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本帖最后由 如意qq 于 2018-9-7 11:04 编辑 ; V" F9 \) b& s; V, f9 X, j: a
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转——氮化镓场效应晶体管与硅功率器件比拼 之 包络跟踪 : m) W& ]- C1 {0 F1 I/ R
用于射频(RF)放大器的包络跟踪(ET) 并不是一个全新的概念,但随着我们需要移动电话具备更长的电池寿命、基站需具备更高电源效率,以及昂贵的射频传送器需要实现更大输出功率,使用包络跟踪来 改善射频功放(PA)系统的效率逐渐成为了研发的重要议题。包络跟踪能否提高效率关键在于功放的峰值与平均功率比(PAPR)的要求。图1展示了在使用固 定的供电电压时,功放的峰值效率可以高达65%,但由于给定的峰均比(PAPR)高达10,因此,平均效率有可能低于25%。通过调制功放的供电电压,可 改善功放平均效率达50%以上——相当于效率增长达一倍和减少功放损耗达三分之二。这样不仅降低功耗,也降低操作成本,并满足散热及尺寸等各方面的要求。
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