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NOR Flash的烧写问题

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  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:19
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2018-5-4 13:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    最近项目开发遇到一个问题,需要更换NOR FLASH,但是连接正常,擦出正常,但是烧写不成功,总是在E0040000失败,请论坛的大神帮忙看一下。0 u. R$ L# s8 C; k4 C
    原来的NOR flash型号:JS28F512M29EWLA
    : z9 p+ |3 i2 B新的NOR的型号: MT28EW01GABA1LJS-DSITfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg+ W* q5 Q9 W1 v# L- @: b

    4 v5 M; ]. q1 c. Z! f; @( Hfile:///C:/Users/PC/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-3560-20180504081126/Attach/Catch(05-04-13-15-30).jpg
    6 G) o8 M& R; n' \

    Catch(05-04-13-15-30).jpg (43.77 KB, 下载次数: 1)

    连接正常

    连接正常

    Catch5773(05-04-13-15-30).jpg (21.6 KB, 下载次数: 1)

    擦出正常

    擦出正常

    CatchD7DB(05-04-13-15-30).jpg (30.61 KB, 下载次数: 2)

    烧写不正常

    烧写不正常

    m29ew_256mb_2gb.pdf

    1.02 MB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

    原来FLASH的数据手册

    MT28EW_QLLP_01G_ABA_0SIT.pdf

    1.03 MB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

    更换后的数据手册

    tn1337_mg_m29ew_to_mt28ew.pdf

    291.19 KB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

    两者之间差别

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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2018-5-8 14:42 | 只看该作者
    baijin232911 发表于 2018-5-6 14:44* h% A7 c$ W1 Y
    谢谢超级狗您的解答,板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的,后来烧写到40000的时候就不行了 ...
    - k  U2 R# ~1 N: E! r
    今天烧写成功了。首先非常感谢超级狗的解答。做一下简单的问题的总结与思考。* A, {5 o4 s. S6 @6 g
    (1)烧写总是到40000失败,首先怀疑是硬件的连接。万用表测量电源电压,控制电压,结果都是正常;1 U  T5 s" W  V( Q
    (2)注意力转移到软件,是否是软件设置不当或者操作不正确导致,修改设置,问题依然存在;; F4 ]: ^( e' D7 U/ U7 m* I& e
    (3)软件给出的信息,连接设备正常,擦出正常,说明在基本的硬件连接上没有问题(感谢超级狗给出的准确定位,低地址没问题,但是高地址可能存在问题)( e) l4 V3 L1 B2 u
    (4)焦点再次注意到硬件的连接,从高地址一根一根查处,从新焊接,今天烧写成功。
    , `; ~& j7 p9 p. U经验:问题定位很难,但是思考的逻辑顺序一定要有:先硬件,再软件,软硬件配合(相互验证),逐步采用排除法,缩小问题的范围。这些前提是必须对发生的问题有着深刻的理解和认识,否则定位就很难,一直处于乱猜的状态,效率很低。希望自己以后多多学习,提高技能。0 ?7 K& x  i% ?+ i  W1 W7 I

    微信图片_20180508143024.jpg (255.51 KB, 下载次数: 6)

    微信图片_20180508143024.jpg

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    热心人!: 5.0
    热心人!: 5
    建議熟讀閃存的 Command 及 Erase 和 Write 流程,再深入可以研究時序。^_^  发表于 2018-5-9 09:51

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 很好!

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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2018-5-6 14:44 | 只看该作者
    本帖最后由 baijin232911 于 2018-5-6 15:05 编辑
    ! K7 [; ^/ [, {' |8 C
    超級狗 发表于 2018-5-6 00:35. {  N  J  l- T( u8 B8 y
    哈!如果只有一塊板子這樣,那極有可能是有高位址(High Address)銲接不良。
    . H8 I6 v. R% [. X! U
    3 J# s+ M) T4 L+ B因為讀取 CFI、下 Comma ...

