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PMI芯片内部MOSFET 短路

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发表于 2017-2-7 00:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?2 i: C. v5 v1 {) r4 S/ b- d0 }' T
目前考虑的可能疑点和解决的办法:, h+ g0 J9 W2 x
- l9 A9 S) D) ?. c/ \+ @
  1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;
; h8 u1 T( P6 r) ?1 t+ F* a  2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;
0 p3 d0 a/ M8 y; V# E4 k  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。
" F) D. m7 @: D% I
! x6 V5 Q/ j& e/ J( C( U% `' y0 w7 N4 h! o
   不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激
) b2 t. H# K' h5 e
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