哪些区别?/ h* @) ^! a/ X! |
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    2#
    发表于 2019-1-22 16:17 | 只看该作者
    物理上没多大区别,电气上就是电压更低了,等长更严格了。

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-1-22 17:00 | 只看该作者
    感觉对线间距要求也更大了

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-1-22 17:04 | 只看该作者
    走线阻抗要求不太一样,对信号完整性要求更高,都能用FLY-BY
  • TA的每日心情

    2019-11-19 16:04
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    6#
    发表于 2019-2-12 15:59 | 只看该作者
    1.速率更快,电压更低2 w" }* D& b2 I* c
    2.等长要求更严格* e/ H5 W2 l* o
    3.自己设计的做的圆弧,具体也不清楚有多大好处,没有仿真。

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-2-13 11:16 | 只看该作者
    楼主问的是颗粒设计,不是PCB设计吧。  一群水友

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-2-21 08:50 | 只看该作者
    正需要DDR4的资料,求讲解
  • TA的每日心情
    郁闷
    2023-8-16 15:55
  • 签到天数: 85 天

    [LV.6]常住居民II

    15#
    发表于 2022-5-6 13:25 | 只看该作者
    主要看你的PCB叠层。基本规则类似,组间距、现场匹配......
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