请教-铜箔厚度对阻抗的影响

royafei

请教大家一个问题哈~在《于博士信号完整性揭秘》一书中第三章传输线（第53页），讨论了铜箔厚度对阻抗的影响。我的问题是：1，边缘场现象是什么？  2，为什么铜箔厚度增加后就会产生边缘场现象？3，边缘场为什么会导致电容增加？     谢谢大家的解答~~~

cousins

( i3 t- {/ m3 r. f: z9 T
1.理想的微带传输线，我们希望其电场方向为信号线的横截面底边指向参考层，但实际上这根信号线横截面的水平两边（即铜箔的厚度边）依然会有电场散射指向参考层以及空气中的0势面，这个边缘散出的电场就为边缘场。造成这个的原因也是因为导体上的电子运动时并非只在主要的平面流动，还有其横截面两边较窄的路径流动，只是流动的比例差异较大。
: U* f4 K$ a4 i2.由1你可以知道，当铜箔厚度增加，意味着这部分增加的厚度将可以容纳更多的电子运动，边缘场就会增强。
3.能量守恒。边缘场增加意味着传输线结构的主电场方向能量减弱，而边缘场对于我们C的贡献可以忽略不计。C=I*t/Epsilon,I为电流，在此处我们认为是个不变量，Epsilon为电势差，Epsilon=E*d,E为场强，d为电容结构的导体间距离，d未变化，E变弱，所以Epsilon变弱，所以C变大。
+ R' B- Y9 U5 D/ v6 K不过，需要说明的是，这个变化值不会很大。
6 v6 S" F7 t$ C, R5 H- d

12345liyunyun

边缘效应，铜箔厚度增加，容纳的电子就会增多，电子多了，边缘场就会增强

royafei

cousins 发表于 2015-10-22 12:25
) l* N' L) R) G% n' A  {+ A2 T# O4 o+ v1.理想的微带传输线，我们希望其电场方向为信号线的横截面底边指向参考层，但实际上这根信号线横截面的水平 ...

谢谢你的解答，非常详细易懂。有个小问题，公式C=I/Epsilon中是不是少了一个t？ 应该是C=(I*t)/Epsilon

royafei

12345liyunyun 发表于 2015-10-22 12:40
, S) F5 h. b. c边缘效应，铜箔厚度增加，容纳的电子就会增多，电子多了，边缘场就会增强

嗯嗯，谢谢你
* N( H$ `$ I+ f8 J

cousins

royafei 发表于 2015-10-22 14:29
8 g) J. s1 p: {4 ?- N5 n0 P" ~谢谢你的解答，非常详细易懂。有个小问题，公式C=I/Epsilon中是不是少了一个t？ 应该是C=(I*t)/Epsilon : ...

) q6 d4 g0 D0 j% ?8 g是的，少写了个t，已更正

sanshuai

cousins就是于博士啊？久仰大名...

cousins

sanshuai 发表于 2015-10-23 19:09
cousins就是于博士啊？久仰大名...

  ], ~+ o% n9 W4 F+ k我不是。于博士ID为于争

sanshuai

cousins 发表于 2015-10-25 11:12
# G5 r+ V- |  Q我不是。于博士ID为于争

got it