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NMOS LDO 疑惑

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1#
发表于 2016-6-27 09:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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刚接触LDO,LDO分PMOS和NMOS,两者之间主要是压差不一样,PMOS的dropout是饱和压降Vdsat,而NMOSdropout是VGS(vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了,请大神指教,谢谢

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发表于 2016-7-21 15:11 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28: V' \7 q( D* Y9 T. b2 {* F. P8 G
是的。。

1 }2 m* Y; a: R6 p3 F( {你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高一点,那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT,也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。! y( O$ \3 O9 y% e

点评

你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:11
谢谢你的解惑。 VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:24

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2#
发表于 2016-6-28 16:16 | 只看该作者
卧槽,问的太专业,等power 大牛解答,搬个小板凳来学习学习

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3#
发表于 2016-6-29 09:10 | 只看该作者
只会P管和PMOS的,自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会  哈哈

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4#
发表于 2016-6-29 11:41 | 只看该作者
你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?

点评

是的。。  详情 回复 发表于 2016-7-20 08:28

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5#
 楼主| 发表于 2016-7-20 08:28 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41
$ q+ F1 o4 r) e! Y7 o$ n1 d& Y你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?
, \, d+ M' E! v! O
是的。。
* Q: @7 A' H" D" h2 E- \

点评

你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高  详情 回复 发表于 2016-7-21 15:11

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7#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:24 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
; P3 B+ a4 ?  Q# W4 p5 \1 n你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...
4 A( R) X7 {' f9 h7 V5 s
谢谢你的解惑。' M: C( |6 {' M* k, T% n
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。/ q# T5 Y% d+ B: n/ I

点评

但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:21
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:29

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8#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:29 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
& u0 `9 g* A5 f" R- R5 @6 f2 K+ n谢谢你的解惑。
6 m; F# V1 m; L; E% ZVGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

. v4 n) d0 }2 p7 v2 ^, h  {是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

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9#
 楼主| 发表于 2016-7-22 09:11 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
5 u; K4 H, f2 J$ ]4 D% Z你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...
! n4 J1 w0 X: k. {. C$ o
你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。, q* Q' b3 ~6 P

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10#
发表于 2016-7-22 09:21 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24. Q5 H$ [% |" Q  \! B/ {
谢谢你的解惑。
0 p0 y8 x  `0 [: I& @( A% D' O& \VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
  k+ T5 \' E: l
但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了
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