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xilinx demo DDR4&PCIE3&optical module

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发表于 2017-11-7 10:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 紫菁 于 2017-11-7 10:58 编辑
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这个板子个人感觉挺好的,BGA BREAK OUT全部使用VIA IN PAD的方法。 PCIE是削手指的工艺,外围有很多高速的光模块差分信号。 有不少可以学习的地方,和大家分享一下;
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发表于 2020-6-5 09:45 | 只看该作者
qingtian52014 发表于 2018-1-5 15:04
! g  L* t1 w$ e谁讲下 LAY20信号层,同层的DDR4的走线,同层为何不走一样的线宽?  其体现在DDR4的 地此线上面。若说是夹 ...

4 \& F1 Q9 N& B1 M( W- m1 h对于差分线来说,前后两段线宽有差别,原因有两点,1.按原线宽出线,走线间距太近了,怕加剧串扰,所以改成小线宽来走线,同时小线宽和原线宽阻抗控制都可以做到一致的,就不存在阻抗不连续的情况。2.生产工艺的问题。对于单端走线那边,不同的线宽阻抗肯定会失配,但是主要小线宽这一段距离尽量小,满足芯片的要求,问题不大的( V) r' f$ I& s3 }) R
  • TA的每日心情
    奋斗
    2023-3-6 15:55
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    发表于 2020-4-6 15:07 | 只看该作者
    qingtian52014 发表于 2018-1-5 15:04
    4 V' t- e7 t# T9 W* e谁讲下 LAY20信号层,同层的DDR4的走线,同层为何不走一样的线宽?  其体现在DDR4的 地此线上面。若说是夹 ...

    * t# x' r! Z3 |/ C1.是不是跨平面分割了的地方,所以才需要进行加粗* g! N4 W: B2 z9 V! S0 n( \+ t
    2.走线加粗本身就有抗干扰的能力增强
    0 Z5 g' z' m1 z, ?& y  T7 {( M3.我的问题是这样线宽不一致,突然改变,会造成阻抗突变?你这个是参考上的经典?" Q" U7 m3 q9 k" ?
    4.参考文件的权威度是如何?
    + w4 j: X1 u) e# E# I6 Q5.我老是金币不够下载不到,可以分享给我?766267001@qq.com非常感谢,我也想学习下好的做法?一起探讨下9 P8 D; Q/ R! O8 \# S2 I# T' `

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    发表于 2020-3-31 10:00 | 只看该作者
    这个板子个人感觉挺好的,BGA BREAK OUT全部使用VIA IN PAD的方法。 PCIE是削手指的工艺,外围有很多高速的光模块差分信号。 有不少可以学习的地方,和大家分享一下;)
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-18 15:43
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    [LV.9]以坛为家II

    5#
    发表于 2017-11-7 13:59 | 只看该作者
    学习一下,非常感谢

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2017-11-15 16:23 | 只看该作者
    学习一下,非常感谢

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2017-11-15 19:52 | 只看该作者
    有没有原理图啊,有原理图就更好了
    2 L2 D6 r/ o, Y! I0 T, T; K; s

    点评

    没有原理图  详情 回复 发表于 2020-4-6 12:53

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2017-11-15 20:56 | 只看该作者
    下载学习了
    6 {, S* l8 d5 i5 g, N

    该用户从未签到

    17#
    发表于 2017-11-21 12:54 | 只看该作者
    学习一下,非常感谢
    ! s' y6 O  x! N* d7 b- m
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