电源完整性之阻抗问题

ares0260

请问各位大神，在做电源完整性是，别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
我把文件导入了ansoft designer，想问一下，如何看它的电源阻抗？
是看两个port之间即Z21还是Z11。
谢谢各位！
' n( a+ W3 F% P, g

cousins

PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
$ e% e/ K/ A: g: J$ |3 k两个或者两个以上端口，有两种处理方式：
1.电压源处加VRM，简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN
2.加归一化的端口，这是模拟系统不上电状态PDN
, K5 W6 n1 @4 z* b

cousins

Z11

菩提老树

从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

qingdalj

回去看看理论吧

ares0260

菩提老树 发表于 2015-7-13 23:42
从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

2 ^+ p2 m* y$ Z  FZ11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗，也就是自身的自阻抗。
在port1上加去耦电容是可以的，Z11会减小。这是没有问题的。
那我在另一个端口（如port2）加一个接地电容，但Z11却不变。
6 `% r- V9 K1 z& Y5 _. `" h6 Z我觉得根据输入阻抗计算公式，在第二种情况下，z11应该是有所变化的？
6 Y/ D  N" r: j. w- E5 ^: @1 y; }: i能劳驾解释一下吗？但实际却不是。

ares0260

qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39
' W, B! W4 ?5 ^7 D1 s回去看看理论吧

能推荐一下资料吗？
5 R* i, M. Z# p2 _* Z, ]' {这些对于你们来说确实简单了些！

cousins

ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
能推荐一下资料吗？
这些对于你们来说确实简单了些！

<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
* |4 x5 G# [8 Twritten by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin
( g" D; y$ U( c4 K0 s' g

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:42
Z11

0 G% |: m- G8 T& O
请问为什么是Z11，默认的PDN至少有两个端口，在对SNP格式的文件进行仿真时，对另外一个端口怎么处理？
谢谢！
4 W/ x2 y; V, i1 _4 e+ S" D

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:10
3 n  S6 w9 _2 v' \PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
两个或者两个以上端口，有两 ...

- m! S/ U( S8 E1 O$ _5 Y0 c7 F$ T- {我尝试了这两种方法：
! h1 i: v7 s% N6 }* k5 k. s1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
$ O2 q" i% I% n5 h2 `+ c! C2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.
得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗？
# q- U  E. ?3 `1 [

cousins

ares0260 发表于 2015-7-16 09:05
) b7 Y5 [( B- Q4 r! h' c9 Y" [我尝试了这两种方法：
+ d. F5 y: _, f) |) N1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
! C  I) k* Z( r# u! i# s" h+ [2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM ...

归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
0ohms怎么归一？  
" M9 J6 y. w. r" c$ f9 W
0 o& ~2 C* E8 p$ \. M归一是要用Z/Zref的...
$ a# m& u* h8 l, e$ T$ u! _结果是不会完全一样的，在1MHz以上的结果是基本一致的。
有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线，值很小。
无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值，这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
) J" j% t; f/ V2 {记住以对数（log scale）的方式查看Z11。

ares0260

cousins 发表于 2015-7-16 09:31
归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
/ W* I8 Y2 Z; p6 z" E0ohms怎么归一？  

Hi Conusins，
请教您一个问题。
枣做电源完整性的时候，会生成一个SNP文件。
& [4 m# X5 B2 M6 E( y; y" R9 {放到ansoft designer中去，做它的时域瞬态响应分析。
' a. \5 f! {/ i) P- }/ @因为以前没有接触过PI，真的不知该如何下手。
4 y. ?, a1 s1 B4 \) U' Z! v4 P望您能指点一二。
) r- o3 u4 ?. M& a/ E( N1 X' n一般情况下，会给它一个阶跃信号（0 to 1.2v）测得芯片输入端的电压即可。
但是参考的图中却没有看到对应的芯片（dut），这样对吗？

cousins

你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号，就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话，你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。

  |* N: }5 B4 h

ares0260

1 B* L/ ?/ u& X* s' I9 M

cousins 发表于 2015-7-22 17:23
$ o3 ^* d2 l; \9 N1 t7 j你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
5 W- V6 m8 l7 u7 @- H  f这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号 ...

如何体现纹波的频率呢？
5 S4 A* ~2 ]- W$ i能劳驾你给一个电路模型参考一下吗？或者一个小例子。
拜谢！！！
* Z0 r3 L# D! M# M4 R4 L下图是从别人哪里看到的结果，纹波应该是0.04V，可是我总是做不出来。
可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了，你帮忙看看。
/ {( ?/ }7 i% Z9 J+ t' p+ U非常感谢！！！
& l. q& t6 W  `- a2 Y, {6 z- I. j

! K& L' Q3 k* J  R( e

shark4685

提取平面的s参数即可。