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NPN管控制PMOS管的怪现象

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1#
发表于 2018-9-29 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 haoxia01 于 2018-9-29 09:23 编辑 ( \- g* p) j! V$ f$ b" ~) r  c
: m- Y+ d- p, J& ^0 Z

9 T' h1 \% l, T' R& w, X如图所以,问题也描述在图上0 l% @# h+ a* A, H+ s' q
1.去掉负载,问题依旧存在+ g/ t5 O9 M  j
2.更换PMOS,问题依旧/ k: _2 O- r- E! U
3.更换NPN,问题依旧5 e, |* d7 a4 L1 Q* i6 p
4.示波器捕获IO口和LDO的输出,纹波没问题
; B* _6 H3 C% w/ M0 D5.将R7改为200K,R9改为0R,问题依旧
- w/ p7 i; g6 N1 U, a( ~, j& h! l6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常
7 z4 Z" i3 W7 _# {" W0 b7 {* s1 [% D% a( `8 U; c: x  k% m! r* c
猜测原因
- [' G3 w6 w7 A+ V# D8 l) _4 q1.分压后,PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V,漏极电流Id大约由3A至1.8A;5 L$ i# B, M$ N. |; k
2.NPN的管,工作状态异常?无法说出个所以然来……3.下图是单位nC,我的理解这个量级也不会引起整个现象1 }' S( I% g0 g+ Y1 c3 t5 I% q
2 K9 ~9 y5 I0 g. t5 G. u
求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。- g9 R5 y9 c, d/ |. z- Z5 w% q% m
, j) Y) \" S5 X6 K. {

& ]4 z, _% @, S) ~

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发表于 2018-10-14 10:05 | 只看该作者
这个图画错了, PMOS右边G和D之间少了个电容,没有inrush control的作用

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多谢版主出手相助!  详情 回复 发表于 2018-10-15 19:24

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发表于 2018-10-2 02:31 | 只看该作者
R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快,冲击电流太大。7 C& I! w7 ]( v1 f: }

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我也想这么说  发表于 2018-10-7 17:17

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发表于 2018-9-29 13:40 | 只看该作者
本帖最后由 大家伙好 于 2018-9-29 13:42 编辑
( P9 U  H/ `- C! `! K) T
* y, n( B5 n) O* M+ K+ V) m* {这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的,PMOS导通的一瞬间,电容的充电电流很大

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2#
 楼主| 发表于 2018-9-29 10:40 | 只看该作者
每次只要一发求助问题的帖,然后思路就清晰了,也就很快解决了。。
4 {" P( g$ G" D9 m& _5 V5 A要给EDA365点赞了。
# V1 \. h! N1 O( k6 a% ^. ^2 @
. |4 e# s% d# {$ \解决思路0 D7 i2 L: I  ~5 ^& Z. H3 _
1.通过现象分析后,既然通过电阻分压就解决,那么很可能是由于PMOS的开关导致的," K8 w6 l; L# n+ {6 g
2.如帖描述,通过分压减少的了Drain端的驱动能力,那么很可能是开关的瞬间导致的,
% G& a4 K5 i- Y- [9 P$ s3.通过在R7和R9之间的点,并联电容到地。
# g. ^+ j( K* t6 {% e    那么在初始态,电容通过S端过R7充满电,当IO口拉到后,NPN管导通,PMOS管的G极由于R9和C的存在,Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程,其中到达Vt后,管子导通,并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
2 K; g) D/ C9 D) H, k问题得以暂时解决!
. b) S, e0 @2 m6 q) P* `5 G0 Z留帖纪念

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学习了  详情 回复 发表于 2018-11-5 22:14

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4#
发表于 2018-9-30 08:53 | 只看该作者
能不能说清楚你最后怎么改进的,直接贴图学习一下

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在二楼写了呀,在R7-R9之间加了100nF电容到地  详情 回复 发表于 2018-10-1 09:05

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6#
 楼主| 发表于 2018-10-1 09:05 | 只看该作者
goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
, F3 h6 ~: t* ^) L  C4 Y. l7 ?" ~" y4 Q能不能说清楚你最后怎么改进的,直接贴图学习一下
$ X2 O& M# y9 D9 @! g& V
在二楼写了呀,在R7-R9之间加了100nF电容到地/ J5 t3 s$ r9 W) j, |. H
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2018-10-9 14:01 | 只看该作者
    学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

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    10#
    发表于 2018-10-9 15:01 | 只看该作者
    NPN管控制PMOS管用过很多,没碰到过你说的这种现象。

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    12#
    发表于 2018-10-11 11:10 | 只看该作者
    我也没碰到过

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    13#
    发表于 2018-10-11 17:44 | 只看该作者
    三极管不要用IO口直接驱动B极

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    15#
     楼主| 发表于 2018-10-15 19:24 | 只看该作者
    Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
    4 Q. E- j: ?2 \. o! Y7 P. F这个图画错了, PMOS右边G和D之间少了个电容,没有inrush control的作用
    & ]+ J$ C* c' V- ?# q" v2 V; e3 i
    多谢版主出手相助!
    ' V: z* C6 [# }& {' m3 M" ?, x9 q
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