基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

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       本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。开关过程中，功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时，功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列，线性增加。米勒平台区对应着最大的负载电流。可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值。
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0 ~& m3 ]% N8 b4 L　　MOSFET的栅极电荷特性与开关过程

　　

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cat12620

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haiyun0921

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