NMOS LDO 疑惑

wjy_sz

刚接触LDO，LDO分PMOS和NMOS，两者之间主要是压差不一样，PMOS的dropout是饱和压降Vdsat，而NMOSdropout是VGS（vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了，请大神指教，谢谢

kobeismygod

wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28
是的。。

# z* B' V& H! m) S3 ]+ d; Q) z1 d你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话，你的gate电压最大也就是VIN，那么你这个LDO的dropout就是VGSth，但是如果你有了CC，可以把gate电压再升高一点，那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT，也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。

hurry0603037

卧槽，问的太专业，等power 大牛解答，搬个小板凳来学习学习

zlpkcnm

只会P管和PMOS的，自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会  哈哈

kobeismygod

你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压，进而降低 dropout吗？

wjy_sz

kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41
' ~' J7 d! [8 q+ g6 C" j你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压，进而降低 dropout吗？

  u4 t1 t$ o- g/ S9 c& }7 A( t是的。。
5 K! D; `; M1 r# A0 T/ a- Q+ M

wjy_sz

kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
9 K% W- q/ k( w1 B/ F你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

+ {. }5 z: l  _6 \谢谢你的解惑。
4 i1 ?9 u, Q9 h9 J/ v' i! d2 iVGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

wjy_sz

wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
谢谢你的解惑。
3 u# \( I; |. EVGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

4 @0 a& a3 s! C# p: D7 [0 U是不是栅极电压G减源极电压S（源极电压为Vout）大于VGSth,即VG-VS（Vout）>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

wjy_sz

kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
- k+ s  f+ F% i& j" J- O: A# h! X你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

1 l% G& u  P2 H: c. I你的意思是加CC可以提高栅极电压，但是提高栅极电压，怎么会提高Vout呢？想不通。
% F; w6 K4 j5 v3 g, P

kobeismygod

wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
$ L) {1 f' }6 t" N0 Y# ]% [8 ~谢谢你的解惑。
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

  M0 ^5 l/ X( k& X! V! a0 z但是你LDO打开后，你的S极电压并不是零而是VOUT，那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了

aicongcong

学习一下