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tDS&tDH base 的选择问题

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1#
发表于 2015-7-15 22:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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tDS&tDH base 的选择跟一个指标ACXXXmV,例如AC175,AC150,AC135, . ]: L) U' ~0 r) J+ z8 @+ b" y
这些指标如何选择?
! @7 T. d/ `) z+ Q: w有问过做内存的厂商,他说一般取AC175,具体也不知道为什么: F$ ^1 c% }. O  f) {

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2#
发表于 2015-7-15 23:03 | 只看该作者
我也想知道

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3#
发表于 2015-7-16 00:18 | 只看该作者
AC175的要求是最严格的,如果能过,那么就没有任何问题

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4#
发表于 2015-7-16 08:50 | 只看该作者
依照带宽来选择,若你不跑颗粒的最高带宽不需要那么高的要求。参考规格书。

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5#
发表于 2015-7-17 11:47 | 只看该作者
以下所述,参考参考...
) M. h" B, A; J/ u; F根据经验,参考规格书。
$ \6 K4 s4 d5 j这里所述之规格书是按照作动方式(向)而定。
( I2 s. r8 T2 W; [$ v- M3 P& w; }; }例如Data-Bus/Write时,讯号由控制晶片传到DRAM端,此时按照DRAM的规格/ U' d6 ^6 a2 q6 c
并决定AC/DC levels。如此,计算接收情况是否符合规格(软体会计算tDS/tDH馀裕)。8 _2 S, G  G6 `2 |# R. Q
反之亦然,在Read时,计算接收端(控制晶片)的接收情况,使用控制晶片接收时的规格
4 |4 Q1 j7 ^0 W! P0 d' G! U' \(tDS/tDH)。
: J" \; H5 x+ d% D' L只是,在一般状况下,厂商通常回覆按照Jedec规格,所以,Write/Read的tDS/tDH就变成一样了。8 G! H8 a. q. P" A
所以,问清楚所使用的规格来设计与仿真,过与不过,皆有一定的准则判断。

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6#
发表于 2015-9-7 22:38 | 只看该作者
这个和眼图测量有关
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