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关于电感耦合非接触IC卡系统的EMI问答 # `2 G" i; E4 h- W/ D- d+ l( P1 A
射频识别(RFID)的应用越来越广泛深入,RFID的电磁干扰(EMI)问题也倍受人们的关注。本文仅对电感耦合非接触IC卡的EMI问题结合相关国际标准进行了介绍和剖析。& }) ^3 p' y% |% ]
/ N9 B1 i m8 h5 z" M9 z# D8 s7 s 引 言: y- w. T- w1 K5 j
射频识别(RFID)技术近年来发展迅速,并获得了广泛应用。但作为一种无线射频技术,其电磁兼容(EMC)性能也越来越受到人们的关注。RFID涉及的频率范围甚广,包括低于135kHz、13.56MHz、433MHz、860-960MHz、2.45GHz、5.8GHz等多个频段。本文仅就低于135kHz和13.56MHz两个频段的电感耦合非接触RFID卡的电磁干扰(EMI)问题结合相关国际标准进行介绍和剖析问答。 1 电子产品的电磁兼容性
( t) T$ d9 J% r1 T+ d: |- VQ1-1、什么叫电磁兼容性?1 k8 Z2 y2 _( r+ D
电子产品的电磁兼容性EMC包含两个方面:一是电磁干扰EMI,另一是抗电磁干扰能力EMS。EMI是指电子产品产生的任何可能降低其它装置、设备、系统的性能,或可能对生物、物质产生不良影响的电磁效应。EMS是指电子产品在某种电磁环境下,其性能不致造成恶化的抵御能力。
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% \. j; U6 m- U# q) \7 |3 pQ1-2、对电子产品EMI有限制吗?- l" a* {! l+ @$ E. s9 L
电子产品EMI有严格限制,体现在很多国际标准和相关国家标准中。制定这些标准的代表性机构和组织有:国际无线电干扰特别委员会CISPR、国际标准化组织ISO、国际电工委员会IEC、美国联邦通信委员会FCC、欧洲电信标准研究所EISI等。一个电子产品必须符合相关的EMI标准,否则不能在该地区或国家的市场销售和使用。; A Y: S. ^' Q$ J
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2 工作频率范围和标准 Q2-1电感耦合非接触式IC卡的工作频率范围和标准是什么?
: q$ k, f1 S* s* @1 d 通常,电感耦合非接触式IC卡的工作频率为低于135kHz和13.56MHz。
9 p" |$ f% i5 \ (1)135kHz的频率主要适用于较低成本的应答标签芯片。系统的读写器可以提供较高功率,该频段对于非金属材料和水具有较高的穿透深度,因此在生物识别、水表等领域有着广泛的应用。由于其载波频率较低,虽然应答器的功耗也较低,但数据传输速率不高。目前,ISO/IEC18000-2给出了这类系统的空中接口标准。- X% _7 ^& {7 W8 {5 i. ^- e
(2)在13.56MHz的非接触式IC卡又可分为近耦合IC卡(PICC)和疏耦合卡(VICC)。其读写器亦被称之为PCD和VCD。
7 v0 H8 m$ G+ i/ B! |8 l6 M 13.56MHz是世界范围的工业、科学和医疗频段(ISM)。在此频段工作的RFID由于载波频率较高,在应答器中可以采用微处理器,因而可以实现智能非接触IC卡功能。此外,在此载波频率下,应答器的天线回路可以实现片上电容和印刷电感的谐振电路,为其应用获得了很大的便利。
y- i" G# V0 j* L f1 v 13.56MHz射频识别主要的标准有:①ISO/IEC 14443,是近耦合IC卡系统的标准,它又分为TYPE A和TYPE B两种;②ISO/IEC 15693,是疏耦合IC卡系统的标准;③ISO/IEC18000-3标准,它有两种模式,即MODE 1和MODE 2,MODE 1和ISO/IEC 15693标准兼容,MODE 2给出了相位抖动调制(PJM)等新方法。4 x: }8 O5 g* }1 |& ~* n! z9 {
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3 非接触IC卡的EMI标准 Q3-1、低于135kHz的非接触IC卡的EMI标准是多少?
2 s# w, E. |. ^3 E+ u 在低于135kHz的非接触IC卡中,采用125kHz的芯片较多。其读写器电路的功放为B类或D类电路,采用具有电感回路的天线发送器,属于小功率和微功率发射。对于在此频率范围的射频识别系统,有下述规范:7 |9 r( ] Z" o
允许最大场强:* a" \0 l! ?. E N5 E5 i
(1)FCC标准( k4 W& d# J; C
FCC标准第15部分209节(FCC part15.209)规定了其载波的允许场强,是以最大电场强度E给出的,即E不大于(2400/f)?V/m@300m。其中:f为9~490kHz,@300m 表示距离为300m。因此,对于125kHz频率,其E应不大于19.2μV/m@300m。如果将其换算为dBμV,则E=19.2mV/m为E=20log(19.2/1)=25.66dBμV/m。
; d' Y3 J8 o9 v (2)其它标准. g2 t6 s+ |( Y
在另外一些标准中,允许最大场强是以H场给出的。例如EN300330和德国的标准17TR2100。E场和H场表示值可以用下式来相互推算,即:H[dBμA/m ]=E[dBμV/m]-51.5dB。在17TR2100中,规定的极限值为H= 13.5dBμA/m@30m。将此值按上式转换,可以得到E=65 dBμV/m@30m。
+ M1 z( E& i, K* H0 G5 a 如果我们将FCC标准的300m距离换算为30m,按40dB/十倍距离(自由场的衰减值)增加,则25.66dBμV/m@300m可表示为65.66dBμV/m@30m。从上面的推算看,两种标准的极限值是差不多的。如果将此表示为10m处的场值,则可得到约为40log(30/10)+13.5=32.5 dBμA/m。: N& f$ u9 T, r- {- Y' @ I! G6 G* R
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Q3-2、什么是调制频带宽度和寄生发射?
