CPU散热器的电磁辐射仿真分析

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CPU散热器的电磁辐射仿真分析

       随着集成电路技术的高速发展，现代集成芯片的晶体管集成度和工作频率获得了较大提高，例如Intel处理器在一个内核中集成了上亿个晶体管，且工作频率已经超过2 GHz。目前，在器件水平上，CPU散热器的辐射发射已经成为一个主要的电磁辐射源。散热器上的能量主要由处理器里的硅核强耦合而来，另外还有散热器附近电路线的耦合。在GHz范围内，硅核的尺寸远小于时钟信号频率及其谐波的波长，所以硅核自身辐射很小，可忽略。但当能量耦合到散热器上情况就不同了，在这些频率上，散热器的尺寸相比于波长不能忽略。当散热器的固有频率接近于CPU的时钟信号频率时，散热器就表现出强辐射，很容易对周围环境产生电磁干扰，为了减少由此带来的干扰，必须要研究散热器的谐振特性及辐射特性。虽然无法精确模拟硅核中的电路以求解精确结果，但散热器的电磁特性随其相关参数(底面尺寸、鳍取向及高度)的变化趋势也非常重要。本文详细研究了散热器的底面尺寸长宽比、鳍的取向及高度对第一谐振频率(文中分析的均为第一谐振频率，以下简称谐振频率)，及谐振频率点处电场增益及辐射方向的影响。通过研究，找出一般规律，为散热器的设计及选取提供依据。

　
1 数值模型建立

　　在EMC标准问题的研究中，CPU散热器问题是电磁兼容的主要问题之一。对于传统CPU散热器的建模，通常把散热器分解成3个部分：接地面、激励源和散热器。从实际集成电路的电磁特性来看，可以将CPU核的电磁特性模拟为一个导体贴片。Brench认为可以将散热器模拟为一个固体块以简化计算。Das和Roy通过实验结果得出结论，可以用单极子天线模拟激励源。

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