NMOS LDO 疑惑

wjy_sz

刚接触LDO，LDO分PMOS和NMOS，两者之间主要是压差不一样，PMOS的dropout是饱和压降Vdsat，而NMOSdropout是VGS（vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了，请大神指教，谢谢

kobeismygod

wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28
) [3 G& U# ~1 R0 C# ~% f是的。。

你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话，你的gate电压最大也就是VIN，那么你这个LDO的dropout就是VGSth，但是如果你有了CC，可以把gate电压再升高一点，那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT，也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。
+ x! n  s0 j) Z+ O8 F' _1 w! V

hurry0603037

卧槽，问的太专业，等power 大牛解答，搬个小板凳来学习学习

zlpkcnm

只会P管和PMOS的，自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会  哈哈

kobeismygod

你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压，进而降低 dropout吗？

wjy_sz

kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41
你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压，进而降低 dropout吗？

+ d( r, l+ g; v2 h' U是的。。

wjy_sz

kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

谢谢你的解惑。
+ z# j! O  P- d: N) v! GVGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
1 p# T1 M- D: d6 C

wjy_sz

wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
5 d' }- f! s8 z$ A: j7 ?谢谢你的解惑。
' `; m; `7 ^9 `' B( P# z2 @. cVGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

是不是栅极电压G减源极电压S（源极电压为Vout）大于VGSth,即VG-VS（Vout）>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

wjy_sz

kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

  }7 d5 C3 C7 |你的意思是加CC可以提高栅极电压，但是提高栅极电压，怎么会提高Vout呢？想不通。
9 Y, e' a6 }6 D

kobeismygod

wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
  e& H/ A% x5 x: u, B谢谢你的解惑。
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

8 R" S, {* q. u9 @# @1 U" `0 O! m$ u但是你LDO打开后，你的S极电压并不是零而是VOUT，那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了

aicongcong

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