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比较旧，但是够用，分享给大家
6 H* P8 E7 n% a4 W: u$ x7 U
- q/ G9 f% @: g5 p. H' T0 P) n6 J( L) P7 D+ [
《射频电路工程设计》详细分析了LNA、混频器、差分对、巴仑、调谐滤波器、VCO和功率放大器等各种独立射频模块的设计过程，以工程设计的角度重点讨论了射频电路设计中阻抗匹配、接地及电流耦合、数字电路与射频电路的差异、电压功率传输、宽带阻抗匹配、窄带阻抗匹配、RFIC及SoC、产品的可制造性等基本设计技术与方案；最后介绍了射频电路系统分析中的系统增益、噪声系数、非线性现象等主要参数。) o; [' c R# m' o7 o+ O; ~
3 a- T- L$ U# ~, ?9 G# E射频电路工程设计目录( }# @( p8 o8 L+ L& m9 V% i
" ?) P7 U' ]: G第一部分 单个射频模块( G& Y7 b, ?; f$ ~
3 [1 H% J. R# U9 I/ h, A2 k第1章 低噪声放大器
) l! T0 `1 t& f% E# T7 r1.1 引言
! r2 { M1 u8 [1.2 单端单管低噪声放大器
5 d j, u) C1 {) D* g% Y1.3 单端级联低噪声放大器: c! L) \) |. `2 Q) \( C
1.4 带自动增益控制（AGC）性能的低噪声放大器
5 E9 X3 d! O. y2 x( G- i/ B参考文献# w' d2 f6 |# q3 ^4 ?' _
; ^' c) C4 M6 V* `* Q第2章 混频器
5 ?' m' f2 R3 W6 t! Z2.1 引言
3 X4 c' E+ e( `, u" S) [2.2 无源混频器
6 m! [. F ^1 e6 ?& Z2.3 有源混频器
) J8 U+ s- f) T5 C2.4 设计方案( p6 I2 @( H5 l
附录
1 {, T+ P! C7 T3 y参考文献* `( n- r- o) P5 p5 n' v) E
# |* q. s, b+ D
第3章 差分对& F, }* a# R- z5 Q! C
3.1 为什么需要差分对
: ]0 z/ b5 M) C; _4 X( b3.2 可以用一个电容来隔离直流偏置吗
j6 O* U9 Y2 x- b& ^# e3.3 差分对电路的基本原理/ X. O1 }9 Z5 f2 R4 }
3.4 CMRR（共模抑制比） n4 i5 f, H/ |
附录4 |8 _) d( h$ i) ~, g% k4 D
参考文献' O h3 S: ~& U
8 s3 V, N7 L6 z1 T7 u4 z* o( N第4章 射频巴仑
2 M; N! Q1 P8 z' H/ _8 d: p4.1 引言
; E# U, z% L$ z/ k' I+ k3 @* v4.2 变压器巴仑( x7 M; n9 r$ X4 u! t
4.3 LC巴仑* @2 d- q( {$ d( m2 n% }
4.4 微带线巴仑 }( _" H7 c9 I- h+ l: F
4.5 混合巴仑
/ r X4 x1 A" f9 L" g' \附录
& u# R7 v i6 F$ m# H7 z9 E参考文献
( O+ o. J. S! E; v3 Z7 D b8 c4 w- j& k9 G& e/ ^ N1 _! W
第5章 调谐滤波器7 e6 Q+ U `5 Z; T3 H2 o
5.1 通信系统中的调谐滤波器
& Z5 O& r* S5 n+ N; s! u: p ]6 ]5.2 两个谐振回路间的耦合
A& _9 N& \0 D. s5.3 电路描述
* D0 v( G/ _) b5.4 第二耦合的效果" P) V+ `$ u% ~3 W: O( F
5.5 性能6 F+ R# X1 _+ W* [; e4 U3 z
参考文献# ^. n8 M' z) I; G- W, S
4 _5 j1 J* N, q$ h+ n( J第6章 压控振荡器! ^+ z% r; Y/ F X
6.1 “三点”式振荡器
9 ^4 }+ d8 ]6 R6 T: D6.2 其他单端振荡器
( r" [1 d4 i6 q" {6.3 压控振荡器与锁相环3 S( T: l& a" k& z5 f$ X ^' t/ Z+ G! `
6.4 单端VCO的设计实例
! R* Q! Q z0 H. y& y1 j6.5 差分VCO与四相制VCO$ i9 s q* [7 h' @* i5 M
参考文献
$ l# `3 e5 h" _( m4 \6 L( W
8 M* o0 i) K% U. v4 @8 q' G第7章 功率放大器; X2 C' _2 M$ I/ w
7.1 功率放大器的分类5 g2 q- r1 R& N4 \" G% Q
7.2 单端型功率放大器设计
- ]! V2 P; T+ N' w V2 L1 P3 Y7 P; j7.3 单端型功率放大器集成电路设计' [* N+ l& ~0 j" |* W
