i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

# a9 P  |$ E% O: c& p% G# p/ \DDR Freq: 396 MHz
2 H7 U3 E$ B* A
ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
' C3 T; f+ L  G$ m+ T7 S9 t) s; l1 RWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
7 ?! p3 r, A  d- E! |3 f    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
& i. ]& a% d1 W7 U5 `7 y; L9 xWrite DQS delay result:
1 @% N% |) F1 u( s) ~, {1 P8 L7 ^   Write DQS0 delay: 7/256 CK
4 i- L& z$ Y" ~   Write DQS1 delay: 3/256 CK
  d; S' T) }0 d
8 T! w. `4 `  f4 d" h& y8 OStarting DQS gating calibration
. b. [! @& I! }, a5 W  t. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
0 x* f* C  y( J4 Z6 o4 J, f* s  |. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
) n$ s0 r( z; _+ _. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
4 l/ l/ K* S5 T6 Q. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
/ D3 L8 A" \0 I0 B1 |; c( v5 d. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
& \- V; a7 X8 Y8 U7 a. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. P) z( q& s6 m' X" B1 K$ D% |% f. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
7 y  X% ^3 ^: S+ g% f. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
2 O; e* }, l+ Y) V% MERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
, B% U0 x+ |/ Z: H8 \dram test fails for all values.
, x6 W- E  v) S3 R8 r. G9 S! l
Error: failed during ddr calibration

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
5 T' t; I( |* f可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

( _0 o; M5 U: ~  k+ ^% t试过，也不行
. ]9 d* o4 \6 C: G: p# o- o. r

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
$ y6 i1 i# v, ?+ {3 y生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

* O, i/ t( [. @) a! `7 ?填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
+ |/ l6 x- j* z+ e" @5 X

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
0 }7 f7 [4 F* g4 u/ I
ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
7 ]" o0 g8 l4 i( R6 e; wrunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
4 {6 l) i9 W" A  g# ^( o; ~* r8 c    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
- }: M$ J; q7 [! u! X   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
8 ~% F+ p4 \+ _" O. r- k3 a. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
; q- U3 b2 t4 Z: Z! O. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
& m7 T3 B; n0 c8 }1 y. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
! ^$ n, P6 k/ f. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
9 ?7 w4 Z( k, W' j! ?" ]2 {& ~. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
7 }9 A9 b1 t7 [+ Sdram test fails for all values.
. z' u1 z6 I/ i0 M1 ^( \
- m1 n4 s" Q' oError: failed during ddr calibration
1 P" K' z' A7 J! _& D( n

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
/ a; S5 w: l; A1 W8 ?试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
8 T1 }8 \% D  V5 ]# U还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。

! c: h  D% |8 k4 T

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
3 I5 z% _0 c4 u% B( f
/ D. l. T, ]% E: G1 khttps://community.nxp.com/thread/365106

# y, n& Z( n; |- A: b& d
- h+ j& L5 m, Z4 e% s, l

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  11 : DDR3
  

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
, t7 \' `7 B- Y+ f填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

: Y9 k1 Z: r$ x' b) U 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
9 O) n1 k8 K: z+ s6 u
  H, Z4 }" @- ]1 \( g" W

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark