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单片机IO3.3V输出高低电平控制28V开关

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1#
发表于 2018-9-25 09:07 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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   想做一个单片机IO口输出3.3V高低电平来控制电源28V的通接和断开,最大电流为1A,不能用继电器,想用是用MOS管,我安下图测试实现不了,是哪里问题?
4 M: W& e* C# C( ]$ j, g$ Q9 I

TEST.png (35.58 KB, 下载次数: 20)

TEST.png

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谢谢分享!: 5.0
谢谢分享!: 5
Q38 兩邊的電源標號都是 LED_28V。>_<|||  发表于 2018-9-25 13:02

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发表于 2018-9-25 11:26 | 只看该作者
大家伙好 发表于 2018-9-25 10:498 O/ c5 w+ g! |$ x+ U2 u
手册上写明VGS最大值是±12V,按现在图中的接法,导通时VGS为14V( e$ q7 [7 }4 D. f
会不会跟这个有关系呢

6 R: u! t; ]. M3 \* O9 c/ _) ~1 LVGS超过12V,有击穿的可能性。将R103换成15K,再将MOS管也换个新的,试试看。: ?' r1 H3 j/ o
R103换成15K,则VGS就在安全区内。
- P/ j4 W6 E7 e' m
) z. \  k% L, X% g另一种可能性DS极搞反了,那么MOS管的寄生二极管直接导通,表现为MOS管关不断。. }, S0 t, I  _' t3 f6 Y; a

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 楼主| 发表于 2018-9-25 14:12 | 只看该作者
amaryllis 发表于 2018-9-25 13:329 ?1 E) d( h1 A, a0 s
电阻串联分压计算还不会吗?
  X: @8 X. \1 ?$ p$ U
谢谢,画的原理图是3401耐压是30V,这个值小了,现在改成长电的CJU40P04有40V,VGS=-20V ,把R101,R103改为10K,分压等于14V,小于VGS=-20V,现在去买样品来搭电路试试。   \9 y+ u+ ]3 O: ?1 X* x4 d+ x
$ C! H* m9 R: d7 T0 E

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CJU40P04[attachimg]151343[/attachimg]就是封装尺寸大了,  详情 回复 发表于 2018-9-25 14:23

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发表于 2018-9-25 11:09 | 只看该作者
R103去掉~~PMOS低电平打开,默认要上拉到VGS,你这个低电平的时候三极管的集电高的,B给高的时候三极管的C会拉到E电平上,这时候PMOS的G就接到地上了,你串了个R103,会导致PMOS管可能在放大区,或者说是开启电压有点高内阻有些大~

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2#
发表于 2018-9-25 09:23 | 只看该作者
焊在PCB上面测试的?
8 U/ x6 [! ^4 X$ k" m% S, T/ O& e; R+ n原理图里面PMOS的引脚编号不对吧,一般都是1G,2D,3S

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原理图编号先不管,因为我是接之前的PCB法接是没问题  详情 回复 发表于 2018-9-25 09:31

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3#
发表于 2018-9-25 09:26 | 只看该作者
可以量下 Pmos栅极和源极之间的电压差,之后将电阻值调整下即可! 调整下R103

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要调到多少?  详情 回复 发表于 2018-9-25 09:32

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4#
 楼主| 发表于 2018-9-25 09:31 | 只看该作者
大家伙好 发表于 2018-9-25 09:23% N+ ]! [$ @' A
焊在PCB上面测试的?
* j6 [/ p/ h- H! ^" r' J原理图里面PMOS的引脚编号不对吧,一般都是1G,2D,3S
% [' @9 I; ?( a
原理图编号先不管,因为我是接之前的PCB法接是没问题* y3 l8 w% [5 U  q

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5#
 楼主| 发表于 2018-9-25 09:32 | 只看该作者
走上不归路 发表于 2018-9-25 09:26& E' _( `8 d8 c1 ]
可以量下 Pmos栅极和源极之间的电压差,之后将电阻值调整下即可! 调整下R103

2 w8 U+ ~7 o5 h- O9 M* e# d0 X/ J' b要调到多少?
$ S# d6 t* o% C; C$ ?

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6#
发表于 2018-9-25 10:00 | 只看该作者
可以先了解下MOS管工作特性和条件。

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不太懂这东西请指教  详情 回复 发表于 2018-9-25 10:20

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7#
 楼主| 发表于 2018-9-25 10:20 | 只看该作者
WuJin_eOakJ 发表于 2018-9-25 10:00
; e; q) I* Y! p% D( X/ L: Z0 V: O可以先了解下MOS管工作特性和条件。
. N) k* @4 }+ y! Y7 \- Z& y; h
不太懂这东西请指教9 v7 @# m' F- C: v- o' ^  l6 H

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8#
发表于 2018-9-25 10:49 | 只看该作者
手册上写明VGS最大值是±12V,按现在图中的接法,导通时VGS为14V
7 f! z0 Q5 P, s- @7 x会不会跟这个有关系呢

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VGS超过12V,有击穿的可能性。将R103换成15K,再将MOS管也换个新的,试试看。 R103换成15K,则VGS就在安全区内。 另一种可能性DS极搞反了,那么MOS管的寄生二极管直接导通,表现为MOS管关不断。  详情 回复 发表于 2018-9-25 11:26

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11#
 楼主| 发表于 2018-9-25 11:26 | 只看该作者
试过去掉R103也不行
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    12#
    发表于 2018-9-25 11:34 | 只看该作者
    原理图没问题,应该是VGS的电压问题,输入高电平,VGS=-14V 增大R103 调小VGS就行了
    ( U0 I1 O, e# H1 Q* U你去掉R103 VG=VS VGS=0 PMOS肯定不导通啊,要不换一个Vgs为±20V的PMOS

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    R103能计算出来是多少K?  详情 回复 发表于 2018-9-25 12:00

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    13#
     楼主| 发表于 2018-9-25 12:00 | 只看该作者
    lize314 发表于 2018-9-25 11:340 n; F$ n" G# _: _: W6 m
    原理图没问题,应该是VGS的电压问题,输入高电平,VGS=-14V 增大R103 调小VGS就行了
    # w( m4 V, U4 l: g你去掉R103 VG=VS VGS ...

    ; S" I7 T3 B$ X; uR103能计算出来是多少K?0 }, O, ~3 B& k8 _6 b8 T9 `

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    电阻串联分压计算还不会吗?  详情 回复 发表于 2018-9-25 13:32

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2018-9-25 13:32 | 只看该作者
    jongchen 发表于 2018-9-25 12:00
    $ V3 j, W, a- S$ {  Q  z& LR103能计算出来是多少K?
    1 g& J- w( ]+ V6 @/ e
    电阻串联分压计算还不会吗?& @' e8 q' u9 u; n+ I2 ?

    点评

    谢谢,画的原理图是3401耐压是30V,这个值小了,现在改成长电的CJU40P04有40V,VGS=-20V ,把R101,R103改为10K,分压等于14V,小于VGS=-20V,现在去买样品来搭电路试试。[attachimg]151340[/attachimg]  详情 回复 发表于 2018-9-25 14:12
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