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DDR3 OTD与ZQ

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1#
发表于 2015-7-19 11:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR3中有ODT引脚,同时也有ZQ引脚,这2个都是做终端阻抗配匹用,MICRO一份资料说在没有连ODT信号是,控制器写数据时有ZQ会动态调整配匹阻值,我想知道是如果ZQ接了240Ω电阻,同时ODT信号也连接了控制器的话,终端配匹电阻是哪个在其作用?请教各位大侠!6 L0 C) h+ I3 V7 n

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发表于 2015-7-21 16:37 | 只看该作者
ODT是终端匹配,那就是要在你的信号线终端上拉一个电阻,但是这个内部电阻随着温度会有些细微的变化,为了保证信号被准确的进行终端匹配,就需要ZQ了,ZQ的作用就是使用你外面连接的,高精度240R电阻来对这个内部的电阻进行校准,不知道理解的对不对。

点评

谢谢,应该是的,从网上找到的一些资料也是这么理解的。  详情 回复 发表于 2015-7-23 08:43

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2#
发表于 2015-7-20 07:13 来自手机 | 只看该作者
Odt只是内部并联阻抗的一个使能

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3#
发表于 2015-7-20 09:24 | 只看该作者
两个都在使用,240ohm是提供一个基准值,比如1/2为120ohm,1/4为60ohm等等

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4#
发表于 2015-7-20 09:28 | 只看该作者
两个不同功能的脚,ZQ是配置你ODT对应的终端匹配值得,而ODT是打开/关闭端接功能的,没有直接关系

点评

这样的话,DDR2的终端电阻是由哪里配置的? ODT本身不就是说内部就有配置电阻吗?  发表于 2015-7-20 13:06

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5#
 楼主| 发表于 2015-7-20 16:58 | 只看该作者
在百度上找到了以下说明:ZQ校准为了提高信号完整性,并增强输出信号强度,DDR内存中引入了终端电阻和输出驱动器。而为了在温度和电压发生变化的情况下仍能保持信号完整性,就需要对这些终端电阻和输出驱动器进行定期校准。ZQ目的是校准。
6 v3 |3 J# D% A& G: c; |+ F

点评

支持!: 3.0
支持!: 3
ZQ校准是可以调整系统稳定性,但是要慢慢试。记得有个案子系统老是DDR跑飞,把原来240 ohm电阻换成200ohm问题得到解决~~  发表于 2015-7-21 13:26

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7#
发表于 2015-7-22 20:22 | 只看该作者
楼上说的有道理!!

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8#
 楼主| 发表于 2015-7-23 08:43 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2015-7-21 16:37
+ t0 J1 C4 H( k! N& m' J5 BODT是终端匹配,那就是要在你的信号线终端上拉一个电阻,但是这个内部电阻随着温度会有些细微的变化,为了 ...
" o: j* I) ^* T1 e9 t
谢谢,应该是的,从网上找到的一些资料也是这么理解的。- \; Q% x) k+ O: v
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9#
发表于 2015-7-31 21:25 | 只看该作者
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