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【咨询】海思芯片设计咨询

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1#
发表于 2018-12-3 19:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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海思开发板一般都是要求DDR部分不要作改动,预览前面的网页也有同学提到他们公司改动了几根后面出问题,可是问题是海思开发板的叠层参数给的都不是很完整,叠层结构以及各层的厚度有给出,但是介电常数都是4.5(从工程文件的Cross-section中查看),按这个参数结合线宽线距以及对阻抗的要求,制板厂家根本设计不出叠层参数,有了解的么+ u) B3 }$ y8 u( x6 T
( e" P$ r. s& B7 {

该用户从未签到

2#
发表于 2018-12-3 21:24 | 只看该作者
海思的板子ddr部分还是不动的好;特别是结构允许的情况。* c, o" X3 q6 ^0 m
你可以看看ddr部分,基本没有做等长的,说明海思在软件里做了write leveling。如果你改动线长,可能要重新调整write leveling参数。" ?4 I. U* J& P/ D6 L
至于阻抗问题可以让板厂解决;

点评

谢谢您的答复!就是想着不去改动DDR部分  详情 回复 发表于 2018-12-4 15:04

该用户从未签到

3#
发表于 2018-12-4 08:41 | 只看该作者
你能够看出线宽吧? 既然能够看出线宽,就按照单端50,差分100让厂家叠一个就好

点评

嗯,线宽线距可以查看到,叠层的结构也可以查看,把这些信息给厂家,厂家回复设计不出50欧跟100欧的叠层参数表  详情 回复 发表于 2018-12-4 15:07
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-3-10 15:58
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2018-12-4 09:15 | 只看该作者
    海思的PCB文件,一般都会附加阻抗要求等信息的,你可以把所有图层打开看看。
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    5#
    发表于 2018-12-4 13:42 | 只看该作者
    阻抗控制的目的是要保证阻抗连续,而不是具体的阻抗值,可以按照海思开发板算出走线的阻抗,自己的实际板以这个阻抗值为目标去控制。

    点评

    阻抗连续最重要,有个海思芯片我问过FAE,他们的demo也做不到单端50,单端他们只能做60多,他们测试波形也没有问题。另外海思芯片的SDK里都会做ddr training,t走线调得太大有可能会training不过,就要自己调参数了  详情 回复 发表于 2018-12-5 09:34
    谢谢你的答复,感觉有这个可能,找FAE确认一下,谢谢你  详情 回复 发表于 2018-12-4 15:09

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2018-12-4 15:04 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2018-12-3 21:24
    ' A3 p5 C8 a& U2 E, o2 ?1 s海思的板子ddr部分还是不动的好;特别是结构允许的情况。
    6 F8 k, h1 S$ [' ?/ ^你可以看看ddr部分,基本没有做等长的,说明海思 ...
    ' T% @+ M2 Q& S; a) E% ]" e% l$ }" w
    谢谢您的答复!就是想着不去改动DDR部分4 \- d7 Z7 q. n8 i9 c1 @$ p. `

    该用户从未签到

    7#
     楼主| 发表于 2018-12-4 15:07 | 只看该作者
    myiccdream 发表于 2018-12-4 08:41! I$ n  {2 c! @0 d
    你能够看出线宽吧? 既然能够看出线宽,就按照单端50,差分100让厂家叠一个就好
    9 ~: ]! S/ ?& Z
    嗯,线宽线距可以查看到,叠层的结构也可以查看,把这些信息给厂家,厂家回复设计不出50欧跟100欧的叠层参数表9 q( R/ e9 O5 n2 r  i- U

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2018-12-4 15:09 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2018-12-4 13:42. \6 L) o- d' ~2 P, w& o
    阻抗控制的目的是要保证阻抗连续,而不是具体的阻抗值,可以按照海思开发板算出走线的阻抗,自己的实际板以 ...
    ( [3 I( X/ p. q4 ]
    谢谢你的答复,感觉有这个可能,找FAE确认一下,谢谢你! k9 l7 O, z- l+ Z' U

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2018-12-4 17:30 | 只看该作者
    他们有个硬件手册,按地个手册的说,我就是按手册来改的
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:20
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    10#
    发表于 2018-12-4 18:36 | 只看该作者
    海思什么平台的?我们经常由于结构限制DDR部分重新布线的。也没有发现什么问题。
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-21 15:59
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]以坛为家I

    11#
    发表于 2018-12-5 08:49 | 只看该作者
    可能是2层的机顶盒平台

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    12#
    发表于 2018-12-5 09:34 | 只看该作者
    本帖最后由 summmmmm 于 2018-12-5 09:38 编辑
    # r6 s) w' S8 p- H# @
    dzkcool 发表于 2018-12-4 13:42
    * j7 y+ k, k2 S) A5 {阻抗控制的目的是要保证阻抗连续,而不是具体的阻抗值,可以按照海思开发板算出走线的阻抗,自己的实际板以 ...

    7 ]$ h4 _" p9 p* u  E  ?) o阻抗连续最重要,有个海思芯片我问过FAE,他们的demo也做不到单端50,单端他们只能做60多测试波形也没有问题。另外海思芯片的SDK里都会做ddr training,t走线调得太大有可能会training不过,就要自己调参数了。8 i4 i6 g* Z6 o. h. u

    点评

    刚好想了解下DDR training,因为我看还是得SI报告里都有一页时DDR training,这个跟writing level和reading level的training不是同一功能吧?听你说的意思是SDK里有个用来做DDR training的工具是么?不过需要调参数  详情 回复 发表于 2018-12-11 09:46

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    13#
     楼主| 发表于 2018-12-11 09:46 | 只看该作者
    summmmmm 发表于 2018-12-5 09:34
    8 M" U. ~& S2 r: H8 ]0 H; d- s阻抗连续最重要,有个海思芯片我问过FAE,他们的demo也做不到单端50,单端他们只能做60多测试波形也没有 ...
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    刚好想了解下DDR training,因为我看还是得SI报告里都有一页时DDR training,这个跟writing level和reading level的training不是同一功能吧?听你说的意思是SDK里有个用来做DDR training的工具是么?不过需要调参数,是可以调哪些参数?是调输入输出的匹配阻抗?还有有延时可以调?1 w# i, S; f' w) h. X5 ~
    谢谢~~
    3 W5 k3 ~: r1 W* x* X6 b, w+ z+ A( K# [! n6 S

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    14#
    发表于 2018-12-17 14:03 | 只看该作者
    很少用海思的芯片

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    15#
    发表于 2018-12-18 08:44 | 只看该作者
    按照原厂设计就可以了
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