PMI芯片内部MOSFET 短路

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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路，又遇到类似的现象吗，PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些？
6 w; v2 i/ h7 B4 E 目前考虑的可能疑点和解决的办法：
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  1.负载过大，热累计，瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏；
  2.PCB设计，旁路电容， 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS；
  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护，但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生，此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。
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0 {0 X7 \; W" ?( f/ y, C  Z" J   不知道哪位大侠有更高的解决办法，不胜感激
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