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求助:关于DCDC电路中MOSFET的开关损耗的分析计算方法。

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1#
发表于 2015-11-27 12:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近在看一些DCDC BUCK中关于电源效率的资料,发现里面只是有一个图示,效率对应温度、电流等参数的变化。那么问题来了,这些效率值,是带着外围电路的(MOSFET、电感、二极管),还是仅仅是IC本身的?
7 g. ^! z9 l% _+ [  {5 j2 O* J& Y/ q) M
另外谁能给我发一个文档,关于MOSFET开关损耗的详细分析计算,谢谢了。
9 C3 M1 P9 ]3 O0 ]

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2015-12-4 12:12 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-12-3 22:11
7 r% u/ {( E5 z  {+ x- Z請享用!
- d! g  \) L) x* w' H8 K5 x
感谢狗哥,有了这个做理论基础,评估电路腰板更直了!!!) `9 ~2 P3 W. u4 Y
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-14 15:00
  • 签到天数: 688 天

    [LV.9]以坛为家II

    9#
    发表于 2017-2-20 16:54 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-12-3 22:11# M, F$ Y0 s$ l' R! e# d' ], `$ M
    請享用!
    7 l! }: p& @% X2 W! Z
    好资料,就是吸收慢点,: G6 ~9 l) k. N  n' j4 c% U

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2017-2-22 13:38 | 只看该作者
    喝了这碗枸(狗)杞(鸡)汤!
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