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PMI芯片内部MOSFET 短路

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发表于 2017-2-7 00:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?
. n! l' ^1 `" r, ]4 v- s 目前考虑的可能疑点和解决的办法:6 ^8 H* j' s/ i! l
/ b" Q2 `  g6 N% {4 I
  1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;0 o1 k! l. d9 H8 y% F: w3 V; Q
  2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;
. v5 n& _% Q' {* W  W5 `  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。/ u- F: z* ]: f
' j, [3 u4 }0 l* c2 X3 a. o1 K' e6 R

# S7 i5 s& H4 e   不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激' {! h/ K* {( b, K; }$ G/ u
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