NOR Flash的烧写问题

baijin232911

最近项目开发遇到一个问题，需要更换NOR FLASH,但是连接正常，擦出正常，但是烧写不成功，总是在E0040000失败，请论坛的大神帮忙看一下。
原来的NOR flash型号：JS28F512M29EWLA
& j& X  b* K5 I7 N0 y0 z新的NOR的型号： MT28EW01GABA1LJS-DSITfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg
  Q" J6 W5 V; U! x+ _* V
4 X" d. w, Z" E: sfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg

baijin232911

baijin232911 发表于 2018-5-6 14:44
7 n0 M3 F) k' O- J  H1 h" O谢谢超级狗您的解答，板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的，后来烧写到40000的时候就不行了 ...

今天烧写成功了。首先非常感谢超级狗的解答。做一下简单的问题的总结与思考。
# t1 K5 q0 {5 {; r% ~: g9 M2 y# x（1）烧写总是到40000失败，首先怀疑是硬件的连接。万用表测量电源电压，控制电压，结果都是正常；
; F: C- U. d2 F; w* d/ r（2）注意力转移到软件，是否是软件设置不当或者操作不正确导致，修改设置，问题依然存在；
, b( q) E0 K  y+ J9 d（3）软件给出的信息，连接设备正常，擦出正常，说明在基本的硬件连接上没有问题（感谢超级狗给出的准确定位，低地址没问题，但是高地址可能存在问题）
2 `+ q( w) ]# G* f（4）焦点再次注意到硬件的连接，从高地址一根一根查处，从新焊接，今天烧写成功。
经验：问题定位很难，但是思考的逻辑顺序一定要有：先硬件，再软件，软硬件配合（相互验证），逐步采用排除法，缩小问题的范围。这些前提是必须对发生的问题有着深刻的理解和认识，否则定位就很难，一直处于乱猜的状态，效率很低。希望自己以后多多学习，提高技能。
6 w6 o) Q" m- x/ g3 @9 z

baijin232911

3 S& Q# }8 P  v) h  K2 o; h

超級狗 发表于 2018-5-6 00:35
哈！如果只有一塊板子這樣，那極有可能是有高位址（High Address）銲接不良。
/ p  m& {) A, m7 U6 q1 q
; a6 {$ L) r# @- k! u因為讀取 CFI、下 Comma ...

  谢谢超级狗您的解答，板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的，后来烧写到40000的时候就不行了，出现了如上图所示的错误。  按照您的描述，16进制的40000约等于10进制的26K,算了一下，应该关注A18以后的地址线的焊接，这样理解不知道对不对。
  这几天我也看了手册，更换的NOR FLASH的型号应该比以前的速度要快，因为工艺的原因，如果排除硬件的原因，会不会要更改一些读写参数的时间设置满足要求。下周一再试一下
' D) }  M' Y* G. 不管怎样，搞清楚了VPP电压的意思和擦只要低位地址的信息，谢谢您的解答。

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电 ...

以前的閃存 Vpp 都要加 12V 高電壓才能做清除或寫入，現在的閃存 Vpp 可以加 Vcc 的電壓就能寫入，只不過有些閃存仍保留 Vpp 加高電壓能加速清除或寫入的功能。

外接萬用燒錄器通常會這樣設計，因為我沒有你的原理圖，不知到電路上是否有 Vpp 高壓的設計，所以做一下提醒（怕電壓過高把新型號的閃存弄壞了）。原則上 Vpp/WP# 有接 Vcc 就可以，清除及寫入會慢一些罷了。

另外請教一件事，0xE0040000 是系統中閃存起始的位址嗎？我只是要確認，是不是寫入第一個 Byte 或 Word 就發生問題了。

dqwuf2008

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超級狗

抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "program 1 over 0"，似乎意味著內容沒被清除乾淨。
' R+ F2 o% d$ _

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
6 l% H. ^& b; i' P( Z" H抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？
3 [, A# {9 `. A
一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "pro ...

首先感谢超级狗的热心解答，软件给的信息如下，擦除是成功的，至于bank的检测，至少在软件操作步骤上好像我没有遇到（我用的是J-link烧写）

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎？

+ F+ |2 ]  ~! U- E一般閃存抹除後的內容是 1（0xFF），就錯誤資訊來看 "pro ...

两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。
3 x  b3 ?' _8 F% h* e# k

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:20
9 q0 g! }8 o; F' V首先感谢超级狗的热心解答，软件给的信息如下，擦除是成功的，至于bank的检测，至少在软件操作步骤上好像 ...

擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成，你最好執行 Black Check 確認。
3 m  v$ a( Q& Y) z& q3 s- \5 g


# b+ {0 r5 l: y
# m1 d' _+ E* i; f  b: c0 V
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baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 10:44
擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成，你最好執行 Black Check 確認。

谢谢，资料很到位。我再看一下，把blank check 做一下。
) b1 h! @  r+ M$ w* }+ o

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。

加速寫入及擦除電壓也不同！


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超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的，都是镁光公司的芯片，只是不同系列的。

還有一個提醒︰
容量從 512M bit 變成 1G bit，當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧？
% e+ [, V& [) t# K8 k; b
7 L' f- ?; t) W1 n5 S, w
- [2 ], M: L1 J
- q/ J$ F) h! H( K% o2 q

超級狗

4 z( g- }; s( hMT28EW VHH Recommendation

呵～規矩還挺多的！

$ I4 I) V1 |1 e
' X' }. q2 O. e: _. T4 Q; B

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 11:58
' i1 Q+ R8 @4 s還有一個提醒︰
6 N; o* O9 S! d- w# l* v8 x容量從 512M bit 變成 1G bit，當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧？

( C, l* Y( ]4 X1 o( V- {这边都加了，用的0欧姆的电阻进行连接，超级狗，真心佩服你的细心和专业，向您学习。

baijin232911

超級狗 发表于 2018-5-5 11:21
加速寫入及擦除電壓也不同！

超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电压是从哪里来的呢？板子上没有这么高的电压。如果是这点导致的，怎么做相应的修改呢。准备再换一块试一下，先排除一下焊接的问题。
0 g$ c/ l, e* @

超級狗

baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
# {, N% x: y: i& J超级狗，有个问题请教一下：擦出电压不同，这点我没有注意，也不是很理解，如果按照数据手册描述，这个电 ...

1 Y8 a. e# e% Y. q( x哈！如果只有一塊板子這樣，那極有可能是有高位址（High Address）銲接不良。

因為讀取 CFI、下 Commanad Erase ……都只要低位址（0x555 或 0xAAA），所以 Link 階段及 Erase 可以成功。低位址的 Sector 也都能寫入，但到高位址就失敗了。
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