TA的每日心情 | 开心 2019-11-19 15:19 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
工程师经验分享:开关电源的EMI设计 ' e0 e: u& g, T
( ], M) B8 x/ D; g3 X9 H 开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。
* v2 m- H9 V8 R1 V" }
# a( z$ a6 @$ X8 T7 e 1.开关电源的EMI源
' C* h. }1 L, P4 l! }7 P5 }
8 V; M2 E! r, y) F9 `, P8 t, N$ { 开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。
: p4 w& g2 d+ }/ A2 n! e
, W# H5 g7 l6 l2 T3 A' q4 ` (1)功率开关管
0 c6 l2 n0 d: }: d- {( `* ]1 _3 h
- R$ J# u3 Q! y4 c. g 功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态,dv/dt和di/dt都在急剧变换,因此,功率开关管既是电场耦合的主要干扰源,也是磁场耦合的主要干扰源。9 a% L- a2 R8 ?2 A1 D
, J+ V+ Y8 @4 _9 \' b
(2)高频变压器/ j# f' C W4 Y5 z# W& \& J$ [ F3 y
o/ {0 F0 K/ ^ N' Y) Z 高频变压器的EMI来源集中体现在漏感对应的di/dt快速循环变换,因此高频变压器是磁场耦合的重要干扰源。/ g/ @. ~& `. h; R& H9 N+ P
; Y* h" L W6 L6 x
(3)整流二极管. W' X; |; p3 q
3 d0 x) h9 x: v, i
整流二极管的EMI来源集中体现在反向恢复特性上,反向恢复电流的断续点会在电感(引线电感、杂散电感等)产生高dv/dt,从而导致强电磁干扰。
! x# T0 ^# X4 H; Q
. V& Y* v3 ?" b( L (4)PCB- h0 c2 w+ T! }; p6 `
: d& K7 L% h( y) t* t6 d" Y 准确的说,PCB是上述干扰源的耦合通道,PCB的优劣,直接对应着对上述EMI源抑制的好坏。
" o7 J4 D7 m X5 o# X6 N7 L' L- R/ ] F: Y9 G' E& |
2.开关电源EMI传输通道分类
7 {( S/ n0 P. A" X0 y4 O" _$ H# [% M3 D% Z4 t4 s* z, K
(一)传导干扰的传输通道5 w3 R8 V9 y, `" L
* N; x* ~. J+ }7 g6 j; s
(1)容性耦合* W0 C; h) e. [' B1 [7 f4 d
( Q' F$ l: l# G$ ?
(2)感性耦合. W/ E+ D5 P3 _) ~4 \
- K; R5 s5 ]0 j# y (3)电阻耦合
( h" Z5 {2 W" Z. R1 M X0 y0 Y6 }: A7 O" n. d: { X2 J
a.公共电源内阻产生的电阻传导耦合
) i) L) ^7 I7 ~; Z. e( _. R( f" b# h' t4 \
b.公共地线阻抗产生的电阻传导耦合) f, }5 _# l, B
. Q1 N9 ~- }4 r, M, t% ?# w
c.公共线路阻抗产生的电阻传导耦合1 }! m$ d+ i9 t$ s
2 @" A" s" p! F) Y: \4 } (二)辐射干扰的传输通道6 v/ N( A0 ~: M
/ b( F( o: O$ y$ K4 m! @# k
(1)在开关电源中,能构成辐射干扰源的元器件和导线均可以被假设为天线,从而利用电偶极子和磁偶极子理论进行分析;二极管、电容、功率开关管可以假设为电偶极子,电感线圈可以假设为磁偶极子;
! R" S W5 j+ A$ U; @% k) X" f& q6 G1 [
(2)没有屏蔽体时,电偶极子、磁偶极子,产生的电磁波传输通道为空气(可以假设为自由空间);" Y( I2 {4 f) P5 Q& I. r5 J# R
" P( Q3 A' {$ k9 N' u0 Z! q8 w (3)有屏蔽体时,考虑屏蔽体的缝隙和孔洞,按照泄漏场的数学模型进行分析处理。$ W2 @% E% V) w
8 d7 P7 Q) K2 I+ Z8 O" D 3.开关电源EMI抑制的9大措施
5 V5 O8 s0 g: d1 c+ _