7.4 推挽式功率放大器设计
! [8 S% `5 p R" J& _3 m4 Y9 r7.5 带温度补偿的功率放大器
1 ~7 I- Q) _( `" J+ D7.6 带输出功率控制的功率放大器
# I% t% j7 u# s( ^# t0 V2 ?7.7 线性功率放大器5 W# `! z, y1 D0 w8 }
参考文献& z$ M3 a' F7 z n
8 a2 t# p E1 p. U第二部分 设计技术和技巧
8 k V$ {/ d4 L3 T* P! _/ g, e! w0 Z$ w# t0 h
第8章 射频电路设计和数字电路设计的不同方法: D/ n0 q$ V8 I$ [6 I
8.1 数模两类电路的分歧
) \+ y* N- f. D7 p6 @5 |8.2 通信系统中射频电路模块和数字电路模块的差别
A4 X% G2 K- A7 ~' Y/ C8.3 结论
/ N8 [: g1 E# G% O. c- j8.4 高速数字电路设计的注意点5 C# j- x7 s& O
参考文献
! L8 g" ~+ A$ ]7 ?) P: K
) q5 P4 ~4 i% G' k; N第9章 电压与功率传输
9 l- T' [, V7 o: j+ T9.1 电压从源传输到负载% k8 \4 q" @. t1 ]; W# {' t6 ]
9.2 功率从源传输到负载$ H; `4 t% k: B2 J
9.3 阻抗共轭匹配% z4 P- V0 e9 G0 E3 e P
9.4 阻抗匹配的附加作用
- m$ U3 O1 O/ \8 R( ~% s附录0 X+ O8 X7 K" B5 z. j7 x, T
参考文献
5 _7 `$ m' ?9 p, `: M
) a- ]- w- G* u1 \4 ~$ k' a第10章 窄带阻抗匹配* M1 n& E. @) r% V" {
10.1 引言 b3 _1 `* b' w4 {% Q e
10.2 借助于调整回波损耗进行阻抗匹配% S" U9 A% k4 N/ |
10.3 由单个元件构成的阻抗匹配网络
$ X, l6 M3 G1 K, A$ e8 D10.4 两个元件构成的阻抗匹配网络
: S" }# P4 }- H) y$ E- ~- _10.5 由三个元件构成的阻抗匹配网络1 a/ z8 |# V, M4 u$ O+ ~7 }
10.6 当Zs或ZL不为50 Ω时的阻抗匹配, v- P* p: c8 I
10.7 阻抗匹配网络中的元件& l7 D7 g2 H: m; x
附录
9 t% Y4 F" K* Z9 n4 Q参考文献3 ?; _; b8 M6 {6 O( O ^3 ?
1 Z4 i P" z/ Y第11章 宽带阻抗匹配: D( [4 H$ ]( V$ n8 y. ^2 B
11.1 史密斯原图上的窄带和宽带回波损耗
1 }. y2 n# X. m* J& ]7 P% @% S9 x11.2 插入一个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化
; f2 J5 c# @$ m7 K: _11.3 插入由两个元件构成的臂或分支引起的阻抗变化6 D/ L9 m1 f7 j$ k0 ~- d# S
11.4 UMB系统IQ调制器设计中的阻抗匹配* E0 m0 S2 w, P" e1 I
11.5 宽带阻抗匹配网络的讨论9 }4 s) ?$ O7 e. U7 x) ^2 r0 C% U
参考文献
% h1 R O" G: P b
0 B [( B1 m6 ]: U K% z! @; m第12章 器件的阻抗和增益
: p- G8 F& i5 P- ^# _ C* w4 y12.1 引言: f" g7 c% \2 M
12.2 密勒效应% h% _4 x% }) _& i, ^0 g* |! F2 O! p
12.3 双极晶体管的小信号模型
9 t' N f. _8 c' R7 J5 h* }12.4 CE（共射）结构的双极晶体管
: V& Q! z A1 o9 i( C7 w( `12.5 CB（共基）结构的双极晶体管
q5 X7 t6 I+ [$ r i12.6 CC（共集）结构的双极晶体管
; }# _7 x5 u3 V; c! w0 N12.7 MOSFET晶体管的小信号模型
3 ]" Z0 a" w6 b' t0 n' X* {12.8 双极晶体管和MOSFET晶体管的相似点/ H+ v8 B' z. F& f' }) P5 u# n
12.9 CS（共源）结构的MOSFET晶体管
3 B3 E& M: D6 M' p3 h& f: G12.10 CG（共栅）结构的MOSFET晶体管
' `. J. P4 c8 x12.11 CD（共漏）结构的MOSFET晶体管
: ^) N; p. l8 _/ K/ e12.12 不同结构双极晶体管和MOSFET晶体管的比较
$ |* p5 i/ U1 K `3 N2 V2 x9 q6 z0 |参考文献; s( v/ G% k6 L. `8 o
