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PMI芯片内部MOSFET 短路

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发表于 2017-2-7 00:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?
6 w; v2 i/ h7 B4 E 目前考虑的可能疑点和解决的办法:
5 x! |# G7 j4 A9 k4 B& {+ H: ?! e$ y6 H/ o' O3 L
  1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;+ m  q( M8 k' v7 A2 O3 x
  2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;% N1 _4 o3 `. {. h: V! l
  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。
/ I7 x  E0 L8 v
8 n( ~- z: Z4 s; G
0 {0 X7 \; W" ?( f/ y, C  Z" J   不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激
' D! T  k+ n8 h+ ~
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