    5 d* J9 J' k, z  谢谢超级狗您的解答,板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的,后来烧写到40000的时候就不行了,出现了如上图所示的错误。  按照您的描述,16进制的40000约等于10进制的26K,算了一下,应该关注A18以后的地址线的焊接,这样理解不知道对不对。% e) W6 o' d1 D" E  c
      这几天我也看了手册,更换的NOR FLASH的型号应该比以前的速度要快,因为工艺的原因,如果排除硬件的原因,会不会要更改一些读写参数的时间设置满足要求。下周一再试一下 9 ]7 }5 \8 l- N- p8 N
    . 不管怎样,搞清楚了VPP电压的意思和擦只要低位地址的信息,谢谢您的解答。

    点评

    今天烧写成功了。首先非常感谢超级狗的解答。做一下简单的问题的总结与思考。 (1)烧写总是到40000失败,首先怀疑是硬件的连接。万用表测量电源电压,控制电压,结果都是正常; (2)注意力转移到软件,是否是软  详情 回复 发表于 2018-5-8 14:42

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    发表于 2018-5-5 23:41 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2018-5-5 23:48 编辑
    ! v6 A* K- @/ X0 k6 Z
    baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38
    ( @6 j6 q2 V# A5 x3 A超级狗,有个问题请教一下:擦出电压不同,这点我没有注意,也不是很理解,如果按照数据手册描述,这个电 ...

    - b8 S3 C1 p% x8 D+ U以前的閃存 Vpp 都要加 12V 高電壓才能做清除或寫入,現在的閃存 Vpp 可以加 Vcc 的電壓就能寫入,只不過有些閃存仍保留 Vpp 加高電壓能加速清除或寫入的功能。/ w- }3 ~" f- U! x
    7 V" C# X' X: e% H
    外接萬用燒錄器通常會這樣設計,因為我沒有你的原理圖,不知到電路上是否有 Vpp 高壓的設計,所以做一下提醒(怕電壓過高把新型號的閃存弄壞了)。原則上 Vpp/WP# 有接 Vcc 就可以,清除及寫入會慢一些罷了。
    ; c' l) G, Y" `& A
    $ _: e- x! H7 N* w% p! _& W另外請教一件事,0xE0040000 是系統中閃存起始的位址嗎?我只是要確認,是不是寫入第一個 Byte 或 Word 就發生問題了。' G3 o9 r6 V' }. y# k

      K7 @$ d) v5 Z: y0 f+ @
    5 ?+ m5 i4 Y8 u" N' G

    点评

    從 Log 看前幾個 Sector 好像寫入成功!^_^  发表于 2018-5-6 00:08

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2018-5-4 15:53 | 只看该作者
    抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎?
    6 x1 }: \. y8 R7 r, P+ y" s9 X
    4 ]. T% `2 Y- W+ ^8 T一般閃存抹除後的內容是 10xFF),就錯誤資訊來看 "program 1 over 0",似乎意味著內容沒被清除乾淨。
    3 L9 o- ?  e; P; y+ \3 g6 w" l
      G4 l$ ~! i. J8 @2 j7 [/ ?; h" M1 y' F& o4 ]

    点评

    两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的,都是镁光公司的芯片,只是不同系列的。  详情 回复 发表于 2018-5-5 09:23
    首先感谢超级狗的热心解答,软件给的信息如下,擦除是成功的,至于bank的检测,至少在软件操作步骤上好像我没有遇到(我用的是J-link烧写)  详情 回复 发表于 2018-5-5 09:20
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    2019-11-20 15:19
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    [LV.1]初来乍到

    4#
     楼主| 发表于 2018-5-5 09:20 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-5-4 15:537 f, M5 l4 W- S
    抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎?
    8 @& K5 k3 t+ i8 a: `
    9 q) X  C. D9 l. }: N一般閃存抹除後的內容是 1(0xFF),就錯誤資訊來看 "pro ...

