NPN管控制PMOS管的怪现象

haoxia01

( C. g" U" m( Q: g6 u0 n8 [) N# c

; {1 O- m* S2 \* Z3 k如图所以，问题也描述在图上
$ \0 e( G! `$ X2 {; i* _" R9 D; A1.去掉负载，问题依旧存在
3 r$ |. Q& K- n- g4 }2.更换PMOS，问题依旧
" D& c$ [5 |/ u  P  e: l3.更换NPN，问题依旧
4.示波器捕获IO口和LDO的输出，纹波没问题
$ T/ L( |- n9 Z4 T5.将R7改为200K,R9改为0R，问题依旧
6.将R7和R9都改为200K,电路工作正常

- O, Q8 i6 e1 h' K1 O0 [猜测原因
( g) r! l! V! w1.分压后，PMOS的开启电压由原来的Vgs=-3.3V至Vgs=-1.65V，漏极电流Id大约由3A至1.8A；
2.NPN的管，工作状态异常？无法说出个所以然来……3.下图是单位nC，我的理解这个量级也不会引起整个现象
% m5 [6 i" ?1 ?# `3 W2 @, m5 ]
求论坛大神出手解答一下小弟的疑惑。

0 f- V. e2 U/ x/ [/ h9 H

Jujianjun

这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

yhg-cad

R7上并个0.1UF的104电容试试。做成缓起电路。不然上电太快，冲击电流太大。

大家伙好

这个现象应该是由于PMOS后端的电容引起的，PMOS导通的一瞬间，电容的充电电流很大

haoxia01

每次只要一发求助问题的帖，然后思路就清晰了，也就很快解决了。。
& S$ f, E9 c! Q要给EDA365点赞了。

9 u6 G9 p# S  r& n  p! |解决思路
1.通过现象分析后，既然通过电阻分压就解决，那么很可能是由于PMOS的开关导致的，
; L8 _- ^% i$ H0 ~# D- B) B2.如帖描述，通过分压减少的了Drain端的驱动能力，那么很可能是开关的瞬间导致的，
3.通过在R7和R9之间的点，并联电容到地。
    那么在初始态，电容通过S端过R7充满电，当IO口拉到后，NPN管导通，PMOS管的G极由于R9和C的存在，Vgs有一个缓慢由0V到-3.3的过程，其中到达Vt后，管子导通，并且逐渐使Id到最大。降低了开关瞬间对电源的冲击。
/ m1 ^: @! r6 n" a  l* u问题得以暂时解决！
留帖纪念

goodboy32

能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

Joen0_0

支持一个

haoxia01

goodboy32 发表于 2018-9-30 08:53
能不能说清楚你最后怎么改进的，直接贴图学习一下

' y; N4 Q' [# Q" F- }. w在二楼写了呀，在R7-R9之间加了100nF电容到地

victor0123

学习了
( L! w1 \% r0 [' h

lize314

学习了  我也用了NPN控制PMOS 还没开始调试

Linta

NPN管控制PMOS管用过很多，没碰到过你说的这种现象。

hegx_2008

学习了

hegx_2008

我也没碰到过

Joen0_0

三极管不要用IO口直接驱动B极

haoxia01

Jujianjun 发表于 2018-10-14 10:05
这个图画错了， PMOS右边G和D之间少了个电容，没有inrush control的作用

: k! {; u- S" W6 I多谢版主出手相助！
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