阻抗匹配跟掏空？

fyq176017

问个问题，一般USB的差分线的阻抗是90欧姆，DDR的差分线的阻抗是75欧姆，据说这个阻抗难做得到，也可以通过掏空的方法来达到要求，请问这个掏空是在所有层都掏空呢？还是只是在参考层呢？按照我的理解，应该是只要在参考层就可以啦，因为主要是把它的回流面积给放大了来达到目的的，不知道是不是这样子？另外还有一个问题，天线的阻抗一般是50欧姆，为什么也需要掏空呢？这个掏空的作用又是什么呢？

chenhaikun

也想知道
3 b4 H3 P8 Y7 w( C* a0 G; E3 x5 u请高手出来指点

forevercgh

掏空实现阻抗控制？？？没听说过。
有见过的一些掏空操作，比如在RJ-45的变压器下面，这也是为了实现隔离。

天线掏空？不了解

fyq176017

不是天线，是DDR的时钟线。请再回答。

flyingwxj

DDR的时钟线是不可能被挖空的

liqiangln

其实我们常用的差分线是可以有参考层，这样阻抗好控制，并且还有回流平面，所以不是很建议掏空。但是有的时候天线，变压器下面为什么掏空呢，主要是担心地平面对变压器和天线造成耦合，并且天线的设计阻抗控制是完全利用电感，电阻，电容在上面搭建网络，通过斯密斯原图原理来设计。

GLANG

(⊙v⊙)嗯，不错的知识！

Vincent.M

问个问题，一般USB的差分线的阻抗是90欧姆，DDR的差分线的阻抗是75欧姆，据说这个阻抗难做得到，也可以通过掏空的方法来达到要求，请问这个掏空是在所有层都掏空呢？还是只是在参考层呢？按照我的理解，应该是只要在 ...
& S8 b5 F! s5 |2 ^- p+ }fyq176017 发表于 2009-4-2 13:04

! z+ V( K+ j) U6 I. f3 N- g# o差分线不建议用你所说的掏空操作：
% j, C" B3 R$ m( ?. C1、没有参考层阻抗不好控制
2、掏空信号的参考面或者其他回流路径，导致这部分差分线（微带或者带状线）完全成为共面带线，则边缘耦合增加，会极大的增加损耗。

tlmj206108

因为阻抗的大小与介质厚度和线宽有关系,而板厂能加工的最小线宽是有底限限制的,为了使线宽便于加工,有时需要调整介质厚度和介质材料.就有了掏空这种办法。常见于手机板这种密度比较大的板，一般的通讯产品，电子设备用得较少。

chenjf

大师们，太牛逼了

qiangqssong

楼主这个问题9楼正解，邻层掏空后，第三层即为走线的参考层；
+ M. A: N, N/ w* k另外对RF部分的掏空6楼说的对，一防止地平面耦合干扰RF器件或天线，另外还有9楼说的作用，增大走线的宽度，以利于板厂加工制造和增大走线对大功率信号的传输；

terryadsl

那差分线把旁边的铺铜掏空有什么用？？？

cwfang

terryadsl 发表于 2011-8-24 17:29
+ C$ q' |7 F6 u那差分线把旁边的铺铜掏空有什么用？？？

) u4 I# F9 D) m' {8 S" x; b3 q6 U铺铜离差分线太近的话，会改变差分线的阻抗

pads-tseng

学习了

洋了

tlmj206108 发表于 2009-4-6 20:43
因为阻抗的大小与介质厚度和线宽有关系,而板厂能加工的最小线宽是有底限限制的,为了使线宽便于加工,有时需要 ...

感觉这种说法挺实际的，不过应该不只是这些吧？