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怎么理解过孔和电容提供回流通路

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1#
发表于 2009-3-19 19:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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% t6 g( H% I( @& e) a从高速PCB基础理论及内存仿真技术一文中看到的,如上图。
4 a$ P% ^) h' T8 S* W3 p% N; U" S怎么理解电容提供回流通路,图一比较好理解,
0 _* ~1 }, ~/ I% n2 J9 w* m7 d图2怎么理解?8 l8 J" O- s$ U1 b1 V2 L
在不同的参考平面做切换,那电容的放置地点有什么要求?是不是要放在离信号过孔最近的地方?另外电容右边接的电源要与下面的电源层用过孔连接,这个连接的过孔是不是也要放置在离电容最近的地方?
% T5 i) f) f7 B$ o8 g0 ~! \请能人回答一下,谢谢!

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2#
 楼主| 发表于 2009-3-20 09:15 | 只看该作者
么人知道么?

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3#
发表于 2009-3-20 17:04 | 只看该作者
这个论题要注意2个知识点:
9 @; X9 m* q* d8 W, d6 i  ?1: 电容在对回流路径相当通路,或者简单理解就是电容对高频信号是短路的。  c2 e4 I% {3 E" i0 j
2: 注意到参考电平时 电源平面 和 地平面,在他们之间跨接一个电容,相当于高频信号(回流信号)被这个电容短路了。
: Z6 {8 B. a- V9 [
* W" P0 j, h- {) L- w) \! p7 i先看回流路径,先从电源平面走,然后碰到VIA,信号换层(此时回流路径最理想的平面是地平面),此时回流路径要找阻抗最小路径,此时有2条路走,1 电源层到地层,阻抗是电源内阻,2,是走电容的内阻(ESR),显然走电容的路径是最小阻抗路径。所以解决了回流不连续的问题。

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4#
 楼主| 发表于 2009-3-20 17:17 | 只看该作者
谢版主,但我还想知道这个电容的放置位置是不是有讲究?尽量靠近信号的VIA?能不能多个信号VIA共用一个电容?谢谢!

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5#
发表于 2009-3-20 17:35 | 只看该作者
位置是靠近信号的VIA, 没错,也可以共用,但不建议过多,防止信号胡绕。举个例子,1个信号是1G,一个信号100M,那么如果1G的信号回流走这里,那么此时过孔的感性效应十分大,产生的感抗比较大,此时100M的回流就不会选择这里了。

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6#
 楼主| 发表于 2009-3-20 17:54 | 只看该作者
再谢版主!
+ n+ E/ h! m% a顺便问一下,一些普通的信号(如NAND的控制线和数据线,JTAG线,GPIO线等)跨电源层应该可以吧?2 ]' C9 s- G" P, w' k* H
这些应该不算高速信号噢!
) m( e: t4 T2 s+ m& y0 ]# f# o还有DDR的MEMVREF跨不同的电源层可以么?貌似这个信号很关键,另外这条线比较长可以么?

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7#
发表于 2009-3-21 00:45 | 只看该作者
位置是靠近信号的VIA, 没错,也可以共用,但不建议过多,防止信号胡绕。举个例子,1个信号是1G,一个信号100M,那么如果1G的信号回流走这里,那么此时过孔的感性效应十分大,产生的感抗比较大,此时100M的回流就不会 ...
# ]4 P4 X& p+ B( B) r1 H, Xliqiangln 发表于 2009-3-20 17:35
; W( J3 b. h6 s+ c" b" Y6 \6 N' r$ p
1G信号回流产生高感抗只是对信号本身吧,如果是100M回流信号还是不大的,回路阻抗是相对于每个信号自身而言的吧。不知道理解的对不?

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8#
发表于 2009-3-21 20:14 | 只看该作者
看下电容的特性阻抗曲线就会比较理解liqiangln版主的意思了。

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9#
发表于 2009-3-22 13:03 | 只看该作者
图形2的做法有其局限性。
5 Q$ J, e' ?1 d  `7 V由于电容的阻抗特性曲线是V形,所以在信号上升到一定频率之后阻抗会升高,这时候电容并不能提供一条低阻抗的回路。

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10#
发表于 2009-3-23 12:12 | 只看该作者
还有DDR的MEMVREF跨不同的电源层可以么?貌似这个信号很关键,另外这条线比较长可以么?
0 f) Q& D" w' i) C/ d# D$ g0 Q% L% l/ a7 _/ k1 U/ m# i% N
liqiangln: 这个电源是作为其他信号采样用的电平值,电流很小,主要是需要电压稳定,所以可走带状,还是建议线宽一些,而且离其它动态线远一些。
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