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一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计
设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1.8V电压供电下，该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。 目前，全球无线通信系统正处于快速发展进程中，无线通信“行业专网”系统也正处于飞速发展的黄金时期。我国无线通信行业专网所用频点和带宽种类繁多，其频率 主要集中在0.1-1.2GHz。各专网使用不同的频点、射频带宽和信号带宽，标准不统一，导致各行业专网设备所用的射频芯片不同，同时对各个窄带射频前 端芯片的需求难以形成规模效应，且成本高、配套困难。目前行业专网所用的窄带射频前端芯片多数被国外公司所垄断，因此我们国家迫切的需要一套面向 0.1-1.2GHz行业专网频段的无线宽带射频收发芯片，以满足新一代宽带无线移动通信网的基本需求。 射频无线收发芯片已经在手机、 雷达、无线局域网(WLAN)及广播等多个窄带或宽带无线收发系统中得到了广泛应用。从频域来看，超宽带与传统的窄带和宽带有着明显的区别，超宽带的相对 带宽(信号带宽与中心频率之比)通常要在25%以上。此，0.1-1.2GHz频段无线宽带射频收发芯片属于超宽带电路。目前,在CMOS工艺下，国 际、国内尚无成熟商用超宽带射频收发芯片解决方案可以满足该频段的设计需求。
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发表于 2018-12-14 09:45
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