找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 2844|回复: 17
打印 上一主题 下一主题

i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

[复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2017-8-18 15:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

    EDA365欢迎您登录!

    您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

    x
    各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛,我们用的是1个DDR3芯片,就是跑不起来,哪位大神用过请指教一下啊" F) j/ I$ O$ I0 V2 J5 W

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    總有錯誤訊息吧?>_<|||  发表于 2017-8-18 15:48

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2017-8-18 16:01 | 只看该作者
    生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗?是否有参考的开发板?

    点评

    填的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的,PCB由4层变成6层的  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2017-8-19 13:11 | 只看该作者
    天的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的,PCB由4层变成6层的
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
     楼主| 发表于 2017-8-19 13:12 | 只看该作者

    : c- F% d6 j( z# O4 tDDR Freq: 396 MHz ; ]' v& r: x6 x+ H( C# L

    3 F( ~& ^' U9 `. I, n0 z1 ?: `ddr_mr1=0x00000000; s  K; t, L1 f+ x
    Start write leveling calibration...
    : |+ D9 [: f5 B; @0 c' grunning Write level HW calibration
    * y/ J# \) e+ l; g" X/ oWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    9 a+ Z$ D) w  |; g( V9 c4 `    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x000300071 `- i5 r$ ~/ S) s" k! i
        MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x000800080 u* f+ U4 X9 ^* _0 J
    Write DQS delay result:' _, U9 I7 }6 _  b  u( R
       Write DQS0 delay: 7/256 CK
    - M6 K/ w7 t* d1 [4 M! L   Write DQS1 delay: 3/256 CK( b3 @. V( D: |7 w7 H- ~
    7 J5 Y5 ]6 Q4 L' P1 D. Z  T: z
    Starting DQS gating calibration
    6 T8 N7 D( B* R3 w1 O. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
    # e( i6 R# [2 }. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011" i# b; x) ~7 P7 J5 u& v, `- h0 |
    . HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x000000116 a4 {; ~. D- \) v0 k
    . HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
    ) Z1 t% ?0 w) t6 F6 P. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
    + x9 f" C) m5 {! g4 y2 p. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x000000117 v: v" V/ K: W6 i4 M$ @0 j. c
    . HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
    ; B6 Y4 s3 x1 w5 j% r. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x000000113 T$ a! Z6 D3 I/ a
    . HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011( w8 B( ~% [" m! @8 T
    . HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
    2 S( r$ z0 h+ T. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
    : F0 A! p$ n; ]* x4 D2 j# C, ~  S8 l. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011* V4 }; Q$ _9 B' i" n
    . HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
    3 C! t; s: M% b8 p( `. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x000000114 q% X' R: f/ k5 A3 R
    ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
    ! ~5 w% X: I7 ^+ x. Wdram test fails for all values. & f7 @/ ]& f$ G! Y, X" X6 Q
    6 T# X! i7 h1 f( R" {7 |
    Error: failed during ddr calibration7 l7 `1 u! p# V
      Y7 z8 I7 z7 J- C% R" c' \. _

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2017-8-21 09:58 | 只看该作者
    4层改6层DDR阻抗控制做了吗?DDR尝试把频率降低再校准下

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2017-8-21 10:41 | 只看该作者
    可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration,一般ODT可以尝试60/120ohm。

    点评

    试过,也不行  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:10
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    7#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
    kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
    " O3 v9 \* q( N可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration,一般ODT可以尝试60/120ohm。

    : ]; Q# E  j" Z& e" d: O3 |试过,也不行
    # ?- v3 y0 Q* F4 {6 n) [& n

    点评

    我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。 还遇到过一次板子不稳定,有时能启动,有时不能启,是因为DDR容量比原来翻倍之后,没有更改内存刷新时间,自刷新时间太短造  详情 回复 发表于 2017-8-21 13:37
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    8#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:10 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01' A5 h- {! Y, C8 g) n7 Q5 g4 v
    生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗?是否有参考的开发板?
    ) }6 O$ G) A: d$ k1 k
    填的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的,PCB由4层变成6层的' f; m/ N2 K  y