0 H7 U5 @1 A4 v 在非接触IC卡系统的数据通信过程中,由应答器向读写器的通信采用负载调制。读写器向应答器的通信常采用间隙振幅移位键控(ASK)调制。这些都需用一定的调制频带宽度。
9 ]* r$ t8 z" ~3 w- l, }) x 寄生发射指的是对载波频率或调制边带不做出贡献的发射。在非接触IC卡系统中,读写器功放和调制电路是产生谐波和其它频谱的主要部分。非接触式IC卡系统在调制频带的场强以及寄生发射都不能超出EMI有关标准规定的允许极限值。) W; d5 o6 ?7 ]+ U- l4 E: s( O) S: `
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Q3-3、13.56MHz的EMI标准是什么?0 m6 F* L, |8 C
允许最大场强
& @8 c% O8 M0 Z# X- [& ^3 { (1)非接触IC卡标准
" s: L) ]8 i* | Q 在13.56MHz ISO/IEC 14443标准中规定其PCD产生的场强在1.5A/m_7.5A/m之间。其应答器(PICC)的动作场强Hmin1.5A/m。在ISO/IEC 15693标准中规定为VCD产生的场强为115mA/m~7.5A/m,应答器(VICC)的动作场强Hmin1.5m A/m。8 t+ A1 {+ q8 C' a
(2)有关EMI标准: y; |1 r2 G! f( @& g
①FCC标准9 v* {0 x7 ?/ F, @; V4 z# j
FCC part 15.225规定RFID系统载波频率范围为13.56MHz±7kHz,载波场强为30m处10mV/m。0 k5 j! V7 J# |
②EN300330(9kHz~25MHz)标准
7 M5 n$ k8 D# Z6 W EN300330标准规定了第一类发送器(指具有电感回路天线的发送器,天线由具有一个或几个线圈的绕组构成)的载波功率极限值。测量在H场具有最大值的方向和在自由空间进行。EN300330规定的极限值是42dBμA/m@10m。
) o6 L. Z2 s0 h" u& a" Y! K. s* D& l a- _5 N1 E
Q3-4、几种标准的相互比较有哪些不同?* y5 m' m. K( r4 G1 ]" c4 s* ~
我们对上面给出的几种标准进行一些变换并归一,然后再加以比较。7 ^- ~% e: Y3 {* u0 U2 ]' d
①ISO/IEC 14443标准
" {( P2 J. V' w 通常,近耦合IC卡系统的作用距离为小于10cm,而从前述可知此时Hmin1.5A/m,那么我们可以近似估计离天线0.1m(10cm)处的H场值为1.5A/m。一般,在非接触IC卡系统中,在距离λ/2π(对于13.56MHz频率,λ/2π=3.5m)内为近场,其衰减为60dB/十倍距离;大于λ/2π的作用距离为远场,其衰减为20dB/十倍距离。因此,可估算出1m处的H场为1.5m A/m,而3.5m处H场较1米处H场的衰减值大约为60 log (3.5m/1m)=32dB。从3.5m至10m处,可以认为进入远场,此段衰减值为20log(10m/3.5m)=9dB。故10m处的dBμA值为20log1.5mA/m-32-9=22dBμA/m。+ {' z! E/ l) @/ ^5 X' Z+ c
②ISO/IEC 15693标准 C) |: G9 Z3 K+ V* I \6 _) ~
其作用距离约为50cm,设此时的Hmin= 115m A/m,对13.56MHz,近场范围为3.5m,则3.5m处的场强衰减为60log(3.5m/0.5m)=50.7dBmA。3.5m至10m为远场,衰减为20log (10m/3.5m)=9dBμA。因此10米处的dBμA值为:20log115mA/m-50.7dBuA-9dB?A=41dB?A
( [& o6 z) Q+ U5 `7 |% u7 V$ |1 ~, Q$ |" P6 B! [4 @' ?0 O& M! ]
③FCC标准
% M( D) g+ T. c# B" F( F# O 30m为10m V/m,换算为dB值是80dB?V/m,再换算至10m,增加量为40log(30m/10m)=19dB。换算成dB?A/m为:H=80+19-51=48dBμA/m@10m。, N3 d) j$ a( E2 T
将上面结果列于表1,则从表1可知,若H场是按RFID标准来设计,就可符合EMI的有关标准。7 X, D7 e4 F! `$ X" ~, K6 x) _: n* w
表1 各种标准的比较 标准 | ISO/IEC14443 | ISO/IEC15693 | FCC | EN300330 | 10m处H场强dBμA/m | 22 | 41 | 48 | 42 |
