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本文介绍有关用于LTE 微蜂窝式与有源天线系统式基站应用的小型高效GaN Doherty 放大器。该Doherty 放大器采用TriQuint 半导体公司开发的T1G6001528-Q3 器件,是一种宽频带的分立GaN 射频功率晶体管。该Doherty 放大器具有以下特征: 在LTE 频率范围(2.62 GHz ~ 2.69 GHz) 、平均输出功率为38.5 dBm、饱和输出功率峰值超过46 dBm、漏电效率超过55%、增益超过15 dB、LTE 两载波 (2x 10 MHz 载波)、 信号波形8 dB 均峰比, 在Netlogic 标准DPD 下、邻信道功率比(ACPR)超过 -50 dBc、放大器大小为30 毫米x 70 毫米。 索引术语 — GaN (氮化镓)、Doherty 放大器、LTE、微蜂窝、有源天线系统、基站。
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