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MOS管里面的保护二极管和普通的肖特基二极管有什么区别?

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1#
发表于 2015-9-19 16:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压,为什么降的电压几乎没有,而用肖特基二极管不管电流多大都会有0.3V左右压降?请各位高手指教一下。谢谢
2 g4 E- e: C( D6 c7 j: d6 d  V. o) s# A

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发表于 2015-9-23 17:32 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-23 17:35 编辑 6 L& n( _+ W0 [& m! d! U

% m& ~* {- H: f3 j# e$ W/ DBGATE Pin Description
7 g+ }- h' K8 U% p1 IExternal Discharge MOSFET Gate Connection – BGATE drives an external P-Channel MOSFET to provide a very low-resistance discharge path. Connect BGATE to the gate of the external MOSFET. BGATE is low during high impedance mode and when no input is connected.
. K" \/ s- g, E& F- }  l+ v0 e( {% \4 K: [

4 E( g1 f: N1 h" f: t) V5 s. _
, E5 ~' }  K: y, V4 E, x

bq24161 BGATE.jpg (61.72 KB, 下载次数: 0)

bq24161 BGATE.jpg

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2#
发表于 2015-9-21 10:29 | 只看该作者
"我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压"这个能具体点么,有点看不懂,如果有图的话,那就更好了。/ _: E) h( y# f: {

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他講的應該是體二極管(Body Diode),我猜!^_^  发表于 2015-9-21 11:09

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3#
发表于 2015-9-21 16:10 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-21 16:12 编辑 & v6 {* |6 x6 y, c/ G; e2 F' H! N
3 B$ J- r, G* \' h1 Q
  • MOS 管中的體二極管Body Diode),芯片資料中若沒有特別註明,就是一般的二極管(課本常說順向會有 0.7V 壓降那種)。
  • 體二極管Body Diode)必須在 MOS 管關閉Off)狀態下,才量得到它的壓降(VF)。
  • 正因為 MOS 的體二極管Body Diode)通常壓降較大、且反應較慢,所以市面上有販售一種 MOS 管加肖特基二極管Schottky Diode)的特殊封裝,請參見附圖!0 i/ ?6 e7 b" k8 A7 h, V

# }/ O/ S( _% i% L3 K8 y) D$ L, U8 i4 D! X6 k/ w% K4 r8 d2 I

MOSFET with Schottky Diode.jpg (33.77 KB, 下载次数: 0)

MOSFET with Schottky Diode.jpg

NTLJF3117P-D.pdf

112.05 KB, 下载次数: 25, 下载积分: 威望 -5

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谢谢版主了,我刚才测试了一下,在PMOS管栅极接高电平的时候,测Vds为0.6V左右,在PMOS管不接高电平的时候Vds为0V。我这边需电池电压过一个二极管但是不降压,在PMOS管悬空时,用PMOS管的体二极管可以吗?  详情 回复 发表于 2015-9-23 16:49

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5#
 楼主| 发表于 2015-9-23 16:49 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-9-21 16:10MOS 管中的體二極管(Body Diode),芯片資料中若沒有特別註明,就是一般的二極管(課本常說順向會有  ...
, a; ^! k% G# c3 q
谢谢版主了,我刚才测试了一下,在PMOS管栅极接高电平的时候,测Vds为0.6V左右,在PMOS管不接高电平的时候Vds为0V。我这边需电池电压过一个二极管但是不降压,在PMOS管栅极悬空时,用PMOS管的体二极管可以吗?
, q; F1 K; v) W2 h, ?+ @# T

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这是原理图  详情 回复 发表于 2015-9-23 16:53

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6#
 楼主| 发表于 2015-9-23 16:53 | 只看该作者
a2418089 发表于 2015-9-23 16:49' L1 \: e/ U+ ?$ {! W
谢谢版主了,我刚才测试了一下,在PMOS管栅极接高电平的时候,测Vds为0.6V左右,在PMOS管不接高电平的时 ...
7 t$ d$ j$ P' V0 h) m) K7 |" z. K: n
这是原理图7 t, V/ s& e' J# P* z* U& y3 e

2007711132529568_2.jpg (33.37 KB, 下载次数: 1)

2007711132529568_2.jpg

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7#
发表于 2015-9-23 17:26 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-23 21:34 编辑
  R4 r9 M% l! [" H/ E, ^0 v% I5 D2 j) F3 f
批莫死PMOS閘極Gate懸空Floating)一般為低電平,莫死MOS)管是導通的狀態。5 v# W7 t( G1 T6 S0 x8 {

