i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
3 r$ \2 w! ]- ]1 w7 s  e2 m. W. x

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000000
2 _, h9 L% C, ~, mStart write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
, L; T& m3 k5 D+ o    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
  q2 t7 M. v5 t. h6 j! ^Write DQS delay result:
& f5 g" w) o( @& N* C   Write DQS0 delay: 7/256 CK
& I+ Y# w" z  z/ \1 U   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
1 G  W2 g- M; x* ~. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
4 p( E8 U3 d7 }. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
4 t$ y; X- R5 C% Y& G1 \  @. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
- i3 K" n& N; a8 o0 t5 Z! n. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
- ^5 A( ~# X! E1 |3 t3 |6 i8 Z. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
  S# p8 s8 s# J7 j3 G/ C. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.

Error: failed during ddr calibration

0 V6 b0 W0 G/ [4 o; D: I

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
8 x+ _" ]. c9 ~! ?- B) e! X可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
5 L/ z/ t8 [& j+ ?3 I3 n8 d生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

4 j8 c4 R: s3 X填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
. @" @  T7 c, @- {9 k( z
/ n2 n4 Q$ ^% J# Nddr_mr1=0x00000000
" n6 }# I3 z. |8 wStart write leveling calibration...
, z4 P# B5 d) Drunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
3 o" f' Q8 S) i5 y, ^1 w* B    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
2 V$ e2 o5 u/ k4 D    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
- H- P3 D' {; y6 Q8 o" h: ?Write DQS delay result:
+ Q: A4 r& J; v  D   Write DQS0 delay: 7/256 CK
: H" t* ^/ _$ O' R9 r   Write DQS1 delay: 3/256 CK
+ ~- M- k: M, C8 q2 D
Starting DQS gating calibration
- s2 Q* ?) b3 K4 s1 r) G. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. Q) A6 @9 z# L+ N. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
3 J, A0 o* O2 X0 Q4 y( e. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
0 x' ?( _( V, L, l; @. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
# D3 Y7 S$ A- |$ }% @" `. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. x- i/ _: J9 `! k9 Z* B. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
4 G( b' X# q9 `# ~* Z. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
2 b: D9 W9 y; T9 L, I* Adram test fails for all values.

Error: failed during ddr calibration
, M/ c) W% X# r/ R' Y

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
& k: O/ D$ F( j8 D试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。

- H7 i/ e8 ^, I5 b+ \

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。

* h7 D% t' R7 }( w) Ohttps://community.nxp.com/thread/365106


7 J- j5 T$ q( }  `6 B" a1 x- u

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  + y; O1 [% H2 E3 i- y+ Uhttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  11 : DDR3
  

2 y" d" x7 S" t

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
) I7 V1 O8 f$ P* C; E填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

/ T7 h# |2 k$ f% l* m+ v& T 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

3 B- w# U- W& o
# I; a' Q$ M4 {' r

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark