基于砷化镓制程的异质结器件建模实践

kinidrily

基于砷化镓制程的异质结器件建模实践

摘要：这两年，化合物半导体的发展得到国家的大力支持，化合物半导体具有高的电子迁移率，高的反向击穿电压等特性，在移动终端上得到广泛的应用。而创建化合物半导体的器件模型，供集成电路设计者用于设计复杂集成电路，是集成电路代工厂的关键技术之一。化合物异质PN结，则是组成HBT的最基本结构，有必要系统地分析、创建PN结的电路仿真模型。经过几十年的发展，基于Si制程的PN结数学模型已经完善，但缺乏对化合物半导体的异质PN结模型的相关著述。基于Si制程的数学模型，应用到砷化镓制程，并用Verilog-A实现电路仿真模型的创建。最后，给出对应模型参数的提取方法，确保模型DC特性、RF特性的仿真结果跟实际测试数据高度一致。通过对砷化镓制程的PN结测量、建模，可以得出该Verilog-A模型的正确性、通用性。

关键词：半导体器件模型；集成电路；PN结；Verilog-A模型；化合物半导体

中图分类号：（O475）      文献标识码：A

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