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比较旧,但是够用,分享给大家/ [/ S: n1 P/ {4 s
s: ^) U9 `; x- q% |3 u
! e9 [* s% U! t* Q" D W$ `《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程,以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案;最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。
9 ]( L( i3 V. O0 ]3 m* L
4 P* z2 ?' I0 V/ q3 h射频电路工程设计目录1 y9 J' B" M8 f
8 X/ U. u- M# @9 J Z第一部分 单个射频模块
7 z, k8 i$ f* r% O( |$ z
- ?2 g O" U& m u第1章 低噪声放大器' x) x( o8 v9 ], ~ o9 X' S
1.1 引言
) Q2 [6 ^& g8 u: z; Q3 a) X5 H1.2 单端单管低噪声放大器% s7 V2 J$ w; M) `, f- p7 Z
1.3 单端级联低噪声放大器
7 p) Q$ e+ Z* H# Q1.4 带自动增益控制(AGC)性能的低噪声放大器
% v" w/ t! X/ X6 V% Q* Z参考文献
- P5 |# H9 i: O$ Q" U/ D ]: v
. k/ V. M' S$ T! G第2章 混频器6 _+ S8 D, f7 K7 W: v
2.1 引言
9 U* }& J2 m# u0 W; V2.2 无源混频器
. L( [0 [. W$ e8 g4 w: c2.3 有源混频器/ v# A' r- G; w8 O7 @- R
2.4 设计方案; V A+ x3 j5 [0 y# i0 I
附录
! Q/ ~7 q r& {" s) Z7 ~参考文献1 G% E! J- }' \2 J. z+ z
. M4 x7 X: t' t5 H( f
第3章 差分对
9 ]1 i* c. ~. e/ C, @7 {3.1 为什么需要差分对: z6 h" W' e9 p* M) O& q$ m
3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗0 x% @0 W; d$ T: `* b
3.3 差分对电路的基本原理
8 L) `* q3 v4 l8 N0 U% H3.4 CMRR(共模抑制比): d5 e- W3 E! n) @9 V0 q
附录0 D. P! x. Z+ D* G, W6 Z3 q& P, O
参考文献& v% f) q6 X: E: }' e, o
# [7 q- a# s) D6 ]9 P u& |8 V第4章 射频巴仑
) `9 t: n9 ^8 o1 J, g. v8 d4.1 引言5 ?$ s- s" E9 e% X' K; p
4.2 变压器巴仑. F- x+ T4 m, r4 L+ Q/ V7 ?
4.3 LC巴仑& `- i# }1 Y; `$ r/ u
4.4 微带线巴仑% I' e0 v) m$ y% _: y( O" x
4.5 混合巴仑
F+ P. K* A3 q6 r9 P0 j- g附录
4 s2 ~4 @/ C0 V- t; B参考文献
# D" }* [0 C+ k3 t' J
; [/ }( [" P6 E第5章 调谐滤波器
+ D6 m8 r0 L3 z4 ?0 h5.1 通信系统中的调谐滤波器/ h% j+ M3 I/ K; S9 u" P8 L: Q
5.2 两个谐振回路间的耦合
, X( L; l, e; F# W! B5.3 电路描述4 I7 k& ]8 p. s; c8 [4 {2 N
5.4 第二耦合的效果
M6 t: Q% V$ E) V( x) B) s5.5 性能0 B; F' m. x( d/ t
参考文献
$ l2 {) F' n$ z* w, d) K3 m
# V/ k+ Y8 C; x0 O l5 A @第6章 压控振荡器
; A0 r2 q- g, q5 W. e, Y6.1 “三点”式振荡器4 x3 ]5 V; n: o
6.2 其他单端振荡器
0 E( _- s0 b4 J# \! B$ E2 g6.3 压控振荡器与锁相环
+ @0 ^* C6 g1 ^0 r9 H- u6.4 单端VCO的设计实例
( k* E* ~& S' e) A* q- y6.5 差分VCO与四相制VCO) g" a( Y" k F U
参考文献. [: K, B0 x8 U M1 X
& U3 s$ k, S3 ~第7章 功率放大器
- _. K+ j9 G% D' V; h8 I7.1 功率放大器的分类, P, E! m2 y; X$ y& A+ V( E
7.2 单端型功率放大器设计
4 T- ^4 @5 B) T7.3 单端型功率放大器集成电路设计. N- n& j5 F8 i* j- q) `' s+ u3 v
7.4 推挽式功率放大器设计: {: y7 U$ ]" \% d) i7 L" t
7.5 带温度补偿的功率放大器
+ ]4 B! g3 j9 A' I& m7.6 带输出功率控制的功率放大器; ]/ E5 a; l$ K) A
7.7 线性功率放大器
) P) _. n Q1 Q- R7 d, ~参考文献
5 t+ t& Y; @1 x