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Q3-5、调制带宽及谐波发射方式要注意哪些?# J+ K' m( Z- Y2 {" e1 x6 U
①ISO/IEC 14443的调制方式
+ m0 [& i, `% J. @ 在TYPE A中,PCD向PICC通信采用修正密勒码的100%ASK调制。其PICC向PCD通信采用的是曼彻斯特编码,并且用副载波调制后进行ASK调制。在TYPE B中,PCD向PICC通信采用NRZ码的ASK调制方式,PICC向PCD通信采用对NRZ码(106kbps)进行BPSK副载波调制(847kHz),然后用ASK调制传送至PCD。
9 [6 Z) y1 x7 K1 ?* m/ |( V' O0 [, u ②ISO/IEC 15693
6 k4 A- k, ^% n9 v- Y+ K VCD向VICC通信时,远距离采用“256中取1”编码的10%的ASK。短距离时采用“4中取1”编码的100%ASK调制。VICC向VCD通信采用曼彻斯特编码,用副载波进行调制(可用ASK或移频键控FSK方式),然后再用已调制副载波进行对载波的ASK调制。1 U- Q% |* i7 @ Q( p5 ~& ~
从上述的通信模式可以看出,这些调制都需要调制带宽,因此要注意控制发射频谱。FCC规定谐波功率应限制比载波低50dB。* Q" o' u7 G( [$ B/ U1 K
) B; I) T) }' a
4 抑制EMI的措施 Q4-1 可以从哪些方面采取抑制EMI的措施?1 L$ o' t/ ]' u7 ?
(1)读写器射频前端电路设计' D6 P2 i4 o( a4 ?$ [
在读写器射频电路设计时,应考虑器件选型、PCB层数、大小、线路布局、布线、接地及地线配置、屏蔽、滤波等众多需要兼顾的问题。+ [) j i' }$ A& T, I. u+ `8 n
例如,在读写器设计时,都需要有晶体振荡器,多数石英晶体振荡器(XO)并没有提供内在的EMI抑制措施,因此设计者采用屏蔽、滤波或特殊的印刷板布局技术来使产品通过EMI考核。但是,MAXIM公司的DS108X系列硅振荡器采用扩谱技术,可使其峰值EMI降低20dB以上,这为频率源的选择提供了新的思路。
- A# h9 _ m( I f% m (2)在电感耦合式非接触IC卡系统的电路设计和调整中应注意下述方面:
( H6 k* [' O( [/ L* O ①天线回路参数应准确调谐在载波频率上。9 i- J Y. k4 }
②对于末级功放采用D类放大器(低于135kHz)或E类放大器(13.56MHz)的系统,应仔细调整电路工作状态,减少寄生信号的产生。此时,天线回路的Q值对流过线圈的电流大小可起调节作用,应仔细调整其电流大小和通信带宽的关系。
% J. Y% t. G" J(3)新调制方式的选择( @" p/ i. p7 }( A: x; l
在ISO/IEC 14443、ISO/IEC 19653及低于135kHz的非接触IC卡系统中,读写器向应答器的数据传输都采用ASK载波调制模式,但实际上移相键控PSK调制在误码率、信号平均功率方面都具有比ASK更好的性能。在前述标准中未被采用,主要是PSK的解调只能用比较复杂的相干解调技术,而不能用简单包络检波方法,而相干解调电路相对比较复杂。$ P- O+ h: e, |" P" {) E' u
ISO/IEC 18000-3标准中的MODE 2在13.56MHz系统中提出了相位抖动调制(PJM)方法。在读写器向应答器的通信中,利用修正频率编码(MEM)对载波进行PJM调制。通常PSK的二进调制的两个相角是0度和180度,在编码变化时出现了载波相位的跃变。相位的较大跃变使频谱展宽,使功率谱的旁瓣较大,衰减较慢。PJM的两个相位角定义在2度的范围。( `2 g9 Z) X; G: k8 _% ?! r
因此相位的变化,即抖动减小使信号谱旁瓣较小,且衰减较快。此外,PJM的另一个好处是在读写器向应答器通信中,不会像ASK调制因有停顿而使能量场出现间隙,并且可以支持全双工通信。因此,新的调制方式的研究和实施,也会给电感耦合的非接触IC卡的EMI获得很大改善。# q; L# {- R [. N+ Z
( P/ m" y- i" j* g9 T4 h 结 语 本文对电感耦合式非接触IC卡系统的EMI问题作了阐述,应该注意,它的EMS能力显然是很弱的,受篇幅所限,没有给予更多的阐述。鉴于我国的RFID标准尚未正式颁布,因此本文并未涉及。% |7 y( K2 Q1 j2 W
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