# O) w$ G- B* j+ o6 S- G5 Q第13章 阻抗测量, M) h7 r7 d$ b+ K
13.1 引言
- b: O, {/ W0 k13.2 标量电压测量与矢量电压测量' D! E7 @0 x* N. [+ w8 l6 ]
13.3 采用网络分析仪直接测量阻抗
* }7 {% E0 C3 P13.4 用网络分析仪进行阻抗测量的另一种方法3 a& ?2 P: J0 t2 R
13.5 借助环形器进行阻抗测量
! e/ t/ g/ [) u附录
9 _* ] R5 B9 p" m( i1 ]# }参考文献/ A+ I" S% `# |- G- j. V
1 L2 Q& S2 B. E& |/ Y, h第14章 接地" e% b9 ^) A" b8 |- t* u4 r# H& c$ t
14.1 接地的含义
, F8 P- V" a. B6 I- u6 G7 s& l14.2 隐藏在原理图中可能的接地问题
0 b$ @. W$ N0 }& a) F% e14.3 不良或不合适的接地举例# K0 w3 Q% W2 w. w' D! R
14.4 “零”电容7 ?6 V" _6 M- U/ B! E: H: S; t3 c
14.5 1/4波长微带线3 K/ P2 t/ T9 u+ `' Z3 B
附录
' `1 ]" X$ h; V8 d参考文献: E5 Z9 N, D& t u1 s5 U- W
6 S& ^. [2 B$ l' W
第15章 接地面的等势性和电流耦合
s5 j+ M% e. w0 v! v3 a15.1 接地面的等势性
. M! x4 L5 ^8 R7 k9 O: m l15.2 前向和反向电流耦合
4 F# ?, \8 y2 p5 D15.3 具有多层金属层的PCB或IC芯片7 b* ^8 P- N$ z& O2 O7 h
附录5 h0 G! M, c- E. b' [, d
参考文献
9 _5 {4 ]; C% R* [1 |, i4 d2 [8 ?$ o8 l
第16章 射频集成电路（RFIC）与片上系统（SoC）
9 Q5 S, S ] p. e) `" I% w5 J16.1 干扰和隔离; q7 U4 H2 \# J* p
16.2 使用金属盒屏蔽射频模块! q8 P j4 e9 v ^
16.3 发展射频集成电路的强烈需求3 |& ~' c9 B% ~3 g
16.4 沿着集成电路衬底传输的干扰信号* _- P9 Z+ T! `( N" _6 E& J6 k
16.5 抑制来自外部空间的干扰的方法& j& B+ W, ~4 a/ H/ S- b
16.6 在射频模块和RFIC设计中应遵循的共同接地规则/ N, p( W5 w. n1 @5 b% O
16.7 射频集成电路设计中遇到的瓶颈# k( i1 b: G- d) g
16.8 片上系统的前景; r- M. |7 m3 L7 W% Q8 L! q! r% B1 e# G
16.9 下一个是什么
# s) B! x1 F, a2 z% y3 |: p附录( K; P8 v% g) ?9 ^+ A
参考文献! X& t8 g+ c! t$ H# \
4 g# c; S- m I% a) m Z第17章 产品设计的可制造性& I1 r7 ?" T$ c* N, V, d
17.1 引言
$ p3 u1 V1 X& h6 H3 j! p7 X17.2 6σ设计的含义2 q$ ]& z/ l9 s0 h0 ?% _7 Z
17.3 逼近6σ设计2 C, h; x% f' ?7 x% Y) D! q
17.4 蒙特卡洛分析+ l* B+ W' s& b, R
附录, |4 n* s2 H; C) ^
参考文献+ D6 t; l( d1 A2 ~& H
- Q4 l5 C! C( S* a& N7 [% g; [第三部分 射频系统分析. a6 _# W0 |, m6 [5 V) U" _! L
2 t$ f2 H/ }" H第18章 射频电路设计中的主要参量与系统分析0 S) e8 z! U. w6 f
18.1 引言; s, y' y) p9 _: f; b2 O/ t
18.2 功率增益
: t( N. \7 s% K18.3 噪声
% a, C, [. d) S/ |' p ?18.4 非线性
8 w7 W3 M2 E6 P! |# n+ O18.5 其他参量* Y( r0 x0 _ A# o3 @7 o! L
18.6 射频系统分析示例2 r X- d: Q6 y) {, X% X3 K' V, k( d
附录
; c/ S* Y( ]3 U5 E/ a4 l参考文献
7 B/ e; [+ o9 K K7 V, k |
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发表于 2018-8-17 12:00
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