" f/ P- w- V c" P第二部分 设计技术和技巧
0 \* s+ o5 N& f5 c5 I7 L
% A% v3 |+ q; [- D/ p第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法7 Q* ?" Y5 e6 D# j
8.1 数模两类电路的分歧
3 U9 X: k! [2 _. a1 m" e: {" w: s7 I8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
' x; z* W1 i4 y8 B; Z- g5 C+ A8.3 结论8 p2 \, B( }( F5 |( n* \
8.4 高速数字电路设计的注意点1 V5 t* c0 ~$ H
参考文献
3 p) p$ K" A8 p9 g# X" [& H3 X8 `* s2 s+ O" y/ ?/ B
第9章 电压与功率传输
3 ^& Z* E( l) ~# {' R- h9.1 电压从源传输到负载, C/ S: h/ T" A' ]0 n
9.2 功率从源传输到负载( k4 v) W# h( {$ [# y
9.3 阻抗共轭匹配
1 c! Y( C6 |" N& S2 R3 W4 q4 y! x9.4 阻抗匹配的附加作用
@9 Q2 t# U7 Q" G附录8 u1 b4 w% ?! [# P9 B D+ `) n
参考文献
& P7 Z& `& T$ e/ }$ Z0 T/ o0 E; J0 p- l6 Y5 s8 i. \, H
第10章 窄带阻抗匹配
9 N9 n7 p E* C8 _( I10.1 引言5 G$ {9 r$ s# B. f" X
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配' J; I/ y+ z! W4 ^" e9 _' C
10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络
" n5 ]5 f3 _) M n* T5 ]8 Q, t10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络5 w/ L* C' I4 c
10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络
( T6 P C& x, M( Q6 n1 X10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配3 e) `! q0 m; I+ `* ]
10.7 阻抗匹配网络中的元件
1 u* H( l# }2 Z" R+ ^附录: o" M1 L" Q5 f" g
参考文献1 D0 c; M E1 q, x, `
. s: ]' M ?6 B% c第11章 宽带阻抗匹配/ S2 i7 X! O$ M" m$ H+ ~9 O8 z
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗( n2 v) h) n/ |& X- G
11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化1 ]2 j8 p4 m# |" C" T3 V
11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化9 l! |! m- A% Q8 p2 v. ^' B
11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配
" ?1 J# B4 p; m4 t C6 b11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论
1 |: y) B# t" V- M- v& C0 U6 I参考文献
8 C+ S+ }6 V# ^- p! W! p& ~9 y
M) V% W; ]( h9 N5 }! z* X# ?第12章 器件的阻抗和增益
- o% z, f5 k" t12.1 引言# N% w* r/ }) ]- b4 z' H; u9 G
12.2 密勒效应
' m1 m! E, [ M% B2 J( l, E) B/ f$ D12.3 双极晶体管的小信号模型/ }, M9 P. N. l" \( F4 g
12.4 CE(共射)结构的双极晶体管0 k7 ]/ {4 F3 R* @0 E/ f0 N" p
12.5 CB(共基)结构的双极晶体管# [7 N" `0 o; i- h
12.6 CC(共集)结构的双极晶体管
# h: P8 k/ ^5 _) b; B12.7 MOSFET晶体管的小信号模型
) i. C# }! y- r/ I12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点
' W B1 p2 n5 |, t1 f3 s$ }12.9 CS(共源)结构的MOSFET晶体管
9 z6 H# s0 ]2 g" a1 u; J, B: l12.10 CG(共栅)结构的MOSFET晶体管
2 u" f6 {& d' ^4 q. ~( l12.11 CD(共漏)结构的MOSFET晶体管
1 h8 ]- R/ A" z. I0 ]- _' v* f% L12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较# ~% ?" a+ s1 B, B
