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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › DDR3的这些NC的到底要不要？
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DDR3的这些NC的到底要不要？

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Aubrey

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1#
发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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# N% x2 Y6 G% D9 |9 m如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？
- w* m  D' K% p. ]+ ]9 n

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myiccdream

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2#
发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
, h. {4 o, O$ `8 p4 O比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

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Aubrey
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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WYL_GW

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3#
发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 1)

nc.jpg

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超級狗

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4#
发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。* F+ Q8 S8 ]$ J) B  o! ^# Z9 G
: s: S+ I5 w: ^; e( |# s( r

$ o& N- ~" G! d% ?6 M+ l0 a  a6 J1 u% a+ K3 Q! _. \4 T

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Aubrey
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16

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clp783

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5#
发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过，顺便看下。

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超級狗
支持！: 5
當心被流彈波及，有時候看熱鬧也會出事！^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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Aubrey

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6#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
0 q- ~% b7 Y5 h7 g; J# I1 R, q, P! S兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。! g) d# G5 \3 p! l
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...

- s) `% a. a0 z/ K您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分7 B- b- i0 @+ q( H) ?7 Y, d
. _& I5 a; ?  L1 H
Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 3)
; S" a# z7 u8 G7 O# ^' V: T% m. D* h8 T6 `9 B/ ]5 ]
! j* B! d+ s8 r2 M

# w9 o) S* ~% h# ?# l+ t+ U0 x3 D' q& o. d* `

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bingshuihuo
一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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Aubrey

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7#
 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的（多 ...

    • 0 @3 W5 Z- E2 \8 r7 G谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧 6 Q# C9 M$ @1 U) @  q5 @0 q

    点评

    超級狗
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    风的缘故

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    8#
    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    超級狗

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    9#
    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
    0 R1 p7 ~0 {/ `* b7 _# M谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    0 h) r0 u& @2 E& [. X7 t
    多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。
    6 F  \* c# P6 Z9 B$ b( @
    . u1 y  D$ R" S, }兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。
    1 @7 ~! S/ [/ L0 s7 F  l8 T% e5 X4 w: i- u" k
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
    • 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）
      - ?+ `. y3 v& I' h6 n! k2 t8 D' u) d$ r
    5 z1 k. P8 o8 ]- s1 G3 W' N

    + a+ }* T% Y: `* p5 s( y/ t, K, q: U

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    WYL_GW

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    10#
    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致，学习了。

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    bingshuihuo

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    11#
    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11
    3 J- X5 p9 `! e, a您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...

    7 J" ]  j- U5 t! j一般是兼容设计预留用8 P: B( U, k& L: g) ^# ?

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    yhg-cad

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    13#
    发表于 2019-11-14 17:57 | 只看该作者
    不错的解答，最近设计的3128也遇到这问题

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    anguchou
  • TA的每日心情
    开心
    2025-1-31 15:00

    • 签到天数: 1872 天

    [LV.Master]伴坛终老
    14#
    发表于 2019-11-15 13:09 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    无聊搞飞机

    该用户从未签到
    15#
    发表于 2019-11-15 17:48 | 只看该作者
    学习了

    “来自电巢APP”

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