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NMOS LDO 疑惑

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1#
发表于 2016-6-27 09:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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刚接触LDO,LDO分PMOS和NMOS,两者之间主要是压差不一样,PMOS的dropout是饱和压降Vdsat,而NMOSdropout是VGS(vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了,请大神指教,谢谢

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发表于 2016-7-21 15:11 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28  @4 ]( L& S7 s/ j1 T% W
是的。。
' Q# i6 C8 j) V; Y. N
你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高一点,那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT,也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。4 @' T7 y& I. ]: P! J# f" H" ?3 Z* G! t

点评

你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:11
谢谢你的解惑。 VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:24

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2#
发表于 2016-6-28 16:16 | 只看该作者
卧槽,问的太专业,等power 大牛解答,搬个小板凳来学习学习

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3#
发表于 2016-6-29 09:10 | 只看该作者
只会P管和PMOS的,自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会  哈哈

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4#
发表于 2016-6-29 11:41 | 只看该作者
你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?

点评

是的。。  详情 回复 发表于 2016-7-20 08:28

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5#
 楼主| 发表于 2016-7-20 08:28 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41
. P4 c4 Q" w6 U  V1 \9 L9 g你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?
- a! M8 {. {3 [5 s- I6 A
是的。。0 k2 V- N9 B5 x/ k% p1 a

点评

你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高  详情 回复 发表于 2016-7-21 15:11

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7#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:24 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11; b! t$ B, n7 v5 G( D* z- l
你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...
2 }0 |0 P" F$ F: F; o
谢谢你的解惑。, H6 Q+ V+ s# R8 }$ p7 h
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。5 r7 H  J, w7 w7 Y4 a

点评

但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:21
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:29

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8#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:29 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24, I+ H9 h4 x1 {" f7 f" L
谢谢你的解惑。
* n3 y, @$ h3 G# K; VVGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
( [9 E5 C0 n4 f) E* y+ _
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

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9#
 楼主| 发表于 2016-7-22 09:11 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11
& Q9 K. g4 R4 c" P; x  }你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...
/ T. d' {2 f/ ^5 M2 u
你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。
" q& z0 Z# U$ ?  C

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10#
发表于 2016-7-22 09:21 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24; P9 ]) I3 [# `+ q/ ~0 {
谢谢你的解惑。3 g1 A. X. {: i( l4 X; _% k
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
( I$ k! g$ I' r' b! e  t
但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了
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