找回密码
 注册
查看: 800450|回复: 374
打印 上一主题 下一主题

射频电路工程设计 RF Circuit Design 高清 pdf

    [复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2018-8-17 12:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
比较旧,但是够用,分享给大家
* F/ D- C5 k( Y& Z' r2 T
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复

  }8 }4 Z9 J' r9 K$ \/ g5 R* l; @" X$ c/ i
射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程,以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案;最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
" P% s1 }% ]/ r; {8 q1 g
" ~$ I% g0 ?- }" l射频电路工程设计目录
( b. e  Y7 T) H( j
4 E; z/ O/ X7 ~: e" h) [4 w$ n第一部分 单个射频模块
1 w& B( |" z$ \) n+ y# k
7 Y! F! m2 G! ], p第1章 低噪声放大器9 P8 v# S, b$ x+ {3 r  ~. H) p8 a
1.1 引言5 S) ~, C3 V. k  p
1.2 单端单管低噪声放大器
) l/ D% F: J; D, G( e- w, p1.3 单端级联低噪声放大器: y, @  |1 {) C/ O7 w  w$ r
1.4 带自动增益控制(AGC)性能的低噪声放大器5 J; H( E2 V6 r0 `! m8 z' Z4 h
参考文献
* F7 |, P7 M; X8 o' v- Y2 ]( T
2 b+ t; Y/ C4 t' g: Q$ g! M9 L, Q* \第2章 混频器
/ l: L, U/ T9 A  B/ Q; N0 r2.1 引言- d) o# B, V: \5 e: R
2.2 无源混频器
, |7 D* }- d" g2.3 有源混频器9 _& M. V; d5 g- D  b
2.4 设计方案* N4 ~" l8 Q6 Z5 ?8 D) V/ _- G
附录
1 V7 ^6 P5 N/ q- v& @: ~参考文献3 q( \0 k5 [0 ?. ^/ K3 |: E

; Z% h. o3 D. U. l% @第3章 差分对, |& ]* z4 X8 e
3.1 为什么需要差分对$ `* y; }4 b0 W, L& u7 f3 \
3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗( i8 N2 }/ t# p* z2 [' ~4 |, x
3.3 差分对电路的基本原理( x/ X: V9 P+ O% N
3.4 CMRR(共模抑制比)
  T* Z" _& S! R+ n# Z0 b- B附录8 j7 E7 m0 v8 j
参考文献7 ?1 _$ M" Z. @3 d2 E+ ?5 b

$ F" g+ p: x- _% K" d, c第4章 射频巴仑
9 \0 ]% j9 ~& F$ v3 j# N' X4.1 引言
! }! Q) q$ d) @! p! g$ h% U4.2 变压器巴仑
4 v) E1 x- s2 J+ r. Y4.3 LC巴仑1 r0 G8 S) k4 ]8 e* q5 N+ J
4.4 微带线巴仑
- N. z+ f$ \1 ?2 p4.5 混合巴仑
0 X# j9 D/ p! O) x3 e) d附录
& R) S, {2 a. e9 U% ^参考文献( u: {* u: j6 K( @1 b) |% k1 Q5 m1 O

- u! v& a" ~0 L' e+ \1 w7 K9 i第5章 调谐滤波器" N" a+ o8 o4 ?9 X; l/ [# q  E
5.1 通信系统中的调谐滤波器
8 F. D6 o" z: _; l5.2 两个谐振回路间的耦合5 i0 a! F( M6 D4 [0 i+ }
5.3 电路描述& P' t( `4 c! i8 Q
5.4 第二耦合的效果
! W0 }3 {3 R8 x) W5.5 性能" F; C% v3 s+ I9 s3 ~: M
参考文献3 R7 W% a: o( {* H' q

) }+ _( {8 p8 Z第6章 压控振荡器% ~% A$ U( R! G
6.1 “三点”式振荡器
. |, P; H0 v5 Y7 Z0 X1 O6.2 其他单端振荡器* _( g& o) C4 |( j2 h3 X
6.3 压控振荡器与锁相环
+ w/ l# L/ o6 @5 n! J6.4 单端VCO的设计实例
8 ~+ b+ i8 N' r) e& x+ [# l6.5 差分VCO与四相制VCO
# h1 j7 Q; H. f; u, R8 f2 v- q参考文献" W4 n& t, q: E) s- T  a5 S

