开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

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开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

       开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：

　　1MHZ以内以差模干扰为主
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. I" ]' ^$ Q* f) d: i+ s; Y　　1.增大X电容量；
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　　2.添加差模电感；
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; L/ m9 Z; r# k( E( B　　3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
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　　1MHZ5MHZ差模共模混合
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) s( J- u* Z/ \" `# o) Z3 K　　采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，

" y; `3 w( b% N4 L: Y　　1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;

　　2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；

9 A/ O/ X2 |+ M# ]% J. Y( [　　3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

　　5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

* u9 m! J+ x/ X　　对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
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　　可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.

　　处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
  R  q+ Y7 a& f( I9 U
　　对于2030MHZ，

　　1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

　　2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

# Z; [; C2 t5 A4 e+ w9 r& M　　3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

　　4.改变PCBLAYOUT；
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% O# S$ `2 a* j6 \5 ~$ Q　　5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
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( a) T8 P2 E: V7 J　　6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

　　7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

6 Q" r3 a) }: @, b　　8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
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　　9.可以用增大MOS驱动电阻.
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( w# M: L4 v$ v' m& N8 U　　3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
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' X% e: x6 w3 p" K; g2 Y　　1.可以用增大MOS驱动电阻；

  o, Z& H1 K) K* b5 l6 Y& t　　2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
0 t, k2 e; ?3 s; |2 {* {& m
% Q* t* O+ @* c9 v　　3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

8 d0 z- u7 R- X* Q% O$ [' s　　4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

　　5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
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9 o6 _% K/ M) V$ |7 u) _　　6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
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　　7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
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　　8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

　　9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
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　　1.可以在整流管上串磁珠；
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  p  l7 t  r& K& w+ g) ~6 J　　2.调整输出整流管的吸收电路参数；
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% X& ?1 a( \6 K- ~2 c　　3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；

1 M( Q& I) D0 w9 C　　4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
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) l/ Z7 ?+ {- G0 Y0 F3 p　　5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

3 q! _" B* f8 g( b! ~# Q& f" A　　200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
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　　补充说明:

7 J1 `- h" }8 x7 S# v3 v) B　　开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
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　　开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
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. |( A7 m" l- ~, w" M  Y6 c　　开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
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) ^/ {/ E3 v' a% Y! ?9 H　　主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.

Demyar

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wu68aq

谢谢分享

haiyun0921

看看，学习了！