开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析

Diabloa

开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析

中心议题： 开关电源中的电磁干扰 MOSFET的漏源极电压特征参数的确定 开关信号电磁干扰的频谱情况及各参数对频谱的影响 1引言 ; y* D7 C5 U& f  ] 0 p/ B# M' S7 i, ~开关电源是目前用途非常广泛的一种电源设备，然而随着开关频率以及开关速度的不断提高，产生的电磁干扰越来越大，由于市场准入制度的实施，电磁干扰研究已引起了足够的重视。干扰源是电磁干扰的三要素之一，是电磁干扰研究的重要部分，文献[1~2]对干扰源进行了说明和描述，还有些学者对抑制干扰源发射的方法和干扰源的辐射进行了研究。本文从干扰源入手，对时域开关电压信号进行电磁干扰特性研究，通过提取MOSFET时域电压信号的特征参数，利用傅立叶变换(FFT)法，分析了开关信号电磁干扰的频谱情况以及各参数对频谱的影响，通过Matlab仿真证明了上述分析的正确性及工程实用性。由于FFT后频域信号的幅值差别较大，难以研究，因此本文在FFT后，进行了对数变换，这样既方便研究，又便于与实际进行对比。 游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

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