找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 515|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2019-1-20 01:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
开关电源MOSFET漏源极电压电磁干扰的仿真分析
& X+ j3 V. K0 f4 S
" n2 B# U& y% B4 N9 w$ L2 k, @2 ~
中心议题:
  • 开关电源中的电磁干扰
  • MOSFET的漏源极电压特征参数的确定
  • 开关信号电磁干扰的频谱情况及各参数对频谱的影响
    9 x8 u5 d. I9 T7 u1 x

3 G! z; J% C, u+ Y* f2 e) {" O0 v1引言
2 ?4 E6 m5 r/ i$ H  [6 h
% v; |8 f' ~% `" g  ~开关电源是目前用途非常广泛的一种电源设备,然而随着开关频率以及开关速度的不断提高,产生的电磁干扰越来越大,由于市场准入制度的实施,电磁干扰研究已引起了足够的重视。干扰源是电磁干扰的三要素之一,是电磁干扰研究的重要部分,文献[1~2]对干扰源进行了说明和描述,还有些学者对抑制干扰源发射的方法和干扰源的辐射进行了研究。本文从干扰源入手,对时域开关电压信号进行电磁干扰特性研究,通过提取MOSFET时域电压信号的特征参数,利用傅立叶变换(FFT)法,分析了开关信号电磁干扰的频谱情况以及各参数对频谱的影响,通过Matlab仿真证明了上述分析的正确性及工程实用性。由于FFT后频域信号的幅值差别较大,难以研究,因此本文在FFT后,进行了对数变换,这样既方便研究,又便于与实际进行对比。
6 y3 ^3 c  T% l  x5 u$ B2 Q1 m; }; d# Y: N
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复

! A& b5 c' k1 D) M

该用户从未签到

2#
发表于 2019-1-21 11:31 | 只看该作者
看看楼主怎么说的
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-6-11 20:13 , Processed in 0.093750 second(s), 26 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表