    点评

    走線不變、但層數變了,銅皮夾層的厚度也會跟這改變,阻抗有可能會受到影響。 如 10 樓所言,可以嘗試調整驅動能力(Driving Strength)看看。  详情 回复 发表于 2017-8-21 14:28
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
     楼主| 发表于 2017-8-21 13:11 | 只看该作者
    DDR Freq: 396 MHz
    9 H7 I. v. L# E8 q" [4 e) ^0 W3 u$ F7 |- h9 {
    ddr_mr1=0x00000000
    ) {' O! W1 C- K$ r* m$ A9 ^Start write leveling calibration...
    8 x/ d, i- n  T! I6 E, t) `7 z2 o" ?" }running Write level HW calibration
    8 Y0 {% _8 ^5 u  wWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
      u7 J4 n. A: s/ U, J1 `/ ~+ L    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007  W9 F  C, u4 ]0 ~: @, ^; |  J
        MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
    7 F3 h  x" j. ]9 I& lWrite DQS delay result:; P# A4 B/ k5 C6 m' a) I
       Write DQS0 delay: 7/256 CK$ G6 H: M) @/ e3 U" W
       Write DQS1 delay: 3/256 CK4 E, b5 C" h1 \' y0 P
    : k. c/ \7 j) V' C; z
    Starting DQS gating calibration
    6 f4 b5 |  Y$ f( ^' y  j. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011: n9 n0 J. v  I4 {0 W
    . HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
    ; r/ T2 G  P0 w9 P. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
    3 Y+ H. O' D5 |+ b, ?( J. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011: _$ X( `. |5 M( t+ g& {" F
    . HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011, ~) |4 a4 d5 A9 t; z
    . HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
    3 b" Q1 A" ?* ~. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
    ) \6 f3 x8 ?* F% i7 l# ?& U, P. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011* T) j$ d. b0 z' e
    . HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011; A# B5 y  w8 a0 s4 y
    . HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
    ( \: O3 {  q* F. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
    5 ]4 d/ g$ P) p) K$ v# e) y0 W. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
    8 o- w* L, a( n. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011; h: X9 E+ f5 ], ]# g. z
    . HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
    & f+ g# Y$ t& H6 L; A! lERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
    & K! b3 p; P+ @7 mdram test fails for all values. 3 f) a! Y# G7 o1 A& H7 j

    : \& s4 u# r+ W; rError: failed during ddr calibration
    + K- G& p! D7 v3 L" p

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2017-8-21 13:37 | 只看该作者
    gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10( h3 F- d' C. \3 l! Q
    试过,也不行
    9 D# U1 S  g0 H9 U
    我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
    - S9 r$ q) \, [9 ^3 l6 i$ P  c还遇到过一次板子不稳定,有时能启动,有时不能启,是因为DDR容量比原来翻倍之后,没有更改内存刷新时间,自刷新时间太短造成的不稳定。( {, x# z' L/ W9 Y0 Q: E! l
    我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确,你可以参考一下。
    . y2 f- w% @! k$ \, e
    # Y; x0 ~5 U' u5 R; e

    评分

    参与人数 1威望 +3 收起 理由
    超級狗 + 3 很给力!

    查看全部评分

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2017-8-21 14:18 | 只看该作者
    挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人,有人做如下的建議。
    9 J* x3 E+ p6 A+ K
    - x* x. }) ~- Ehttps://community.nxp.com/thread/365106
    $ |. ~( g5 j! x) \; |$ D0 m% x. u- A0 z" ^: D

    9 n; u" I& v& b, F0 \
    • Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"' m7 @  |! `0 k5 a) z1 M# n: E4 f
      https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
    • Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
    • Try different DDR_SEL options  (11 or 10).7 K; |7 ]' e- O+ @4 z+ c
      10 : LPDDR2
        @) G( b/ T0 a% h11 : DDR3
      , U0 v4 I3 |. l7 x- w- L# R* f; Z! X

    ' o' Z6 g' @6 h/ r0 t
    ! K; c6 A( p+ B- s( d

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2017-8-21 14:28 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 5 s9 e0 @1 `7 W& F
    gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10" g! h% F1 O4 A! s
    填的参数是正确的,百分之三十的样机可以跑起来;DDR3是1G的 DDR3-1066,IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...
    1 \- t) z: `% }7 d
    走線不變、但層數變了,銅皮夾層的厚度也會跟著改變,阻抗有可能會受到影響。* `+ e% p4 b1 N9 k5 S) E
    / h8 [+ C) U( v/ h$ G. n$ u/ N
    如 10 樓所言,可以嘗試調整驅動能力Driving Strength)看看。0 Q/ n1 j3 ~) ?* N) }1 Q
      |5 e/ |8 ?& t4 c

    1 b: D( B$ Y6 q4 X# U, x7 F4 `

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2017-8-21 16:40 | 只看该作者
    狗版主,这么翻译飞卡要气死

    点评

    支持!: 5.0
    支持!: 5
    肥死卡好!>_<|||  发表于 2017-8-22 08:16
  • TA的每日心情
    开心
    2021-8-6 15:10
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    14#
     楼主| 发表于 2017-8-21 16:54 | 只看该作者
    已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的;我们从新焊接了新的1Gb的ddr3,就可以通过校正了

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2017-8-22 07:16 | 只看该作者
    路过,学习一下 mark
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-8-20 10:02 , Processed in 0.156250 second(s), 33 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表