    1 ^3 e: T! _8 O" x# e, d; s首先感谢超级狗的热心解答,软件给的信息如下,擦除是成功的,至于bank的检测,至少在软件操作步骤上好像我没有遇到(我用的是J-link烧写)1 b! d& k8 ^# j- O# g

    微信图片_20180505091421.jpg (36.5 KB, 下载次数: 2)

    擦出成功

    擦出成功

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    擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成,你最好執行 Black Check 確認。  详情 回复 发表于 2018-5-5 10:44
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    5#
     楼主| 发表于 2018-5-5 09:23 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-5-4 15:53
    # p1 `' O0 A  m1 |! w) ~抹除完整顆閃存或寫入前有做 Blank Check 嗎?
    : G9 X9 l* b. H8 V8 E0 x8 F
    5 _2 U1 @) U9 |一般閃存抹除後的內容是 1(0xFF),就錯誤資訊來看 "pro ...
    # u' g! ^5 |" c# r1 q9 x
    两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的,都是镁光公司的芯片,只是不同系列的。
    ; w  t$ d1 V1 w) x

    点评

    還有一個提醒︰ 容量從 512M bit 變成 1G bit,當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧?  详情 回复 发表于 2018-5-5 11:58
    寫入及擦除電壓也不同!  详情 回复 发表于 2018-5-5 11:21

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2018-5-5 10:44 | 只看该作者
    baijin232911 发表于 2018-5-5 09:20
    $ t1 F& `% ]8 G. p+ {1 m3 _1 J首先感谢超级狗的热心解答,软件给的信息如下,擦除是成功的,至于bank的检测,至少在软件操作步骤上好像 ...

    # Q  z6 S8 r& q0 [! U- ^- R擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成,你最好執行 Black Check 確認。
    7 _  m% T3 Q" E, `1 t+ R6 [6 p0 A, C3 w& ^+ ^, T! |
    9 l! F) h2 w9 e$ F: B7 X0 Z  U

    2 R3 W/ H3 F8 k( ^& i
    $ P0 H3 o9 N& \9 W
    7 V; F6 b: u; d' K) I1 T% ~) h

    JFlash Command Line Option.jpg (145.36 KB, 下载次数: 2)

    JFlash Command Line Option.jpg

    UM08003.pdf

    656.4 KB, 下载次数: 5, 下载积分: 威望 -5

    点评

    谢谢,资料很到位。我再看一下,把blank check 做一下。  详情 回复 发表于 2018-5-5 11:18
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    开心
    2019-11-20 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
     楼主| 发表于 2018-5-5 11:18 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-5-5 10:44
    3 J8 b8 f# y0 M: `) p4 [' S擦除成功只是檢查 Erase Complete bit 回應工作完成,你最好執行 Black Check 確認。
    " M& r+ v' Q2 E
    谢谢,资料很到位。我再看一下,把blank check 做一下。
    * u: G: p7 f& ?

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2018-5-5 11:21 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2018-5-5 12:37 编辑
    ' d" S, w% W/ D% {9 D! C- `5 k# |
    baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23* {1 B, i% k9 ^2 X9 }0 O
    两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的,都是镁光公司的芯片,只是不同系列的。
    , \' Q& U+ m! @, K, u
    加速寫入及擦除電壓也不同!5 j  R1 D' [* u. n

    6 Q, z+ @# `  U" A- A" J
    . ]5 w- ^" [- N7 F6 M" q( E5 [

    JS28F512M29EWLA Vpp Voltage.jpg (53.14 KB, 下载次数: 2)

    JS28F512M29EWLA Vpp Voltage.jpg

    MT28EW01GABA1LJS VHH Voltage.jpg (100.38 KB, 下载次数: 1)

    MT28EW01GABA1LJS VHH Voltage.jpg

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    超级狗,有个问题请教一下:擦出电压不同,这点我没有注意,也不是很理解,如果按照数据手册描述,这个电压是从哪里来的呢?板子上没有这么高的电压。如果是这点导致的,怎么做相应的修改呢。准备再换一块试一下,先  详情 回复 发表于 2018-5-5 14:38

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2018-5-5 11:58 | 只看该作者
    baijin232911 发表于 2018-5-5 09:23
    - _4 o5 X2 |( F两个NOR FALSH完全是PIN-TO-PIN的,都是镁光公司的芯片,只是不同系列的。

    . E/ r& h4 P3 ]: X還有一個提醒︰
      {3 Y& P% j$ B6 r, B% ?# a- Y容量從 512M bit 變成 1G bit,當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧?. u  h3 Z3 H) }- r
    " V+ a' ]' w$ {$ Q( S/ k5 v# N, Z

    / H6 p- l" X. T8 F# l# j6 }9 E7 ?6 N/ X0 P4 T+ d9 O8 m1 {' e/ K

    点评

    这边都加了,用的0欧姆的电阻进行连接,超级狗,真心佩服你的细心和专业,向您学习。  详情 回复 发表于 2018-5-5 14:29

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2018-5-5 12:49 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2018-5-5 12:50 编辑
    0 u5 S, r# ?2 ~; g! r
    8 X! N! z, o) l8 t9 Z. }MT28EW VHH Recommendation
    % ?3 ^" k$ }5 u) f  u- v6 ^; T) j# D
    呵~規矩還挺多的!) F0 V4 d, n0 X) T
    - B6 b2 l9 F2 `, r/ M: Y& |! D& t. F% R
    . N$ ]+ r3 F( k+ x3 b: a" K5 ~

    6 V9 X6 j+ f: J) ^8 W2 E2 @$ ?
    % E* `# {  A" c% x* l# k: h+ j

    MT28EW VHH Recommendation.jpg (79.36 KB, 下载次数: 2)

    MT28EW VHH Recommendation.jpg
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    11#
     楼主| 发表于 2018-5-5 14:29 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-5-5 11:58
    3 |: Y7 |4 E& ]8 G; A; c還有一個提醒︰
    + C; K: m8 F2 `8 H3 Y容量從 512M bit 變成 1G bit,當初 PCB Layout 有多留一條 Address 訊號 A25 吧?

    * ?! `2 A% v  s这边都加了,用的0欧姆的电阻进行连接,超级狗,真心佩服你的细心和专业,向您学习。" G! e) z) L. j( Q0 Z' c- [

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    12#
     楼主| 发表于 2018-5-5 14:38 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-5-5 11:21
    / M2 R& \- U$ i+ K加速寫入及擦除電壓也不同!
    0 j% ?+ ^4 p( t7 P. O
    超级狗,有个问题请教一下:擦出电压不同,这点我没有注意,也不是很理解,如果按照数据手册描述,这个电压是从哪里来的呢?板子上没有这么高的电压。如果是这点导致的,怎么做相应的修改呢。准备再换一块试一下,先排除一下焊接的问题。
    $ V3 f3 a) R4 p! J9 T' w

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    哈!如果只有一塊板子這樣,那極有可能是有高位址(High Address)銲接不良。 因為讀取 CFI、下 Commanad Erase ……都只要低位址(0x555 或 0xAAA),所以 Link 階段及 Erase 可以成功。低位址的 Sector 也都能  详情 回复 发表于 2018-5-6 00:35
    以前的閃存 Vpp 都要加 12V 高電壓才能做清除或寫入,現在的閃存 Vpp 可以加 Vcc 的電壓就能寫入,只不過有些閃存仍保留 Vpp 加高電壓能加速清除或寫入的功能。 外接萬用燒錄器通常會這樣設計,因為我沒有你的原  详情 回复 发表于 2018-5-5 23:41

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    14#
    发表于 2018-5-6 00:35 | 只看该作者
    baijin232911 发表于 2018-5-5 14:38) `- }" z/ j! C5 E/ |# {0 W
    超级狗,有个问题请教一下:擦出电压不同,这点我没有注意,也不是很理解,如果按照数据手册描述,这个电 ...

    % O5 s/ s# |% f0 W! s' O0 ?哈!如果只有一塊板子這樣,那極有可能是有高位址High Address)銲接不良。
    2 r& H' c7 P5 U/ f' u* \! [& C7 h' }1 u# |
    因為讀取 CFI、下 Commanad Erase ……都只要低位址0x5550xAAA),所以 Link 階段及 Erase 可以成功。低位址的 Sector 也都能寫入,但到高位址就失敗了。3 B! R! {) J/ k! @
      B  e8 `$ y/ c- j/ }* |
    * Y+ c" r( W8 k
    7 `% S; k4 Z2 }& ^, w+ L- [

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    谢谢超级狗您的解答,板子的起始地址为0XE0000000,刚开始烧写是可以的,后来烧写到40000的时候就不行了,出现了如上图所示的错误。 按照您的描述,16进制的40000约等于2进制的26K,算了一下,应该关注A9以后的地址  详情 回复 发表于 2018-5-6 14:44
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