朋友们，参考电源平面怎么理解？

jomvee

关于高频信号参考平面的理解：“高频和低频情况下回流路径会有不同，高频情况下会在信号正下方的电源平面镜像出一个参考回流路径”。你可以想象，波长很短的高频信号，在一段相对波长很长的传输线上传输，传输线上某个位点电压在随时间t在从0到1的电平波动，即△t内存在dv,加上传输线与靠近的平面之间存在容性C，利用C*dV/dt,便可知道此时刻存在电流流经C到平面回到源端。这些靠近的平面就是所谓的参考回流面，反之，波长很长的低频信号在相对很短的传输线上传输，在△t时刻内就几乎不存在电压变化dv，就没有瞬态电流流经平面，所以不严格要求低速信号要有参考面。

pads-tseng

我有一点点懂了

beyondoptic

信号是指信号路径和返回路径之间相邻点的电压差。

比如说DDR3设计有规范要求地址控制信号要参考电源平面。
那么信号参考电源平面和地平面的时候这个电压差会不同么？
3 L# T5 B! r' K+ d& r' |4 ~或者说返回路径和信号线之间的电压差和返回路径所在平面的电压是没有关系的么？

) f; s; t' C3 ]觉得这个问题不应该和回流和阻抗有关有关，现在问题在具体点，DDR3设计规范为什么要求地址和控制参考电源平面，希望高手回答。
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crhappy

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beyondoptic 发表于 2011-11-3 16:05
信号是指信号路径和返回路径之间相邻点的电压差。
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" `* A# _! i. R3 g: @比如说DDR3设计有规范要求地址控制信号要参考电源平面 ...

有种理解“参考电源平面”的说法是：电源平面与地平面相当于构成一个非常大的电容，因此之间的阻抗也很小很小。也就是当信号参考电源平面时也是在间接的参考地平面。而一般地平面更稳定，参考地平面可能会优于电源平面（当然排除严重地弹和严重不完整性的情况下）。
4 f4 I" t6 E- g& J( f4 z$ }而你所说的“DDR3设计有规范要求地址控制信号要参考电源平面”就要看具体的设计了。在DDR3中，相对地址控制信号而言，时钟信号、数据组信号等都更为重要，因此这些信号就优先参考了地平面。由于PCB设计中的其他因素，比如参考平面中就只有一个地平面，时钟信号、数据组信号都已先参考该平面走线了，而地址控制信号没办法一起参考了，就只能退一步去参考电源平面了。如果你的PCB有条件让这些信号都参考干净的地平面，那肯定最好了。
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个人理解，有不对的地方，望大家指教！

beyondoptic

crhappy 发表于 2011-11-30 14:43
有种理解“参考电源平面”的说法是：电源平面与地平面相当于构成一个非常大的电容，因此之间的阻抗也很 ...

* X! G% p4 m" b5 k! k+ S我这儿以Intel Romley平台DDR3为例，那里面以电源平面参考绝对不是因为地平面不够，反而是要求在完整的地平面挖一个参考电源平面。原因应该是芯片内部和DIMM都参考的电源平面。

% I5 f1 l0 Y. d7 O3 d1 n$ ]% t! T7 E1 GInter Romley的版本是April 2011，下面截图为182页的内容。
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beyondoptic

beyondoptic 发表于 2011-11-2 20:05
1 \8 R8 I- M/ |5 M/ H& U) Z信号是指信号路径和返回路径之间相邻点的电压差。
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" q2 G" H+ e- F- f/ j比如说DDR3设计有规范要求地址控制信号要参考电源平面 ...

我现在理解了，呵呵{:soso_e100:}
9 g( ~9 x9 o# \! O$ w% Y, w这个是必须从回流来考虑问题的。

redeveryday

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