i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

, s3 t5 K1 K7 h; QDDR Freq: 396 MHz

: w$ I  J2 K; lddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
* C3 d" H' n& u3 [) X7 |* w   Write DQS0 delay: 7/256 CK
" _* Z; X* t! F/ [8 ^$ |: O   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
$ X7 [& V& |% I2 d3 L/ L. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
; ^; P$ z: y" a0 x% k4 t" ^5 j/ F. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
; y9 i' F2 ^9 H! r! R, P- R! P. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
5 [( _. w- t) w% l% I. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
* g% s: x2 F& P" C2 J8 W. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
& [5 A* j) H+ z% X0 D. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
' w/ v7 C; i9 a- T* F5 W7 o. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
( c5 s& \+ K9 i+ \4 T  zERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
/ ?1 z* s$ r4 T6 v- ^( f' Q
" l9 D1 n5 S3 D2 W+ k* ]Error: failed during ddr calibration

6 K, K# H, a! H2 w' S. L5 M- F2 l

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

8 O* R1 y, i* m" i2 \试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
2 e4 E" d# P# Q$ M$ D  }7 A生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

% P# i% A% E( N; c* x填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
# |* v  w+ m& H/ d" C7 x
4 a3 P: P! \+ w3 a: _' u1 W5 o$ qddr_mr1=0x00000000
7 O0 i& ^, q" T0 C- ]$ GStart write leveling calibration...
running Write level HW calibration
9 s6 y% V( j, u6 i3 D, s2 T8 gWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
0 n; k2 ?' W# S% \4 b! C* H    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
- C: i. V+ S! S% b/ P0 \8 Q% w5 T   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
+ o. k  \' F# z$ e
Starting DQS gating calibration
1 P8 F; l9 @( V' ~( a( V7 I) X. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
0 e/ ~6 n3 H# x& q6 ?: A3 R8 C. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
5 @- F8 D* L( G: |2 e. e. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
( u' G5 B/ q! ^. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
5 t; h+ t6 p9 D5 Q7 y; A. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
' t! r# u  h7 }  |& ?. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
0 u% ^) |% l% P) Y" s. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
- E* r7 o$ u. p8 nERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
0 V$ ~( C1 G( ]: V* p* K& ?4 ^dram test fails for all values.
; }" \# t: [, I
. F+ d6 r4 n# [- g+ c. c# }Error: failed during ddr calibration
" }2 ?' ?& q( @0 j

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
- F8 G5 Z8 E' A7 d6 ?' w" I' _9 r

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
0 M* Q5 W* p3 n, u
3 c4 }- t0 {0 Uhttps://community.nxp.com/thread/365106
% S" \& t' M1 ~) h) ]& a8 u- u
& T8 o8 [5 b9 @

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  , V" k* L: j3 m7 Y( m10 : LPDDR2
  11 : DDR3
  / E' E" f3 [( W. i4 z! b5 L

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

9 Q9 x. V& @& Y+ K9 n, f# a! b如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

/ x% E8 y8 d- C2 V7 [4 z0 k

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark