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为什么P沟道MOS的VDS电压做不大

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:57
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2017-9-15 17:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    请教为什么P沟道MOS管的VDS做不大。N沟道的MOS VDS可以做到几百V甚至1000V,P沟道的MOS的VDS通常在100V以内。是内部什么构造影响VDS的值差距很大。

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    好問題!啃了一晚的狗糧才找到答案。@_@!!!  发表于 2017-9-16 00:56

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    超級狗 + 3 先給樓主加 3 分,答得出來的給 5 分。

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    发表于 2017-9-17 22:49 | 只看该作者

    $ R$ g8 k% e- w6 a. N( n( o9 \http://www.360doc.com/content/16/0902/13/35356821_587762820.shtml$ K' ^, _2 `% v( E  Y$ I$ A

    : e2 e& H, Y1 M  j( J高压PMOS也有见过
    7 ^$ x: u- ]& Q4 r( M2 {% f
      m0 i( [* p- m, s' \

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    補充說明,為何 N-Channel MOSFET 比 P-Channel MOSFET 容易做到,答案就完整了!^_^  发表于 2017-9-18 08:58

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    2#
    发表于 2017-9-17 09:59 | 只看该作者
    强烈关注这个问题

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    4#
    发表于 2017-9-18 10:39 | 只看该作者
    在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍,在要求同样的导电时间下,只有把PMOS的宽长比设的更大一些,才能达到要求,这也就解释了同样面积的沟道,NMOS的导通内阻更低,工艺上做起来更容易,成本也更低小,PMOS较低的电流驱动能力,工作速度比NMOS要慢。
    , [2 P5 f$ A/ L( m% x* y! t" d4 @" X厚度会影响降低击穿电压值,同样体积,PMOS比NMOS厚度大耐压值低。

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    小弟只能做錦上添花的工作! 由於電子(Electron)的移動率(Mobility)比電洞(Hole)高,因此對於降低電阻,n 型雜質(n-TypeImpurity)的效果會比 p 型雜質(p-Type Impurity)來得好。 然而提高雜質濃度(Im  详情 回复 发表于 2017-9-18 13:01

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 高手在民間!

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    6#
    发表于 2017-9-18 13:01 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2017-9-18 17:58 编辑 " X% T1 g. V  s
    Aubrey 发表于 2017-9-18 10:39. H) r: c; [$ v. f$ c; A
    在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍,在要求同样的导电时间下,只有把PMOS的 ...
    8 Q1 r$ n) ]% ?' x, D- n
    小弟只能做錦上添花的工作!
    ( u( w% Q5 @- h( M1 s) Z- Q3 A) a
    由於電子Electron)的移動率Mobility)比電洞Hole)高,因此對於降低電阻,n 型雜質n-Type Impurity)的效果會比 p 型雜質p-Type Impurity)來得好。

    & l5 z4 D  v- T8 T
    然而提高雜質濃度Impurity Concentration),並非降低半導體電阻的萬靈丹。電子學也提到,當雜質濃度(Impurity Concentration)超過極限後,過多的載子(Carrier)移動時發生嚴重碰撞,反而會使移動率(Mobility)下降,這時半導體的電阻不減反增。
    8 J8 j# z; T  p/ {# ~3 L
    若要維持同樣的阻值,所需要的 p 型雜質(p-Type Impurity )濃度會比 n 型雜質(n-Type Impurity)濃度高很多。因此使用 p 型雜質(p-Type Impurity),會比 n 型雜質(n-Type Impurity)更容易達到飽和濃度。

    * m( U* k: n6 c( G3 mP Channel MOSFET 並不是做不到耐 VDS 高壓的規格,而是做出來的 RDS(on) 會讓你不想去用它。RDS(on) 過高,除了功率損耗Power Loss大之外,也讓半導體更容易發熱,壽命跟著縮短。

    ; W6 h' A: t! G1 R

    Carrirer Mobility.jpg (56.93 KB, 下载次数: 0)

    Carrirer Mobility.jpg

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    8#
    发表于 2018-4-7 09:29 | 只看该作者
    为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .pdf (1.19 MB, 下载次数: 1)
    $ u7 s2 H& w1 t7 J- C  O/ d
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