( z2 n; ?( T2 a0 a9 G輸入管腳電路設計上都不建議懸空Floating),因為容易受到雜訊干擾,而產生錯誤的狀態,上拉或下拉電阻是必需的。# U0 u1 V$ V: E" Z: l, t! T3 |1 F

4 {1 k3 }  B' _  x' h' k  q$ R凡是二極管都會有壓降,不管是哪種二極管;即便是莫死MOS)導通,也會有導通電阻RDS(ON) )這回事。有人並聯一個肖特基二極管Schottky Diode),以減少體二極管Body Diode)的影響,這是最簡單的作法。1 D" p' }/ Q, I8 t4 |% ?5 E$ ^
4 `6 J8 u3 {9 |/ m+ T" Y7 U( W0 L
看過踢哀TI)某些充電芯片的作法,是用兩個批莫死PMOS)管,分別管制兩個方向的電流。但成本會較高,電路也會稍微複雜些。
4 E+ |0 ]+ g8 q- P9 q
% {+ ~( V" q& y0 F. ^9 t; h  W$ L# P

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栅极悬空是存在杂波容易干扰的问题,再次感谢版主的解惑了。  详情 回复 发表于 2015-9-24 08:46
上拉电阻一般选择多少,电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长,  详情 回复 发表于 2015-9-23 17:44

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9#
发表于 2015-9-23 17:42 | 只看该作者
前爛公司某個爛機種,並聯肖特基二極管Schottky Diode)的作法!/ f2 U+ W% p4 D& G; B! k' ]

% L8 d. g+ }0 L

Battery Charging MOSFET.jpg (82.5 KB, 下载次数: 0)

Battery Charging MOSFET.jpg

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好一個《爛公司》某個《爛機種》。而這個《爛機種》是哪個《爛好人》做的? 連註解都寫得哪麼詳細! ^_^  发表于 2015-9-24 09:37
  • TA的每日心情

    2022-5-11 15:11
  • 签到天数: 162 天

    [LV.7]常住居民III

    10#
    发表于 2015-9-23 17:44 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-9-23 17:260 f% F) O' o+ _: n
    批莫死(PMOS)閘極(Gate)懸空(Floating)一般為低電平,莫死(MOS)管是導通的狀態。3 H* _! e& g3 [. c! K3 F" e# M

    8 f. X& h3 _/ L! I  G: V' Z; y# ?輸入管腳電路 ...
    3 Y- [& P  Q7 s6 Y; S
    上拉电阻一般选择多少,电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长,
    6 W3 }3 z# @: c* G- u# j5 d

    点评

    因為小弟大部分的應用是沒電時要導通,所以 PMOS + Pull-Down 的設計較多。 樓主講的問題沒有完整電路也不好判斷,MOS 管三個管腳間本來就會有寄生電容,您的問題是否純粹是寄生電容引起的,還要仔細分析才能確認  详情 回复 发表于 2015-9-25 15:05

    该用户从未签到

    11#
     楼主| 发表于 2015-9-24 08:46 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2015-9-23 17:262 N3 O3 B9 L  x. D. x6 b0 I8 [; V$ b
    批莫死(PMOS)閘極(Gate)懸空(Floating)一般為低電平,莫死(MOS)管是導通的狀態。, {1 O. e0 G# Q0 C* ?: g

    / g' }3 H, E: J: u) B/ r* D輸入管腳電路 ...

    ' y' X1 T$ C5 d3 l& d  w& v栅极悬空是存在杂波容易干扰的问题,再次感谢版主的解惑了。
    & P  t3 m2 Z4 ?( r+ V6 o

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2015-9-25 15:05 | 只看该作者
    lfc1203 发表于 2015-9-23 17:44
    - }; \: @% T1 a, ~3 u6 n上拉电阻一般选择多少,电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长,
    ) |. [+ C/ ^% m/ k# P7 u
    因為小弟大部分的應用是沒電時要導通,所以 PMOS + Pull-Down 的設計較多。3 U: |" f$ H2 R0 Z7 a* F/ D

    3 }* i6 b2 |: ^% w  P, E( G樓主講的問題沒有完整電路也不好判斷,MOS 管三個管腳間本來就會有寄生電容,您的問題是否純粹是寄生電容引起的,還要仔細分析才能確認。
    : v2 D, Y6 R5 z! r% L( E+ h5 p6 I: I. P* p# @* |! K# M7 D
    但好奇的是,這樣的經驗曾經引起什麼樣的問題?
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    [LV.2]偶尔看看I

    13#
    发表于 2015-9-29 22:49 | 只看该作者
    超级狗真的是个硬件神仙
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