有通过测量s参数反推介电常数的程序与方法吗？

mengzhuhao

有通过测量s参数反推介电常数的程序与方法吗？
3 q( {& I" p: d4 p

l888888h

首先内层线会好一些（将外层部分K掉）
/ _& w; A* Y) D, K然后通过时延（也就是相位）推出DK
然后通过损耗和DK推出DF
- K9 }* }/ v: C4 ^2 [
以上只是个人想法

菩提老树

这是肯定的，但是每一家使用的方法不太一样，目前大家都自己捂着，不会公布出来的。快捷、华为他们都有。

mengzhuhao

菩提老树 发表于 2015-12-8 12:15
这是肯定的，但是每一家使用的方法不太一样，目前大家都自己捂着，不会公布出来的。快捷、华为他们都有。

# I  `4 y$ H6 V+ f主要就是如何通过测量修正相关系数
, E3 e+ S  c+ s1 w7 l
设计被测的夹具有哪些比较好的方法与经验呢

菩提老树

mengzhuhao 发表于 2015-12-8 18:20
主要就是如何通过测量修正相关系数
* R; R/ K; m- S( ~& ?9 Q
% Q% w+ I& {- S' g设计被测的夹具有哪些比较好的方法与经验呢

3 P  w2 g2 e- |$ R0 W被测夹具的设计方法我相信网上应该有资料，其实最好的就是直接使用probe station进行测试，不需要做任何夹具，但是你得有这套设备，另外，就是LRM、TRL之类的去嵌方式。

mengzhuhao

菩提老树 发表于 2015-12-8 21:46
被测夹具的设计方法我相信网上应该有资料，其实最好的就是直接使用probe station进行测试，不需要做任何 ...

' \% [( a. G, L- @. m5 s7 L还有就是测量之后的推算方法

mengzhuhao

像混叠的介电材料 能通过测量分离出来吗？例如4层板 可以测量top-gnd与bottom-vcc与top-bottom这样的方式推导出中间层的介质材料的介电常数与插损角之类的数据？

还有像一些导体材料的特性与损耗的一些因素是否可以通过一定的公式近似计算出来呢

cousins

这种反推是否准确，有待考究。
1 U; O" Z0 }0 t3 j  ?1 lS参数毕竟是能量比结果，其可得到逆函数复数解不止一个，如果真是均匀的带状结构还比较可靠，如果是微带或者其他结构，凭S参数的S21和S11得出的结果和不确定的导线表面填充介质影响，在同一频率下是难以得到唯一的DK的。
如果仅作估算还是可以的。

cousins

mengzhuhao 发表于 2015-12-9 08:33
# k. M' P% x/ E4 Y2 |像混叠的介电材料 能通过测量分离出来吗？例如4层板 可以测量top-gnd与bottom-vcc与top-bottom这样的方式推 ...

: S" W! S1 M: E  TZeta_in=(Zin-Z0)/(Zin+Z0)=S11+(S21*S12/(1-(S22*Zeta_L)))
Zin=Z0*(Zl+i*Z0*tan(beta*l))/(Z0+i*Zl*tan(beta*l))
8 P: h7 N9 j% b6 N0 \, D其中Zs为源端口阻抗，Zin为输入阻抗，Zl为负载阻抗，Zeta_in/Zeta_L为输入反射系数和负载反射系数。beta为传输常数2*pi/lambda, l为物理长度。
3 Z8 j. `& G/ H2 R! z& h要反推处传输系数就要反推z0，显然测试可以得出S11,S21,S12,S22以及Zeta_L,由此确定Zeta_in.以及Zin反推处Z0
3 I, U$ B0 V' B: u9 o/ j& ^再由带状线Z0的物理结构公式反推出dk
2 t& D: D! j6 ^$ i1 N; L2 \; N. x5 TZ0=60*Ln(1.9*(2*h+t)/(0.8*w+t))/sqrt(DK)   
; r, l# K( i3 n
" w, N" J; s, M2 t# V至于微带，那就没那么简单了，正如我所说，介质填充，导体蚀刻等原因可能会有较大误差。
) b& p2 O1 i  X4 O6 Y, Y
" w' T% N+ V9 r( U( p. S1 O4 X) h

mindhen

可以参考“ADS”高速电路信号完整性应用实例 第5章 使用ADS进行反推算