, n7 L4 E' w; y" R  l/ C& @第7章 功率放大器" c9 s7 T  p$ V+ X& \" v3 p: m4 V
7.1 功率放大器的分类, V2 f* R4 Q: E' I, [* {+ ~
7.2 单端型功率放大器设计. C0 S$ e0 p) d, J' t& O
7.3 单端型功率放大器集成电路设计
  `9 g  M8 x2 W/ @7.4 推挽式功率放大器设计
/ w" |3 Y" O9 I2 n0 v( t" u( b  u# i7.5 带温度补偿的功率放大器
8 g8 S3 y6 h; l+ k) D5 ^7.6 带输出功率控制的功率放大器1 ~$ `8 a: F. }7 }
7.7 线性功率放大器
% K' r# Z+ Q& W" P2 l8 ?& W$ w参考文献
. e- |* P* v) g& h: p' V  n' U  B' [3 G3 ?# O+ f3 N9 u# ]/ v
第二部分 设计技术和技巧' }( O# `/ G7 t! S$ a
& |. m& z. D  g4 m
第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法& H1 w) @# M  x! N9 G* z
8.1 数模两类电路的分歧& I; M7 e" i/ F/ B- |
8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别) d. a  |/ l: r5 {& R$ I' e
8.3 结论
1 C# V/ \. ~% m; j0 H) @: h& H8.4 高速数字电路设计的注意点
5 F9 h- g- G" V参考文献6 g1 d. }, x4 R! a+ @: |

& r- `& m5 L3 I  v5 H# T第9章 电压与功率传输
. v) j2 J+ D) t/ c4 T2 Z+ ~) E9.1 电压从源传输到负载: a  m$ I: z+ m( Y
9.2 功率从源传输到负载  r9 |" W: z9 p0 g
9.3 阻抗共轭匹配
+ e+ X$ ?5 _$ f% W9.4 阻抗匹配的附加作用/ L8 ~% _7 O" u; j/ Y/ F4 z3 h7 x, K
附录
9 v8 V0 [- U: `参考文献2 O. h; u1 U& x( g$ }4 Q) }, i; _

: F/ F: s' l* R) l+ a5 B# u! Y) n  C第10章 窄带阻抗匹配
. W7 C* s! E; w7 e6 T10.1 引言& y9 A& T3 ?, a0 d& Z
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配
( N; p& J  @" L' X" [10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络# V/ s. s- J$ e5 v7 e/ s
10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络/ X  c- K# C8 S3 d
10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络
' {3 k3 e: y$ p3 |" N7 @) U( Y10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配
: M4 [5 w  O$ ?/ a* _10.7 阻抗匹配网络中的元件% y% l8 H5 ]# ?. o6 V9 {) q
附录; _3 H% y9 [3 k/ t
参考文献
& d" c0 I0 S+ }5 R+ K
  v' b. }8 E. k6 S+ v8 `第11章 宽带阻抗匹配5 ]% |0 [) N% w2 W
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
) G: I+ B  h; U+ Z& O11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
! F/ L! Y8 G* q; e1 n11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化0 v- q. H5 W( S9 c1 ?6 u
11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配, @6 v1 S6 y( [% t& }
11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论1 C9 M5 e& A7 H: S6 A- b
参考文献
8 B: Y' R3 J( n
) ]; o% W; ]' f( E/ ^6 u7 s9 P6 y第12章 器件的阻抗和增益
7 ~7 E9 `9 l/ a$ n& F12.1 引言
- x: t! k  @  G) W' P* V8 c12.2 密勒效应
9 T/ p% k; T' a12.3 双极晶体管的小信号模型: z) ~; E5 |7 p# E
12.4 CE(共射)结构的双极晶体管
8 t3 S& _" P9 j" l12.5 CB(共基)结构的双极晶体管6 Y4 A" z  W; Z/ f
12.6 CC(共集)结构的双极晶体管
% K4 Q8 K! R. K3 n) v; c12.7 MOSFET晶体管的小信号模型& i4 G% s# w! E, \7 K" H, V
12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点
% N0 c! d2 O/ w, _8 |12.9 CS(共源)结构的MOSFET晶体管
. I) s; t1 w. ~, o12.10 CG(共栅)结构的MOSFET晶体管
" y* P: m( R* |0 c7 v* P8 {% M% [12.11 CD(共漏)结构的MOSFET晶体管
1 [/ L" B$ c: a$ f, H12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较+ [; I  q! Z8 f( }6 P% E
参考文献0 W" y3 j% ?; N

