宽带L频段160W GaN功率放大器的设计关键点

helendcany

宽带L频段160W GaN功率放大器的设计关键点

氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率、电源电压和频率下工作。

图1、QPD1013 晶体管的照片

如图1所示，Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50 μm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN(双边扁平无引脚)封装，与传统的金属陶瓷封装相比，可以实现更简单的PCB组装。

尽管Qorvo的GaN晶体管效率非常高，但考虑到高RF功率电平意味着即使是高效的PA，晶体管也将具有显著功耗。由于晶体管是SMT组件，因此需要仔细设计PCB以优化热性能。已经对两种方法进行了评估，并报告了两者的结果。

第一种方法在晶体管的接地焊盘下使用覆铜孔阵列，第二种方法使用铜币技术。铜币是在制造期间嵌入到PCB中的一块实心铜(通常称为金属块)，以允许从晶体管到安装了PCB的载体的有效热传递。许多PCB制造商都具有覆铜孔技术经验，但射频频率下的铜币技术还未成熟。

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