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LDO噪声来源以及对射频频综输出相噪的影响

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发表于 2018-8-29 11:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-9-6 18:18 编辑
2 A. K* R0 c  c! W
) p' y# I  {' o$ n LDO噪声来源以及对射频频综输出相噪的影响
摘要
相位噪声是时钟、射频频综最为关注的技术指标之一。影响锁相环相噪的因素有很多,比如电源、参考源相噪、VCO自身的相噪、环路滤波器的设置等。其中,电源引入的低频噪声往往对锁相环的近端相噪有着很大的影响。对于高性能的时钟和射频频综产品,为了获得极低的相噪性能,往往采用低噪声的LDO供电。然而,采用不同的LDO给频综供电,取得的相噪性能往往会有很大差别,同时,LDO外围电路设计也会影响到频综的相噪性能。

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本文首先简要地介绍了LDO的噪声来源及环路稳定性对输出噪声的影响;其次,根据调频理论推导出VCO的相位噪声与LDO的噪声频谱密度的理论计算关系。在此基础上,为了验证LDO噪声对射频频综输出相噪的影响,分别采用TPS7A8101和TPS74401LDO评估板给TRF3765射频频综评估板供电,对比测试这两种情况下的TRF3765相噪曲线;同时,为了验证LDO环路稳定性对频综相噪的影响,针对TPS7A8101评估板的参考电路做出部分修改,并对比测试了电路修改前后的TRF3765输出相噪。
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