NMOS LDO 疑惑

wjy_sz · 发表于 2016-6-27 09:32

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刚接触LDO，LDO分PMOS和NMOS，两者之间主要是压差不一样，PMOS的dropout是饱和压降Vdsat，而NMOSdropout是VGS（vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了，请大神指教，谢谢

kobeismygod · 发表于 2016-7-21 15:11

wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28 @4 ]( L& S7 s/ j1 T% W
是的。。

你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话，你的gate电压最大也就是VIN，那么你这个LDO的dropout就是VGSth，但是如果你有了CC，可以把gate电压再升高一点，那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT，也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。

hurry0603037 · 发表于 2016-6-28 16:16

卧槽，问的太专业，等power 大牛解答，搬个小板凳来学习学习

zlpkcnm · 发表于 2016-6-29 09:10

只会P管和PMOS的，自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会哈哈

kobeismygod · 发表于 2016-6-29 11:41

你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压，进而降低 dropout吗？

wjy_sz · 发表于 2016-7-20 08:28

kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41
. P4 c4 Q" w6 U V1 \9 L9 g你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压，进而降低 dropout吗？

是的。。

wjy_sz · 发表于 2016-7-22 08:24

kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11; b! t$ B, n7 v5 G( D* z- l
你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

谢谢你的解惑。
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

wjy_sz · 发表于 2016-7-22 08:29

wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24, I+ H9 h4 x1 {" f7 f" L
谢谢你的解惑。
* n3 y, @$ h3 G# K; VVGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

是不是栅极电压G减源极电压S（源极电压为Vout）大于VGSth,即VG-VS（Vout）>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

wjy_sz · 发表于 2016-7-22 09:11

kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
& Q9 K. g4 R4 c" P; x }你自己已经回答了自己提出的问题，如果是NMOS的LDO，你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

你的意思是加CC可以提高栅极电压，但是提高栅极电压，怎么会提高Vout呢？想不通。

kobeismygod · 发表于 2016-7-22 09:21

wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24; P9 ]) I3 [# `+ q/ ~0 {
谢谢你的解惑。3 g1 A. X. {: i( l4 X; _% k
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通，为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

但是你LDO打开后，你的S极电压并不是零而是VOUT，那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了

aicongcong · 发表于 2019-6-28 10:52

学习一下

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