|
本帖最后由 vdakulav 于 2016-1-14 16:57 编辑 ( J' A. C, p! ?3 h+ \
" \$ ?9 o, n* ]2 V( h
呵呵,这个还真是研究过!
4 s$ u6 |4 b- M$ c" N1、上述各位的回答都是错的!PCIe标准里面明确规定:当两个设备通过连接器互联时,必须放置交流耦合电容到TX端;! _7 `) i4 v2 v E3 M5 d
2、放远放近最大的不同时高速信号传输中的介质损耗和趋肤效应不同,当放置靠近rx端时,介质损耗和趋肤效应产生的衰减较大,因此,电容引发的阻抗不连续反射效应降低,可以通过高速互联模型推导出,在靠近rx端的1/4处是比较理想的,实测也是如此;但是当距离不远时,区别不是特别大,因此,pcie标准中,对于板级的电容放置并没有要求。5 r8 X( e0 Y5 Q; O0 n
3、当加入连接器时,串扰和寄生电容/电感增加,互联线上损耗增多,其损耗减小了低频分量信号幅度,对于高频虽有减小但是减小幅度倍数没有低频多,如果放置在rx端,低频信号就衰减的太多了,但是,并不是不行;实测信号,也会发现放置在tx端时信号完整性更好一些(相对而言),而放置在rx端,如果距离长,信号整体衰减的比较厉害;' t+ J# x1 h3 z( R) u7 V
4、为了完善高速信号的可靠性,pcie在发送端加入了去加重技术,这进一步衰减了低频信号,如果再将电容放置远端,那么低频信号就是“雪上加霜”了;但是,也并不是不行;因此,有些设计里面,在tx和rx端都加电容,根据实际效果选择使用。同时都用的也存在,但是不建议这种用法,效果比较差!
8 O" p" F- h& X5 n( h综上:因为:连接器带来的信号干扰+去加重技术,导致低频信号幅度加剧衰减,没有和高频信号幅值同等衰减,信号整体“形状”发生畸变了,在这种情况下,要适当的调整低频信号衰减,因此,放置在tx端是非常必要的!但是这种做法加剧了容抗不连续反射的影响,因此,信号比起没有使用连接器还是要差的!- n2 Z, `6 h$ l0 _
另推广:! V) i; _. |, H8 ~* R/ d
1、凡是使用连接器的高速信号(背板高速信号设计),一般都是放置在tx端!1 _5 Q0 F j; Z( G1 }/ \, H+ u4 D
2、上述条件的例外是:如果使用了均衡器或预加重技术,当然还是放在rx端好了!7 c0 x" c$ y4 J! d; i* D+ p
3、因此,放置在哪一端,必须要根据该信号的处理技术和构成而言,要分析驱动器的方式、电平逻辑构成、信号类型等,传统经验放置在rx端并不一定好用!* c' d% }: |9 f; p2 G: {. O* O0 w
|
|