开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

Diabloa

开关电源EMI整改频段干扰原因及抑制办法

       开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
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　　1MHZ以内以差模干扰为主

/ Z0 ~/ l$ @4 O. r3 K* y　　1.增大X电容量；
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　　2.添加差模电感；

  E% c0 m. ?4 f- S4 ]　　3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
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　　1MHZ5MHZ差模共模混合
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8 h' E: S1 o2 u& }9 ?' G3 J　　采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
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5 D( R* A% h# c: }- S1 K, ?6 `　　1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
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　　2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
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- {) k5 s7 Z1 G1 ]5 a　　3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
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　　5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

. ?5 J* b4 S0 R# L) d7 q　　对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;

: ]* ]' m8 t# X4 u4 x$ B　　可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环.

　　处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
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) }, O( J) ?) P% b. I　　对于2030MHZ，

# X) R0 S" M9 I2 e, o4 k. ~& V: E7 Y6 G　　1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
5 g+ C: l, M! {6 y: m* u% t1 `
' }8 P* n7 t( J/ j　　2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

　　3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

　　4.改变PCBLAYOUT；
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　　5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

0 e" d3 A2 ^8 r  R% @7 m　　6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
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/ p* {& t. W& D& h8 M　　7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
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　　8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

　　9.可以用增大MOS驱动电阻.
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$ X1 H6 ?+ n9 E# l' _' J' h　　3050MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起

　　1.可以用增大MOS驱动电阻；

　　2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
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5 u' a. J* d5 y1 [  M1 u# O5 x　　3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

. q" K+ X+ G0 h  ?# ]　　4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

, b& O( P2 x) m* B+ x& _　　5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

　　6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
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" q" q. D; Y: O　　7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
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　　8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

　　9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
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　　1.可以在整流管上串磁珠；

0 V% y: H1 a& b# b. U! I' V0 b/ V; }/ s　　2.调整输出整流管的吸收电路参数；
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　　3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；

　　4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。

　　5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

: }$ D8 [  Z" G& V　　200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准
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! E5 [' S% X" _" J& z/ @1 p　　补充说明:

　　开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
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　　开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
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　　开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点.
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2 N9 A! S) t* d, G8 d% N+ K" e　　主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.

Demyar

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wu68aq

谢谢分享

haiyun0921

看看，学习了！