# M9 h% n; T& y 在开关电源中,电压和电流的突变,即高dv/dt和di/dt,是其EMI产生的主要原因。实现开关电源的EMC设计技术措施主要基于以下两点:
3 O5 y9 h& d: {5 v5 e
3 Z- e' N/ U1 F7 I* Y1 c1 ~$ k- ~ z (1)尽量减小电源本身所产生的干扰源,利用抑制干扰的方法或产生干扰较小的元器件和电路,并进行合理布局;! s6 H# |* n- p7 [0 B4 F
( e* u2 H& d+ `$ ]8 _3 C) U (2)通过接地、滤波、屏蔽等技术抑制电源的EMI以及提高电源的EMS。' r6 c4 {: W/ w4 N0 X/ H# T
5 j4 J! u1 P( L- s 分开来讲,9大措施分别是:# j6 y/ V }( S5 k3 i) T
/ ?' {1 @1 R! ^6 A) z (1)减小dv/dt和di/dt(降低其峰值、减缓其斜率)
: L6 d' C3 N [. ~4 {6 I- K" K6 \/ M" c8 j7 m9 y) z% x
(2)压敏电阻的合理应用,以降低浪涌电压
5 ?& Q: z) p) J1 H( @
j) E" s/ n) T$ N (3)阻尼网络抑制过冲
! x% h! k1 F( E& t# p& f0 u, J G7 f) | O6 C$ R2 L) E
(4)采用软恢复特性的二极管,以降低高频段EMI5 l* u8 K3 V: x- d
2 ~& {3 r- u+ B6 ^
(5)有源功率因数校正,以及其他谐波校正技术9 n! T: ^$ C& E D D7 F$ n
& ?* ~+ ~% x( u; y% `! c- L2 z (6)采用合理设计的电源线滤波器# _# V9 w: y& t
& G+ e. N: y8 X. U) ?: d
(7)合理的接地处理
( k) t: A+ t6 [& l2 B( f- y' F) w X- w0 a
(8)有效的屏蔽措施9 P( |7 S; u' R2 Q, H/ H6 x5 F
, b1 j& |, B' x6 m% ]
(9)合理的PCB设计& f" y1 S- @+ e: s
0 h" ~! f2 w6 B6 k- F d 4.高频变压器漏感的控制- b; c. J& v/ ]1 c( z5 a" Q" R! f
: M% M, p" ?) j+ Q( n2 a, ? 高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一,因此,控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。
! G$ h0 b8 P @$ K& S9 V& c3 o8 S! y5 ~5 U! f9 i! v5 `) i4 {
减小高频变压器漏感两个切入点:电气设计、工艺设计!# f" Z: E. X ~
1 @4 o% z( \4 k/ ~/ F8 @ (1)选择合适磁芯,降低漏感。漏感与原边匝数平方成正比,减小匝数会显著降低漏感。+ w& U! j, ]6 u: |# n) b" U
, _4 w3 A( _5 Z3 R4 \3 _ K% L
(2)减小绕组间的绝缘层。现在有一种称之为“黄金薄膜”的绝缘层,厚度20~100um,脉冲击穿电压可达几千伏。. _ g" k& n& n6 W6 }' S
9 C2 _2 L1 v/ L: N4 P (3)增加绕组间耦合度,减小漏感。
# ]2 v% F# S! l" i$ b+ f/ l3 i1 T
1 |7 ?# x2 @3 @1 c$ y 5.高频变压器的屏蔽& s& X1 P u% v! |
+ \% b' W/ J2 q: O0 P+ ~
为防止高频变压器的漏磁对周围电路产生干扰,可采用屏蔽带来屏蔽高频变压器的漏磁场。屏蔽带一般由铜箔制作,绕在变压器外部一周,并进行接地,屏蔽带相对于漏磁场来说是一个短路环,从而抑制漏磁场更大范围的泄漏。* o* E, Y# [3 F% t6 w2 b
" C) c3 g' H1 t 高频变压器,磁心之间和绕组之间会发生相对位移,从而导致高频变压器在工作中产生噪声(啸叫、振动)。为防止该噪声,需要对变压器采取加固措施:
% z5 K2 n7 D8 N2 p+ s( k: P/ n
( l# w5 @* m) V4 q A" s (1)用环氧树脂将磁心(例如EE、EI磁心)的三个接触面进行粘接,抑制相对位移的产生; U% r' q) \. E6 ~! Z" e) y
: G5 u9 d3 {7 S, h% s1 h
(2)用“玻璃珠”(Glassbeads)胶合剂粘结磁心,效果更好。
, z$ x( ?1 X3 g5 u- a3 O3 a4 ]& _5 ~8 e6 G
|
|