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转——浅谈IAR环境下Flash调试和RAM调试的区别 其实关于Flash调试和RAM调试的概念，我也是从调试Kinetis的时候才开始接触，最初只是随便用用，没有深究，之后用的多了才开始深入研究两者之间的区别，发现里面大有文章可作，翻看了网上的一些资料，大多是授人以鱼的文章，所以觉着有必要在这里谈谈自己的一点看法，做个笔记： 4 L! J) o/ ]- r/ {
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上图为在IAR环境下的Flash调试界面和RAM调试界面
5 W! _# Q7 v& w# H 首先说说什么是Flash调试和RAM调试，Flash调试就是通常意义下的普通调试，即将编译链接之后的code下载到单片机的ROM区，数据放到RAM区，然后进行调试；而RAM调试则是将数据放到RAM区的同时再从RAM区中额外开辟出一段空间存放可执行code，这样就是code和数据同时运行在RAM区里面。
' c4 H; h @0 E) H3 A" X 至于为什么要刻意区分出这两种调试方式，其实在低端mcu领域是没有RAM调试这个概念的，其中很大一部分原因是它没有足够大的RAM空间在存放编译后code代码的同时仍然可以拿出额外的空间作为数据RAM的，而在高端MCU领域中，比如ARM，动辄几十KB的RAM是很常见的，在不运行超大工程的情况下是完全可以拿出一部分空间运行代码的，所以也就出现了RAM调试这种方法了。
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发表于 2018-10-24 10:47
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发表于 2018-10-24 18:24