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[仿真讨论] 请教关于金手指处理方式的问题

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1#
发表于 2015-12-7 11:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教大家一个问题,就是关于板卡上有金手指部分的内层铜皮如何处理的问题。一般常规是全部掏空,这种方式 是否能满足任何 情况下的 应用需要。如果不掏空 是出于什么考虑。谢谢!

该用户从未签到

2#
发表于 2015-12-7 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 菩提老树 于 2015-12-7 12:32 编辑
) u7 T5 e, Y/ \4 H8 q+ o: P9 a/ S2 r9 e& Y+ t; k$ p- \) m$ k5 _, T
不一定能满足所有的情况,因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

点评

厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不掏空是否会带来什么不良问题不  详情 回复 发表于 2015-12-7 15:20

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3#
 楼主| 发表于 2015-12-7 15:20 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-12-7 12:31
, h0 ]5 b( b: l2 R" h+ e/ ?不一定能满足所有的情况,因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。
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厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不掏空是否会带来什么不良问题不
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点评

掏是肯定的,陶不掏空就要看实际的情况。不陶的话可能有问题,阻抗不连续就是其中之一  详情 回复 发表于 2015-12-7 23:44

该用户从未签到

4#
发表于 2015-12-7 23:44 | 只看该作者
EDADQP 发表于 2015-12-7 15:209 [# A) N0 _, k0 }
厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不 ...
2 }# m; R' F* B0 \5 I" G
掏是肯定的,陶不掏空就要看实际的情况。不陶的话可能有问题,阻抗不连续就是其中之一3 e% C6 O! \' C5 p* z- j/ {
  • TA的每日心情
    擦汗
    2020-1-14 15:59
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2015-12-8 08:12 | 只看该作者
    挖了就是为了阻抗匹配
    , u! r' {+ d3 n大厂的板子都是这么做的吧

    点评

    郁闷的就是 一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗 。领导居然采用了。  详情 回复 发表于 2015-12-8 10:52

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2015-12-8 10:52 | 只看该作者
    mengzhuhao 发表于 2015-12-8 08:124 e5 ~% a' g" v  W$ e1 L
    挖了就是为了阻抗匹配; `& \8 H4 ~+ r( O- {
    大厂的板子都是这么做的吧
    6 V- m0 X& D; b# t: O
    郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居然采用了。
    / U0 B7 _+ J, U# b; {4 \2 f1 }/ H

    点评

    如果只有一侧有信号线的话 也可以理解为隔层参考  详情 回复 发表于 2015-12-8 18:22
  • TA的每日心情
    擦汗
    2020-1-14 15:59
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2015-12-8 18:22 | 只看该作者
    EDADQP 发表于 2015-12-8 10:52+ [' s% q& B/ ~8 w0 f  ^' Z2 ~6 k' N
    郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居 ...
    ' X2 ]! y* `: S% m. |
    如果只有一侧有信号线的话 也可以理解为隔层参考
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    ( U. [& ?9 A8 A/ k5 S& c% M
    1 r' z9 k+ {& O

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2015-12-9 09:59 | 只看该作者
    本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-9 10:02 编辑
    + a! P5 ~) |  x* P* w3 D/ y
    % w/ X8 b1 `4 ^4 i你可以从两点来看。4 n% N4 d, ~# ^! o9 o7 D1 [/ p
    一是边沿速率特别快的情况,这时金手指为一段宽的传输线,阻抗自然下降,只有挖空并隔层参考才能保持阻抗连续。
    ' J: i( Z% o8 d4 O1 L& V二是边沿速率不快,这时金手指就等效为一集总参数的电容,看这个电容是否超出规范要求。若超出,也要挖空参考层来减少电容效应。% Z4 Q4 }* z& L. [- h) o8 M/ R- N

    + I1 x& s5 `2 {4 {从这两点来看,挖空的都是会比不挖空好的,至于挖多大,还跟厚度有关。具体实际情况需要HFSS或Q3D仿真。

    点评

    根据第一点情况 产生一个问题, 当速率快的时候 金手指pin的部分 如同粗线。这样会导致阻抗偏低。那类似 这样情况的其它smd的插件 是否也会由于pin比较宽从而影响阻抗的大小呢.  详情 回复 发表于 2015-12-9 10:10

    该用户从未签到

    9#
     楼主| 发表于 2015-12-9 10:10 | 只看该作者
    tanghao113 发表于 2015-12-9 09:59
    $ y2 Q4 w6 F- _你可以从两点来看。
    & E9 B4 m6 G+ F5 i  q# k, H一是边沿速率特别快的情况,这时金手指为一段宽的传输线,阻抗自然下降,只有挖空并隔 ...
    - ?. h/ p) T: W3 C- n) o
    根据第一点情况 产生一个问题, 当速率快的时候 金手指pin的部分 如同粗线。这样会导致阻抗偏低。那类似 这样情况的其它smd的插件 是否也会由于pin比较宽从而影响阻抗的大小呢.
    7 |8 C" e% z: r) `. y) h

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2015-12-9 10:38 | 只看该作者
    我所知道的以往的不掏空做法,是为了给旁路电容和去耦电容的较短的地路径,但是只适用于较低速率的金手指接口,此时EMI比SI要难处理。; }' D) W8 q! c( _. Y* T1 f5 {
    高速率下都是优先净空保证阻抗连续。: S' v% H6 t7 U
    $ \- x% a0 t9 u, X. d& _) c* `2 ?

    该用户从未签到

    11#
     楼主| 发表于 2015-12-9 11:20 | 只看该作者
    谢谢大家的讲解
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