该用户从未签到
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的场效应管，输入阻抗很大。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管，称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET。以功能类型划分，MOSFET分为增强型和耗尽型两种，其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一层N型硅薄层而形成一个导电沟道，所以在VGS＝0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS)；当VGS有电压时(可以是正电压或负电压)，改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID＝0时的-VGS，称为夹断电压。
游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复
下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
举报
签到天数: 3 天
[LV.2]偶尔看看I
本版积分规则 发表回复 回帖后跳转到最后一页
关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )
GMT+8, 2025-1-15 17:27 , Processed in 0.093750 second(s), 25 queries , Gzip On.
深圳市墨知创新科技有限公司
地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050
发表于 2018-12-19 14:11
收藏
淘帖
支持！
反对！