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NMOS LDO 疑惑

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1#
发表于 2016-6-27 09:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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刚接触LDO,LDO分PMOS和NMOS,两者之间主要是压差不一样,PMOS的dropout是饱和压降Vdsat,而NMOSdropout是VGS(vdast+Vth),为什么引入charge-pump提高误差放大器的电源就可以解决dropout大的问题了,请大神指教,谢谢

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发表于 2016-7-21 15:11 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-20 08:28
) [3 G& U# ~1 R0 C# ~% f是的。。
% N% V" t: {/ Y. }
你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高一点,那么同样的VIN你可以获得更高一点的VOUT,也就是等于dropout降低了。我是这样理解的。
+ x! n  s0 j) Z+ O8 F' _1 w! V

点评

你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:11
谢谢你的解惑。 VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:24

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2#
发表于 2016-6-28 16:16 | 只看该作者
卧槽,问的太专业,等power 大牛解答,搬个小板凳来学习学习

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3#
发表于 2016-6-29 09:10 | 只看该作者
只会P管和PMOS的,自己也能分立元件做LDO。nmos品种的不会  哈哈

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4#
发表于 2016-6-29 11:41 | 只看该作者
你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?

点评

是的。。  详情 回复 发表于 2016-7-20 08:28

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5#
 楼主| 发表于 2016-7-20 08:28 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-6-29 11:41/ o0 |$ f( f& ]& |
你是指NMOS LDO 电路中使用CC来提高gate极电压,进而降低 dropout吗?

+ d( r, l+ g; v2 h' U是的。。( z& k: [' k8 \) H* G

点评

你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的话,你的gate电压最大也就是VIN,那么你这个LDO的dropout就是VGSth,但是如果你有了CC,可以把gate电压再升高  详情 回复 发表于 2016-7-21 15:11

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7#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:24 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:11) a2 |7 ~9 s/ h! ~
你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...
' u$ r* C# @/ t. A
谢谢你的解惑。
+ z# j! O  P- d: N) v! GVGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
1 p# T1 M- D: d6 C

点评

但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:21
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。  详情 回复 发表于 2016-7-22 08:29

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8#
 楼主| 发表于 2016-7-22 08:29 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
5 d' }- f! s8 z$ A: j7 ?谢谢你的解惑。
' `; m; `7 ^9 `' B( P# z2 @. cVGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。
, U% m' D# I0 ~( i
是不是栅极电压G减源极电压S(源极电压为Vout)大于VGSth,即VG-VS(Vout)>VGSth,VG>VS(Vout)+VGSth,需要栅极电压大于输出电压加导通电压阈值。

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9#
 楼主| 发表于 2016-7-22 09:11 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2016-7-21 15:111 R- U  q: V2 P% o( g" ?
你自己已经回答了自己提出的问题,如果是NMOS的LDO,你的gate极驱动电压需要满足VGS>VGSth+VOUT,没有CC的 ...

  }7 d5 C3 C7 |你的意思是加CC可以提高栅极电压,但是提高栅极电压,怎么会提高Vout呢?想不通。
9 Y, e' a6 }6 D

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10#
发表于 2016-7-22 09:21 | 只看该作者
wjy_sz 发表于 2016-7-22 08:24
  e& H/ A% x5 x: u, B谢谢你的解惑。- _) X; P2 F9 T( i" L+ F0 g; x' {0 o
VGS>VGSth,NMOS管子就会导通,为什么还要VGS>VGSth+Vout?麻烦再帮我解释一下。

8 R" S, {* q. u9 @# @1 U" `0 O! m$ u但是你LDO打开后,你的S极电压并不是零而是VOUT,那么你就至少要让VGS>Vout+VGSth了
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