参考文献6 Q" V6 e- `* C* N+ G
3 i+ z0 _7 Q) p: ~" n
第13章 阻抗测量
% Y$ K* b& K) C t, M% p6 K) P# J13.1 引言3 Y% f4 T/ W9 s% o7 E1 W9 J) S
13.2 标量电压测量与矢量电压测量3 a/ b, m& Q3 J) {
13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗
' ]) v' |0 @( n) B1 X' A13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法
# d1 B- p3 e% ~- X1 @7 A' j/ C; x* `13.5 借助环形器进行阻抗测量
6 M, A: ?3 E, r$ _! n; \: p附录2 {& |9 \+ L E6 @) w. W8 R* `
参考文献
- \/ z5 ~) r3 \: p, r
; A4 o& M+ k5 P% Q第14章 接地
2 [8 a4 u0 J6 l& y, u14.1 接地的含义' E# o5 k+ k' ^7 f8 X& G
14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题
- |, d- E# [- Y% }$ y0 `1 ^ y14.3 不良或不合适的接地举例3 W* F) t- e: \* o/ h
14.4 “零”电容/ Q, V; w& E1 |
14.5 1/4波长微带线5 U0 e M! ~# E+ I# |9 M1 E
附录2 E9 K; @& U- g" P; `, H
参考文献7 `; r q. U+ c" F) ?# B
7 [0 D* _5 Z7 L
第15章 接地面的等势性和电流耦合+ w7 q) t+ o# v& H
15.1 接地面的等势性) Y( ~5 {4 Z# J+ x7 y0 ` @4 i
15.2 前向和反向电流耦合2 M* w: [' c, Y% ?4 N2 o: n3 E; b; N
15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片7 U2 I, k3 `, S, @
附录
8 d% S6 U8 N: A- ] I# ?参考文献4 N5 _! r3 |, D. q7 ?; R D& n
x4 V, _2 S/ y% W; w' D) k. U第16章 射频集成电路(RFIC)与片上系统(SoC); k2 n7 S9 E% H
16.1 干扰和隔离# \: O6 v7 ]: p5 m5 }, M" u
16.2 使用金属盒屏蔽射频模块
4 o- D( i# V: x5 \ {1 U16.3 发展射频集成电路的强烈需求; B8 O% ^6 M5 r
16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号
+ N) C+ ]1 r: U# ^) N$ ?16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法
/ Z# J5 J H1 f) d16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则& A3 Z/ r4 u' z. Q1 ?% p
16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈
2 h6 _) ^1 ~& a; _" A& o16.8 片上系统的前景
5 }; x) ?5 K; v3 h- d16.9 下一个是什么; y0 E1 d% z" R! |! t
附录6 T. _" {6 J: Q
参考文献* D+ ^& f6 ^- P; g5 B
4 X! m0 {. i; P! G/ P
第17章 产品设计的可制造性
. U+ D, v. ?# A. F$ F/ q17.1 引言% r; @( S' N/ U2 S5 z, p+ n; J2 ]
17.2 6σ设计的含义' p) j( q2 q* f) i: v
17.3 逼近6σ设计1 p% J6 H" E9 s6 }5 z) F1 O
17.4 蒙特卡洛分析. ^% E- V; W. [+ a1 L: W
附录7 g* _$ K8 z8 c
参考文献1 s4 V6 k- M' F
( S2 R3 y N. l* ~; c u
第三部分 射频系统分析7 z! Y! w( h6 V* l+ g2 d
5 q4 S* Q$ V3 P& K2 B
第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析2 u! G; I | d! |- t
18.1 引言
$ H) ^$ r2 L( H& h3 H18.2 功率增益
1 m# L4 c- I' m3 D* X: l/ s4 X18.3 噪声
- i% t$ C. o, A, Y: j! I18.4 非线性
/ J0 S, W+ n( N, T' e18.5 其他参量
) H0 }9 B* _! i: O9 A" f5 p18.6 射频系统分析示例
- h$ d4 c6 b: V附录
, V5 _6 U2 ?5 z参考文献
3 K' M9 B1 y4 u) U% U |
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