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NMOS LDO 疑惑

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1#
发表于 2016-6-27 09:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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刚接触LDO,LDO分PMOS和NMOS,两者之间主要是压差不一样,PMOS的dropout是饱和压降Vdsat,而NMOSdropout是VGS(vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了,请大神指教,谢谢

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发表于 2016-7-21 15:11 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28& k, C& S1 g' t
是的。。

0 V; @7 \* S, w& v1 \) w  V5 r  r9 i9 n你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高一点,那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT,也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。& ^1 o  ~9 r' F# ^$ Y

点评

你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:11
谢谢你的解惑。 VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:24

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2#
发表于 2016-6-28 16:16 | 只看该作者
卧槽,问的太专业,等power 大牛解答,搬个小板凳来学习学习

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3#
发表于 2016-6-29 09:10 | 只看该作者
只会P管和PMOS的,自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会  哈哈

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4#
发表于 2016-6-29 11:41 | 只看该作者
你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?

点评

是的。。  详情 回复 发表于 2016-7-20 08:28

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5#
 楼主| 发表于 2016-7-20 08:28 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41
( P' h5 `5 A% B% K1 C* s# `你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?

% \% U. O7 a2 c* C是的。。
2 `7 \1 _" S/ A  e8 \$ S# M0 W+ v$ C

点评

你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高  详情 回复 发表于 2016-7-21 15:11

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7#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:24 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
( r7 N$ q8 j' i% Q7 {( i7 v& F你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...
% o8 b. ]3 C* A- @4 k
谢谢你的解惑。
9 o' E2 T2 `' `/ M9 U" OVGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
; B1 T( Y: D5 E6 ^% p# H

点评

但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:21
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:29

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8#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:29 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:245 c) L% _) Z5 B2 K2 J2 u& j' z
谢谢你的解惑。
5 d- V9 t# b" j, X! z. ?5 fVGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
8 N; H% e4 a0 V
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

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9#
 楼主| 发表于 2016-7-22 09:11 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11. F0 l# m* C1 f' x( l6 m
你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

# r  N% i) S" \& d( U# e你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。
* Z6 y! R1 w) y: ^0 u" D# p$ O

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10#
发表于 2016-7-22 09:21 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
, b" Q: `4 D# b: m0 Q1 w谢谢你的解惑。
: a! f; T( M1 _& a7 a+ F' |VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
4 |; {3 S) N8 Y
但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了
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