5 Z8 J* N2 [% a) A+ P第13章 阻抗测量
+ H. X8 X3 Y* m4 V13.1 引言
+ T* ]: l0 {% V  D4 o' j13.2 标量电压测量与矢量电压测量) z, `, J  ?$ {( l, {1 ~- Q! j
13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗: A$ s- C7 \  L4 _9 Z( h. M2 z
13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法) ^; u4 E0 M( a2 M  z5 C
13.5 借助环形器进行阻抗测量
6 U3 X8 {: z/ v6 l附录% @; F6 a2 k: {6 g8 V. v4 s
参考文献% b7 }# D6 a# W2 M/ Y( g. N9 E
  B2 u% S" m1 x5 H6 z( g6 @
第14章 接地
5 q0 M4 S' F% a8 @# N14.1 接地的含义; d5 G; a- ^  e- S+ m
14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题
- [# h/ Y$ E0 d: ?# {5 _# I& M14.3 不良或不合适的接地举例
, y! [: K' D. y14.4 “零”电容
1 Z2 P0 p  a3 c/ K/ ~) ]3 F5 t14.5 1/4波长微带线
/ W6 y& C( ~, ^1 Q0 @附录
* D- M3 h3 m; O$ o- b参考文献0 J2 C# z, Y. t$ S; A
, U, k- U  n8 V0 i$ q
第15章 接地面的等势性和电流耦合
1 P' n/ @- P- ~7 m0 r% [7 l! i) D1 b( G15.1 接地面的等势性
: p' d3 ], _! n8 ~15.2 前向和反向电流耦合
9 Z4 Y" X8 J' L7 u) x15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片% e# a- [" T6 s+ L8 ^0 Q  l% J
附录
1 U; s# T7 `! u8 a参考文献
& U% I% F2 W* I# E* g! M* r6 V/ I% R! K5 W, ]- j7 k
第16章 射频集成电路(RFIC)与片上系统(SoC)
5 c6 J& ^1 {2 M5 f/ Z; |" s  l16.1 干扰和隔离
! _$ [3 {, \$ b, ~$ L; b16.2 使用金属盒屏蔽射频模块
' ^4 w7 J3 F( M$ T16.3 发展射频集成电路的强烈需求
  r9 r6 S% R% W1 Q16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号& P8 L. X  Q$ A1 K8 ^
16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法
6 |, M- s9 e5 h: U  t16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则
$ B) N% K( C& \: \3 b, W8 k& r16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈: \& F$ v$ V2 ]) k7 N, X2 ]
16.8 片上系统的前景
$ s5 l& _: O, p" A! P) Y16.9 下一个是什么
6 @9 b7 _) D6 R$ E% d附录
+ p$ c: D7 _7 W8 t/ {2 a) x4 v参考文献  J$ R0 Y* s! T( p( ]4 e
! L) Y& C# C/ ?, y6 x1 J
第17章 产品设计的可制造性
9 q. k* k. h$ }: k. w17.1 引言
3 v2 F6 I5 O. R" l17.2 6σ设计的含义
4 v- j, i' w; n3 B- ~# H, {17.3 逼近6σ设计
, B" x3 W2 C# K1 u1 L- [17.4 蒙特卡洛分析
7 ]0 j8 S) J- @4 k, {$ C( n" t附录
" C! e0 @4 o2 j4 ]4 `* h+ W参考文献7 k: j/ Q3 x( S. Q. j; f: {. a. s; S

3 \! N" L6 N% j4 d第三部分 射频系统分析) F1 K4 p' n7 j" t. T

# o, d' e5 `5 x' |* a+ s: C0 b' g第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析
1 o  j0 D9 u" Q) `+ L& {, R18.1 引言
6 }8 A+ a7 Q& A6 I$ H% d18.2 功率增益
6 }2 ~( p0 H  m18.3 噪声
% {' g4 {  W) Z& }$ V% p18.4 非线性
# j( V7 M5 y* Y2 I0 K; J; J18.5 其他参量
" {: W" ?9 ^, w) q7 E6 Z4 [18.6 射频系统分析示例
/ S+ o; a; S0 n1 d$ c+ {5 H附录& L! ]- }% T" C: _
参考文献
) {+ I4 H, c; E) N' d' T
  • TA的每日心情
    开心
    2021-3-14 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    推荐
    发表于 2018-8-22 19:24 | 只看该作者
    谢谢分享 学习

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2019-10-11 21:37 | 只看该作者
    学习来了                        
  • TA的每日心情
    奋斗
    2023-2-7 15:02
  • 签到天数: 206 天

    [LV.7]常住居民III

    5#
    发表于 2018-8-23 11:54 | 只看该作者
    谢谢分享, w&

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2018-8-25 00:00 | 只看该作者
    这个是什么资料
    7 A7 {" l5 [4 |, i- F9 L

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2018-8-30 10:28 | 只看该作者
    很好的设计资料
    - T, @4 V, c) r$ ~9 G

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2018-9-14 20:24 | 只看该作者
    学习,学习,谢谢分享

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2018-9-14 23:50 | 只看该作者
    谢谢分享 学习
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-6-2 01:43 , Processed in 0.093750 second(s), 28 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表