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光耦两端的数字地与模拟地如何接

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发表于 2018-12-19 09:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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光耦两端的数字地与模拟地如何接

( C7 V7 o% n/ Q
7 b9 a, d3 O7 Q% d/ |7 g  U' N
大概去年7月份左右,参加了是德科技关于EMC的在线研讨会,当时公司仪器准备做CE认证,电磁兼容存在很大问题,听了一场在线会议,由于讲座只讲大概理论,针对我们公司仪器遇到的具体问题收获不是很大,不过会议结束后他们送了一本郑军奇老师写的《EMC电磁兼容设计与测试案例分析》第2版,对我们仪器整改作用太大。同时,也发现书中存在一些不足,说的不是很完整,下面以书中案例55为例,结合公司仪器,来说明书中案例55后得出的结论并不是百分之百适用所有产品(下面前4张照片是案例55的手机拍照,如果不清楚,请原谅我拍照水平太差)。
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书中最后建议,相互光电隔离的数字地和模拟地之间要考虑到地点位平衡,采用电容连接,容值为1-10nf,对于这个结论,相信大部分情况是正确的。但是,有例外如下:
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产品是大概是把极其微弱模拟信号放大后让单片机ADC可以采样,当然,模拟地和单片机数字地之间是通过0欧姆电阻连接。因为微弱信号只有几mV,也就是说,模拟地稍微遇到一点干扰,就会严重影响到信号采样和输出。如果一起光耦两端地模拟地和数字地之间不连接任何器件,仪器可以正常使用,如果连接电容10nf电容(因为50Hz频率很低,所以即使按照书上推荐的耐压值较高的10nf陶瓷电容容值也显得太小),发现仪器没法探测到微弱信号,无法正常使用。
使用了光耦就等于多了一块不同的地,产品会更容易受到干扰,电磁兼容越难通过,对于处理不同接地的方法还有:0欧姆电阻,电感,磁珠,这3中元件使用在这里都不合适。
产品使用的光耦
产品是大概是把极其微弱模拟信号放大后让单片机ADC可以采样,当然,模拟地和单片机数字地之间是通过0欧姆电阻连接。因为微弱信号只有几mV,也就是说,模拟地稍微遇到一点干扰,就会严重影响到信号采样和输出。如果一起光耦两端地模拟地和数字地之间不连接任何器件,仪器可以正常使用,如果连接电容10nf电容(因为50Hz频率很低,所以即使按照书上推荐的耐压值较高的10nf陶瓷电容容值也显得太小),发现仪器没法探测到微弱信号,无法正常使用。

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使用了光耦就等于多了一块不同的地,产品会更容易受到干扰,电磁兼容越难通过,对于处理不同接地的方法还有:0欧姆电阻,电感,磁珠,这3中元件使用在这里都不合适。

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发表于 2018-12-19 10:32 | 只看该作者
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