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PMI芯片内部MOSFET 短路

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发表于 2017-2-7 00:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?+ u4 v+ R: n0 h9 [3 n2 w& }  K. D8 s
目前考虑的可能疑点和解决的办法:& F! \7 b+ Z* _. N8 x$ t

+ @2 A4 E. ]$ W  1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;
- O1 O% U; o( I6 H+ }/ t3 u( g  2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;/ d8 W0 C7 U9 }  v# h
  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。& H- {8 O* }$ y4 R

1 n, e+ L) V: N
  @0 o# v. T% q% Q/ d   不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激
! a  s0 E3 j$ s. B
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