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请教一些仿真的问题

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1#
发表于 2008-11-4 16:16 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近刚开始学习PCB仿真,遇到很多不懂的地方,特来请教各位大虾~
0 `- F$ |, I% T; i. q8 A' Z# Z5 g$ i: d
1.信号的过冲和下冲:
2 Z9 P! `* X4 o/ `4 w+ I& c+ w假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?6 G: y! \; p2 H5 @: u
下冲的要求是不是以不跨越阀值为标准?! I' a  ^% b9 k$ T5 g" I8 E7 a- j

4 T+ l6 d0 ?! n7 d2.时序问题:- e$ m) ~* ?* r& S5 A
SDRAM的时钟信号一般是从ARMFPGA等CPU芯片提供,而CPU芯片的时钟又是由晶振或钟振提供,那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?- t) B, }/ y, h% M( X8 w3 s
5 x  |/ Q7 K3 l6 b/ P
用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?! y: I! B* r6 ]% C+ S6 P3 D
; o6 L) [) G7 X5 P( ~& x; }
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗?

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2#
发表于 2008-11-4 18:08 | 只看该作者
假设是一个3.3V电压工作的芯片,那么输入高电平信号VIH的MAX值一般是VDD+0.3V,在芯片的DATASHEET中有时候有附加说明允许小于3ns的5V多的脉冲,那么信号的正向过冲允许值应该是3.6V还是3.9V(电源范围3~3.6V)还是5V多的那个值?:
2 B0 c. e! i! b电平*时间的这种约束的芯片比较少,通常可以按照这个来约束,一般DDR会这样说的。/ P0 _6 K. W; k! o; x/ K4 j

+ V& T/ }4 C, c那么提供给SDRAM的时钟和CPU的时钟是什么关系呢?两者之间有延时吗?' {! o3 t/ g1 C
:这个给SDRAM的时钟,通常是CPU倍频得到的,就是CPU的系统时钟过一个PLL得到的。8 K, f# F+ y" W7 Y/ i0 e

! M. z0 p2 k2 i$ m8 z4 z! @
( ]2 L$ o: t- s; X: B用HyperLynx仿真得到时钟信号驱动端的波形里能看出来Tco吗?: 不能看出来,这个是做信号质量,不是时序分析。
5 O0 ]" x. k: {
; a- s+ X' y& v' A0 B
' \5 l) y3 U1 e# V* c驱动端到接收端的Tflight多少才是合格的呢?这个看你的时钟和数据的关系。: v: L0 _/ {6 K/ |8 L% i

8 M4 p, {: @4 s ! U/ ^  D; @  i3 b- O4 C
数据总线和地址总线的延时多少才是合格呢?是要建立时间裕量和保持时间裕量大于0就可以吗? :这个你要仔细看手册,就是的D触发器采样的基本原理。余量可以等于0.

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3#
发表于 2008-11-5 20:34 | 只看该作者
hyperlynx所能得到的就是buffer delay。
7 W8 N: V* S  I) J: E. z$ I, gTco是由包含内部逻辑延时的。IBIS反映的只有buffer信息。4 Q5 e; ]+ c8 k- s
不仅hyperlynx不能仿真出Tco,其他SI仿真工具也不行
" Q6 C% E+ T! f当然如果你有spice模型就可以得到Tco。而芯片厂商提供的Tco参数是通过实际测试校准得到的。

该用户从未签到

4#
 楼主| 发表于 2008-11-6 09:27 | 只看该作者
谢谢两位斑竹的解答~
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