DDR3的这些NC的到底要不要？

Aubrey

如图，参考的资料里面J1，J9，L1，L9，M7有两种不同的接法，问下这两种有什么区别？
' M% k5 D  i' t' b5 c3 D( Q

myiccdream

兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
  [& }# B& d& g* r  d' T比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就能用到了

WYL_GW

如果没看错是美光的颗粒，资料写的很清楚，不连，你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

超級狗

• ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。
• A15 是為了加大容量預留的（多了一根地址線容量變大）。
• CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的，因為 Pin K9 也是 CKE0，推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
  , M' C1 O$ Q' L! X- C* h  r( {

' c1 C" x: ~# {1 i3 Y# V! V8 ^
; x; P6 X! w( }# p
% D( W# G  ?3 Z( z% k) ^

clp783

路过，顺便看下。

Aubrey

myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
比如说128x16bit用不到那些NC脚，但是256X16bit就 ...

您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需要接这几个脚，2Gb（128MX16）和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb（512MX16）的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分

2 {" }( T9 N. f1 f% B" n3 p Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 10)

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Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 3)

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2017-3-27 10:11 上传

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4 n- [$ y: b% {1 H; a1 a# m1 H3 G& P
  ]5 k7 Q% R9 c8 \  t  L

Aubrey

超級狗 发表于 2017-3-27 09:48

ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）預留的。

A15 是為了加大容量預留的（多 ...

2 \  |, @/ y: @谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
* k$ ], k, K2 b1 j8 F$ i( x: }- S

风的缘故

一般是兼容设计预留用

超級狗

Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
谢谢版主 ，8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧

多數半導體在初期，大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量，並且要求空間小，雙顆粒封裝（DDP︰Dual Die Package）的做法就會出現。過些時日技術成熟了，單顆粒封裝（SDP︰ Single Die Package）就會取而代之。
* T( Q0 s: c, ^2 I
兩個 4Gb 的顆粒，等於一個 8Gb 顆粒，算法上是沒錯，但要注意封裝的方式。
9 i7 _& f4 j9 \; f9 r

• 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。（Data Bus 並接）
• 有的則是共用同一個 CS，讓 Data Bus 增寬一倍。（CS 並接，例如 16 bit -> 32 bit）
  ' j1 h+ P: M; _1 K- w

6 ~2 I5 G, ]6 A2 d4 d

WYL_GW

版主研究的好细致，学习了。

bingshuihuo

Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留，我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书，貌似只有8Gb（512MX16）才需 ...

: j( [, I/ a( K1 @3 F一般是兼容设计预留用
& Q+ k" j  o; L" C% `9 s0 {) ^

yzhfendou

学习了

yhg-cad

不错的解答，最近设计的3128也遇到这问题

anguchou

一般是兼容设计预留用

无聊搞飞机

学习了